泛部署的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖（SMF）的鏈路上璃搜。對(duì)于10GBASE-SR（短距離）標(biāo)準(zhǔn)鳞上，850nm VCSELs已經(jīng)被用作具有成本效益的光源因块。近年來(lái)，為了提高VCSEL在1.3μm波長(zhǎng)下的性能拒名，人們做了很多努力芋酌，包括晶圓熔接器件和含氮量子阱脐帝。我們的解決方案是基于InP的單片方法，使用埋藏隧道結(jié)（BTJ）作為電流孔徑炸站。利用這一概念疚顷，我們已經(jīng)展示了1.55μm具有卓越高速性能的器件。此外阀坏，我們將器件安裝到發(fā)射器光學(xué)子組件（TOSA）模塊中忌堂，該模塊可以輕松集成到現(xiàn)有的發(fā)射器基礎(chǔ)設(shè)施中士修。結(jié)構(gòu)和VCSEL特性目前高速1.3μm VCSEL的基本結(jié)構(gòu)與先前基本相同李命，但優(yōu)化了熔覆層的熱管理箫老，提高了底鏡反射率耍鬓。外延輸 ...
用于高帶寬WDM-PONs的1.55um VCSEL陣列(1)-設(shè)備結(jié)構(gòu)垂直腔面發(fā)射激光器（VCSELs）已被證明是波分復(fù)用無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)（wdm-pon）中具有成本效益的光源，近年來(lái)制造技術(shù)穩(wěn)步發(fā)展涣达，特別是單片一維（1-D）和二維陣列制造度苔。爆炸性的帶寬需求寇窑，特別是在上傳和下載速度方面，將需要在接入網(wǎng)中采用WDM技術(shù)窗市。由于電信系統(tǒng)的主要問(wèn)題是連通性饮笛，因此未來(lái)的系統(tǒng)需要對(duì)稱(chēng)的上下游帶寬。為了在未來(lái)實(shí)現(xiàn)有吸引力的市場(chǎng)條件摄狱，每帶寬的成本必須大幅降低二蓝。在這里刊愚，我們描述并描述了一種一維VCSELs陣列結(jié)構(gòu)鸥诽，該結(jié)構(gòu)可以在不進(jìn)一步投資的情況下實(shí)現(xiàn)每個(gè)客戶帶寬的升級(jí)（從2.5Gb/s到潛在的80Gb/s甚至120 ...
20km標(biāo)準(zhǔn)單模光纖（SMF）無(wú)源傳輸鏈路下，對(duì)VCSEL陣列的傳輸性能進(jìn)行了評(píng)估袭异。所使用的接收器由一個(gè)12.5GHz的p-i-n光電二極管御铃、一個(gè)10GHz的限制放大器和一個(gè)9.33GHz的低通濾波器組成上真。注意，實(shí)驗(yàn)中沒(méi)有進(jìn)行電子色散補(bǔ)償睡互。圖5(a)顯示了ITU網(wǎng)格上間隔為100GHz的4個(gè)10Gb/s調(diào)制信道的疊加光譜和相應(yīng)的眼圖根竿。由于缺乏尾纖版本和光學(xué)合成器陵像，我們使用陣列的一個(gè)激光器分別測(cè)試每個(gè)DWDM信道。此外寇壳，所有通道的誤碼率測(cè)量如圖5(b)所示醒颖，其中在四種偏置條件下可以實(shí)現(xiàn)無(wú)誤差操作。眼圖中的時(shí)序抖動(dòng)以及低靈敏度可能是由于使用了初步的激光安裝九巡，而沒(méi)有在微縮版A（SMA）安裝上進(jìn)行任何 ...
