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非球面鏡|高數值孔徑(S-LAH64)
非球面鏡|低數值孔徑（N-BK7）
非球面鏡|熔融石英（FusedSilica）
非球面柱面鏡
錐透鏡
a|已安裝的非球面鏡/錐透鏡/非球面柱面鏡
墨烯器件放在拋光的銅板上（發(fā)射率約為0.1）,然后把器件和銅板放在加熱板上（如圖二a所示）.使用熱電偶來測量表面多層石墨烯的溫度,調節(jié)熱板的溫度,以保持表面多層石墨烯的溫度為35℃.使用Tix500熱像儀以恒定的發(fā)射率1記錄多層器件在不同插入偏壓下的熱像圖（如圖二b所示）.偏壓范圍由離子液體的電化學窗口決定傲诵。圖二b顯示了器件的紅外溫度從0 V時的30.5°C降低到4V時的28.1°C,可以通過ε=ε1（T1 / T）^4來確定表面的發(fā)射率ε,其中ε1是用于熱成像的發(fā)射率,T1是紅外溫度,T是通過熱電偶測得的實際溫度,因此這意味著通過離子液體嵌入抑降低器件的發(fā)射率.根據熱成像可以確定不同插層偏壓 ...
都是采用研磨拋光方法凯砍；光纖對準調節(jié)一般采用無源或者有源二次對準技術；而光纖接頭固定結構則是隨著固定光纖并使之對準的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異拴竹。對接耦合式光纖連接器悟衩，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)，常用的對準機構設計一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結構栓拜。如圖2所示局待，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內套筒中，內套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔菱属，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內舰罚，以保證兩根光纖同軸且兩端面準確地接觸纽门。兩個內套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...
都是采用研磨拋光方法营罢；光纖對準調節(jié)一般采用無源或者有源二次對準技術赏陵；而光纖接頭固定結構則是隨著固定光纖并使之對準的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異饼齿。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)蝙搔，常用的對準機構設計一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結構缕溉。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內套筒中吃型，內套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔证鸥，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內勤晚，以保證兩根光纖同軸且兩端面準確地接觸枉层。兩個內套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...
是微球面研磨拋光赐写，插芯表面研磨成輕微球面鸟蜡。UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面挺邀。UPC連接器端面并不是完全平的揉忘，有一個輕微的弧度。APC (Angled Physical Contact)端铛，斜面物理接觸泣矛，光纖端面通常研磨成8°斜面。插入損耗（Insertion Loss）：PC沦补、UPC和APC連接器的典型插入損耗應小于0.3dB（較大值）乳蓄，典型值一般小于0.2dB，UPC/PC連接器通常更容易實現低插入損耗夕膀⌒榈梗回波損耗（Return Loss）：APC連接器的回波損耗通常優(yōu)于UPC連接器，PC回波損耗為-45dB产舞。UPC回波損耗一般是在-50dB（甚至更高）魂奥。AP ...
的基礎上優(yōu)化拋光和表面光潔度，使得端面的更具有弧度易猫，在視覺上呈現更強的圓頂狀耻煤。UPC研磨的光纖連接器常用于以太網網絡設備、電話系統(tǒng)等准颓。APC型：Angled Physical Contact哈蝇，斜面物理接觸，即光纖端面的研磨帶有一個特定的角度攘已，常用的有6度炮赦、8度。相較于前兩種研磨得到的光纖連接器而言样勃，APC研磨的連接器吠勘，可以使光纖端面連接更加緊密性芬，并讓反射回來的光信號通過其斜面反射到包層而不是光源處，有效抑制了反射光線對整個系統(tǒng)的影響剧防，提供了更好的連接性能植锉。APC研磨的光纖連接器則常用于高波長范圍的光學射頻應用。按照連接器連接方式分：為適應不同的使用場景峭拘，研發(fā)出了多種特點各異的光纖接頭俊庇，下面介紹 ...
模塊和輸出端拋光 FC/PC 連接器，反射率約為 4%棚唆。PCF 用于生成參數四波混頻 (FWM) 增益可通過波長調諧在750nm和980nm 之間進行波長調諧僅5ms內的振蕩器（相應的波長調諧曲線可以在參考文獻的圖 3（a）中找到暇赤。）。FOPO 和放大的振蕩器脈沖的組合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波宵凌，并允許處理 700 cm-1和 3200 cm-1之間的拉曼譜帶鞋囊。FOPO 諧振器中的 SMF完成了光譜窄色散調諧 ，使得反饋信號脈沖在時間上被拉長瞎惫，并且只有窄光譜部分 (<12 cm-1) 與下一個要放大的泵浦脈沖重疊溜腐。因此，諧振器的光路長度直接與 FOPO 輸出的波長相關瓜喇。自定義—— ...
