高光束質量光纖合束器技術研究（二）首先妇汗，建立基本的仿真模型。在光纖功率合束器輸入光纖束拉錐過程中光纖會發(fā)生延展和塌縮说莫。延展指的是光纖長度伸長而橫截面積縮小的過程杨箭；塌縮指的是光纖熔融粘連的過程。在仿真過程中為了簡化模型储狭，我們假定光纖先延展后塌縮互婿。在塌縮過程中捣郊，輸入光纖束的橫截面會變成排布緊密的花瓣形，使得光纖芯徑縮小擒悬。如下圖1所示模她。圖中淺灰色部分是拉錐輸入光纖束外層低折射率玻璃套管，深灰色部分是輸入光纖之間的空氣間隙懂牧，白色部分則是輸入光纖圖1 輸入光纖束橫截面示意圖 （a）塌縮前 （b）塌縮后在仿真過程中我們設置輸入光纖芯徑和包層直徑分別為30μm和250μm侈净，輸出光纖芯徑為50um，包層無限大 ...
成正相關僧凤，即高階模式下（光線以較大角度射入時路程較長）造成的模間色散高于低階模式（光線以較小角度射入路程較短）圖1.多模光纖模間色散多模光纖z多可同時容納17種光線傳播模式畜侦，其模間色散遠高于單模光纖。這是由于單模光纖具有單一的傳播模式躯保，即光線沿著纖芯傳播（軸向模式）而不反射到包層邊界旋膳，因此沒有模間色散發(fā)生。然而途事，如果使用漸變折射率多模光纖验懊，情況就不同了。雖然光線也以不同的模式傳播尸变，但由于纖芯的折射率不均勻义图，光線路徑不再是直線而是曲線，光線的傳播速度也發(fā)生變化召烂，因此可通過選擇合適的折射率分布大大降低模間色散碱工。二、色度色散色度色散指光源中不同波長分量在光纖中的群速不同所引起的光脈沖展寬現象奏夫，包括材 ...
電流的增大，高階模被激發(fā)酗昼，脈沖平均波動達到平均值的21%廊谓，如圖4(a)所示。在增加收縮后麻削，我們在相同的電流水平下重復相同的測量蹂析，結果顯著改善，如圖4(b)所示碟婆。平均脈沖值有所增加，其余脈沖波動低于平均值的2%惕稻，這與測量的信噪比一致竖共。圖5是在0.83 a、0.88 a俺祠、0.92 a下采集的數據子集公给，說明了模式識別帶來的改善借帘。左邊的直方圖（紅色）顯示了不穩(wěn)定激光在200個平均脈沖內的150mw變化强重。在擾動和抑制高階側模后识脆，平均脈沖之間的變化降至15 mW以下沮稚，如圖右側（藍色）的直方圖所示搬男。相應的標準偏差證實了脈沖穩(wěn)定性至少提高了10倍志鹃，單個脈沖功率也平均增加了250 mW肠槽。圖6zui后悍缠，我們測量了 ...
向強度分布雁乡，高階模式與增益曲線的重疊較小吐葱。這導致較低的側模放大街望，從而導致較高的側模抑制比（SMSR）。MEMS的BTJ直徑和相應的曲率半徑（RoC）的適當組合弟跑，即使與標準的不可調諧VCSELs相比灾前，孔徑尺寸更大，也可以保證基本的橫向模式發(fā)射孟辑。底部DBR由3.5對氟化物和硫化物相間的介電層組成哎甲，折射率對比度為Δn≈1。半VCSEL經過處理并嵌入鍍金基板中饲嗽。金和上述介質DBR的組合使整個調諧范圍內的反射率幾乎達到100%炭玫。圖1 MEMS-VCSEL的示意圖。采用表面微加工的方法喝噪，在BCB半VCSEL上沉積了11.5對SiNx/SiOy對組成的MEMS-DBR础嫡。微機電系統(tǒng)可以通過電熱驅動來調節(jié)發(fā)射波 ...
模式，而其它高階模均截止的光纖酝惧。根據對階躍型多模光纖的模式分析榴鼎，對給定的工作波長λ通過恰當地設計選擇階躍光纖的物理結構參數（芯徑2a，纖芯與包層折射率n1,n2）晚唇，達到調整光纖的波導常數（歸一化頻率）V值巫财，使之滿足如下條件：從而實現光纖中只有基模HE11（或標量模LP01）單一模式傳輸，而臨近的高次模TE01模哩陕、TM01模平项、HE21模（標量模LP11模）均截止。V值的選取不同悍及，將影響光纖芯闽瓢、包層中所占的光功率，如V=2.405心赶，芯扣讼、包層功率比為0.84：0.16；V=1時缨叫，芯包功率比為0.3：0.7椭符。即V值越小荔燎，轉移到包層中的光功率越多。因而實際的單模光纖其歸一化工作頻率的選擇一般在2.0-2 ...
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