064nm的單模光纖激光器图贸，示意圖如圖3所示疏日。圖3 縮束組件設(shè)計(jì)光路在實(shí)際的測(cè)試過(guò)程中撒汉，鏡片的制造調(diào)試誤差會(huì)在系統(tǒng)中引入波前畸變沟优，zui終影響M2的測(cè)量睬辐。為了驗(yàn)證波前畸變對(duì)M2的影響挠阁，根據(jù)圖4所示的流程圖進(jìn)行仿真。圖4 仿真縮束組件波相差對(duì)激光M2的影響圖5為0°視場(chǎng)下縮束組件的波前圖和各項(xiàng)系數(shù)侵俗，通過(guò)zemax分析可知當(dāng)入射波長(zhǎng)為1064nm時(shí)丰刊，PV值為0.0039λ隘谣，低于λ/10的設(shè)計(jì)要求。圖5 0°視場(chǎng)下縮束組件波前圖圖6為0°視場(chǎng)下縮束組件的激光M2曲線啄巧，根據(jù)該結(jié)果可知，當(dāng)視場(chǎng)為0°時(shí)秩仆，x方向的M2為1.0338码泛，Y方向的M2為1.0340。而隨著視場(chǎng)角度的逐漸增大澄耍，x方向的傾斜項(xiàng)噪珊、慧差 ...
相鄰的環(huán)境齐莲。單模光纖只允許一束光傳播卿城，因此不表現(xiàn)出模式色散特性。因此铅搓，單模光纖具有相應(yīng)纖芯較細(xì)、傳輸帶寬較寬搀捷、容量較高星掰、傳輸距離較遠(yuǎn)的特點(diǎn)多望。一氢烘、單模光纖單模光纖只有一根（大多數(shù)應(yīng)用中是兩根）玻璃纖維怀偷，纖芯直徑范圍為8.3 μm 至10 μm。由于纖芯直徑相對(duì)較窄播玖，單模光纖只能傳輸波長(zhǎng)為1310nm或1550 nm的光信號(hào)椎工，與光器件的耦合相對(duì)困難。單模光纖的帶寬高于多模光纖蜀踏，但同時(shí)這也對(duì)光源的光譜寬度和穩(wěn)定性提出了很高的要求维蒙。也就是說(shuō)，譜寬要窄果覆，穩(wěn)定性要好颅痊。單模光纖由于色散低，只傳輸一種模式的光局待，可以實(shí)現(xiàn)大容量斑响、遠(yuǎn)距離的傳輸。在100 Mbps以太網(wǎng)到1G千兆網(wǎng)絡(luò)中钳榨，單模光纖可以支持超過(guò)5000 ...
SELs）與單模光纖（SMFs）結(jié)合是很有希望的候選者舰罚。1550納米VCSELs和SMF傳輸?shù)男逻M(jìn)展包括使用相干檢測(cè)在400公里以上傳輸25 GBd偏振分復(fù)用（PDM） 4級(jí)脈沖幅度調(diào)制（PAM）信號(hào)和使用直接檢測(cè)（DD）在4.2公里以上傳輸25 gb /s NRZOOK信號(hào)。為了實(shí)現(xiàn)比目前報(bào)道的更簡(jiǎn)單薛耻、更環(huán)保营罢、更具成本效益的發(fā)射器和接收器實(shí)現(xiàn)，并擴(kuò)大覆蓋范圍和對(duì)色散（CD）的容忍昭卓，在本文中愤钾，我們報(bào)告了28Gb /s NRZ-OOK信號(hào)的產(chǎn)生和傳輸超過(guò)10公里，而在鏈路中不使用任何色散補(bǔ)償光纖（DCF）候醒，使用單片1530納米VCSEL能颁。直接檢測(cè)和基于高性能Max似然序列估計(jì)（MLSE）的接收器 ...
色散補(bǔ)償光纖的1.55μmVCSEL調(diào)制性能-高速特性與數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)高速特性在芯片級(jí)驗(yàn)證了小信號(hào)調(diào)制性能，如圖3所示倒淫。對(duì)不同偏置電流下VCSEL芯片的小信號(hào)頻率響應(yīng)進(jìn)行了測(cè)量伙菊。測(cè)量使用HP8510C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與匹配校準(zhǔn)的光電二極管。采用級(jí)聯(lián)微探針對(duì)芯片進(jìn)行探測(cè)敌土，并利用標(biāo)定基板對(duì)芯片平面進(jìn)行標(biāo)定镜硕。實(shí)線適用于三極濾波函數(shù)，包括弛豫振蕩頻率返干、本征阻尼和寄生兴枯。曲線擬合允許提取調(diào)制電流效率因子和熱限制Max松弛振蕩頻率等幾個(gè)固有參數(shù)。室溫時(shí)帶寬超過(guò)11GHz矩欠，85℃時(shí)帶寬降至8GHz财剖，足以滿足10Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸悠夯。室溫下1.55um VCSEL的小信號(hào)頻率響應(yīng)實(shí)線適合于三極濾波器函數(shù)數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)在 ...