挺益，圓片再經由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經過這么多步驟乘寒，芯片基板的制造便大功告成望众，下一步便是堆疊房子的步驟，也就是芯片制造伞辛。至于該如何制作芯片呢烂翰？三、層層堆疊打造的芯片在介紹過硅晶圓是什么東西后蚤氏，同時甘耿，也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣，藉由一層又一層的堆疊竿滨，創(chuàng)造自己所期望的造型佳恬。然而，蓋房子有相當多的步驟于游，IC 制造也是一樣毁葱，制造 IC 究竟有哪些步驟？下面將對 IC 芯片制造的流程做介紹贰剥。在開始前头谜，我們要先認識 IC 芯片是什么。IC鸠澈，全名積體電路（Integrated Circuit）柱告，由它的命名可知它是將設計好的電路，以堆疊的方式組合起來笑陈。藉由這個方法际度，我們可以減少 ...
的鏡面表面用拋光技術拋光到1納米以下的粗糙度。硅的獨特之處在于涵妥，在鏡面金屬化之前乖菱，可以使用各種方法使表面超凈。此外蓬网，硅材料本身在制造過程中沒有任何殘余應力窒所，在鏡面微加工后仍保持這種性能。因此帆锋，硅反射鏡具有較高的平整度吵取，曲率通常低于用傳統(tǒng)干涉儀測量的水平。作為MEMS鏡面的基材锯厢，硅具有較優(yōu)的潔凈度皮官、平整度。在光束轉向應用的Z后制造步驟中实辑，硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長的高反射率捺氢。在標準生產過程中，硅鏡上會涂上一層薄薄的鋁剪撬，所有庫存的MEMS鏡面都用的鋁涂層摄乒。一些研發(fā)生產過程中的設計被涂上了黃金。一般來說残黑，可以使用其他涂層材料馍佑，但有必要找到薄的、低應力的涂層萍摊，而不會顯著降低鏡子的平整度特性挤茄。這是一個 ...
離子交換樹脂拋光AHA溶液，以去除微量鹽并降低溶液的電導率冰木。使用先前發(fā)表的方法測量了該電解質系統(tǒng)的交越頻率（COF）穷劈，發(fā)現其交越頻率（COF）為6.2MHz。3.3阻抗測量我們利用上游并行點陣列驅動fDEP流通過通道踊沸，并利用下游45°交錯陣列作為阻抗傳感器歇终。平行點電極軸向間隔20m，并對稱橋接微通道的寬度逼龟。我們使用帶有尖銳點的電極將電場聚焦到電極的尖端评凝，并沿著主流通道壁增加與PDMS和玻璃基板的接觸。一個函數發(fā)生器(RigolDG4102)被連接到fDEP電極上腺律，并傳遞一個交流電場來取代跨通道的接口奕短。下游阻抗電極被交錯宜肉，并相對于流動方向定位在45?的角度，以最大限度地提高陣列對界面位置變化的敏 ...
及用于光學的拋光和研磨翎碑。高溫高壓法的缺點是它只能生產出納米級到毫米級的單晶金剛石谬返，這限制了它的應用范圍。直到金剛石的化學氣相沉積（CVD）生產方法以及金剛石薄膜的出現日杈，該金剛石的形式可以允許其更多的高ji特性被利用遣铝。金剛石的化學氣相沉積（CVD）生產方法相比起HPHT 復制自然界金剛石產生的環(huán)境和方法，化學氣相沉積選擇將碳原子一次一個地添加到初始模板中莉擒，從而產生四面體鍵合碳網絡結果酿炸。化學氣相沉法涨冀，顧名思義填硕，其主要涉及在固體表面上方發(fā)生的氣相化學反應，從而導致沉積到該表面上蝇裤。下圖展示了一些比較常見的制備方法金剛石薄膜一旦單個金剛石微晶在表面成核廷支，就會在三個維度上進行生長，直到晶體聚結栓辜。而形成了連 ...
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