，為了在標(biāo)準(zhǔn)單模光纖（SNFs）中處理1.55um的色散躺坟，例如沦补，使用電子色散補(bǔ)償（EDC）或通過(guò)光學(xué)注入鎖定的方法，已經(jīng)做了很多工作咪橙。另一方面夕膀，只有光纖的吸收Min值物理固定為1.55um。由于色散可以設(shè)計(jì)美侦，色散位移光纖可能是一種選擇产舞。然而，SMF已經(jīng)被廣泛部署音榜。因此庞瘸，緊湊的色散補(bǔ)償光纖（DCF）模塊可用于克服1.55um VCSELs的啁啾限制，同時(shí)用于多個(gè)CWDM信道赠叼。因此擦囊，我們研究了這種光纖對(duì)我們新的長(zhǎng)波長(zhǎng)高速VCSELs傳輸性能的影響。在本文中嘴办，我們提出了一個(gè)利用DCF進(jìn)行啁啾管理的1.55um VCSEL的數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)瞬场，表征了這種類(lèi)型激光器的傳輸性能與光纖網(wǎng)色散的依賴(lài)關(guān)系。器件結(jié)構(gòu)及 ...
計(jì)（PM）涧郊、單模光纖（SMF）贯被、偏振分束器（PBS）。子通道添加系統(tǒng)經(jīng)過(guò)優(yōu)化以減少反射妆艘，由一個(gè)10dB和一個(gè)3dB電衰減器以及一個(gè)6dB電合并器組成彤灶。為了利用VCSELI-P特性曲線的線性區(qū)域，利用SHF的一個(gè)高線性放大器將電信號(hào)放大到1Vpp批旺。VCSEL的L-I-V曲線如圖2.a)所示幌陕。使用的VCSEL是一種高速短腔VCSEL，發(fā)射波長(zhǎng)1.55μm汽煮，調(diào)制帶寬為18GHz搏熄，溫度為20°C。帶有4PAM信號(hào)的調(diào)制VCSEL的頻譜如圖1所示暇赤。具體VCSEL特性的詳細(xì)描述可以在中找到心例。VCSEL的偏置設(shè)置為10mA以獲得非常佳的性能。從VCSEL發(fā)出的光信號(hào)被發(fā)射到一個(gè)具有分支間光延遲的偏振復(fù)用系統(tǒng) ...
光輸出與透鏡單模光纖對(duì)接耦合BCB MEMS VCSEL的實(shí)測(cè)小信號(hào)響應(yīng)根據(jù)用擬合函數(shù)近似表示：以常數(shù)B為松弛共振頻率fr鞋囊、固有阻尼γ和寄生滾轉(zhuǎn)頻率fp止后。根據(jù)VCSELs的速率方程分析，fr可表示為D因子量化了諧振頻率隨電流的增加溜腐，在圖8(b)中由低自熱狀態(tài)下電流的fr(I)斜率確定译株。在本例中微饥，器件的D因子為1.7GHz/mA1/2，Max諧振頻率為5.81GHz古戴。線性擬合曲線的彎曲是由于在19mA偏置電流下發(fā)生的熱阻尼效應(yīng)。相對(duì)較小的d因子可能是由于并入氣隙導(dǎo)致的大腔長(zhǎng)以及對(duì)MEMSDBR的高穿透深度和大電流孔徑矩肩。為了進(jìn)一步提高S21響應(yīng)的3db帶寬现恼，需要更大的d因子。采用更短的腔長(zhǎng)設(shè)計(jì)黍檩、微 ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com
