中文：量子阱；英文：quantum well

InGaAs量子阱設(shè)計(jì)用于高壓縮應(yīng)變操作鲸郊，以獲得更高的差分增益丰榴。半VCSEL的光腔長(zhǎng)度非常短，這也確保了更高的差分增益和弛豫共振頻率秆撮，這兩者對(duì)于實(shí)現(xiàn)更高的調(diào)制帶寬至關(guān)重要四濒。另一方面，為了獲得更大的FSR职辨，需要較短的腔長(zhǎng)盗蟆，F(xiàn)SR被定義為兩個(gè)相鄰縱向模式之間的光譜分離。對(duì)于設(shè)計(jì)合理的MEMS VCSEL拨匆，F(xiàn)SR是無(wú)模跳連續(xù)調(diào)諧的極限姆涩。2.MEMS設(shè)計(jì)與加工由于VCSELs的短腔固有低增益和在有源區(qū)域內(nèi)適度的約束因子，因此必須在整個(gè)調(diào)諧范圍內(nèi)提供足夠高的反射率惭每，以實(shí)現(xiàn)低閾值電流和高輸出功率。MEMS DBR由11.5層對(duì)的介電材料SiNx/SiOy組成，采用電感耦合等離子體（ICP）在低溫（< ...

是基于半導(dǎo)體量子阱的子帶間躍遷台腥。當(dāng)電子從前面的注入?yún)^(qū)進(jìn)入活躍區(qū)宏赘，在上下激光能級(jí)之間經(jīng)歷輻射躍遷，并隨后被提取到下一個(gè)下游注入?yún)^(qū)時(shí)黎侈，產(chǎn)生光子察署。電子從注入?yún)^(qū)進(jìn)入下一個(gè)活躍區(qū)是通過(guò)注入地能級(jí)和上激光能級(jí)之間的共振隧穿發(fā)生的。隧穿速率峻汉，以及許多其他性能相關(guān)參數(shù)贴汪，可以通過(guò)量子設(shè)計(jì)來(lái)設(shè)計(jì)，例如休吠，通過(guò)耦合強(qiáng)度的設(shè)計(jì)扳埂，耦合強(qiáng)度被定義為注入器地面能級(jí)和上激光能級(jí)在完全共振時(shí)能量分裂的一半。理論分析表明瘤礁，快速隧穿速率是實(shí)現(xiàn)高激光壁塞效率（WPE）的關(guān)鍵因素阳懂。一方面，隧穿速率越快柜思，所能支持的Max工作電流密度就越高岩调，因此電流效率（即激光器工作在高于閾值多遠(yuǎn)的地方）也就越高，這是影響WPE的重要因素赡盘。另一方面号枕，更快的 ...

非常尖銳的多量子阱界面，對(duì)襯底溫度陨享、界面切換機(jī)制葱淳、生長(zhǎng)速率、V/III比等生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行了迭代生長(zhǎng)條件優(yōu)化霉咨。雖然還沒(méi)有完全解釋蛙紫，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實(shí)測(cè)x射線衍射曲線對(duì)比如圖1所示途戒。測(cè)量是在用于MWIR QCL設(shè)計(jì)的InGaAs/InAlAs多層材料上進(jìn)行的坑傅，生長(zhǎng)應(yīng)變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應(yīng)變平衡∨缯總的來(lái)說(shuō)唁毒，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)少量的殘余應(yīng)變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認(rèn)為材料質(zhì)量好星爪。仿真曲線與實(shí)驗(yàn)曲線吻合較好控制生長(zhǎng)參數(shù)浆西。用極化子C-V測(cè)試來(lái)監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscope ...

GaInAs量子阱組成顽腾，這些量子阱嵌入在低氮摻雜的InP層和高磷摻雜的AlInAs包層之間近零。電流約束是通過(guò)圓形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道結(jié)（BTJ）實(shí)現(xiàn)的诺核，而B(niǎo)TJ區(qū)域外的電流阻塞是通過(guò)反向偏置n+p結(jié)實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于高速性能久信，芯片和接觸墊寄生的減少是通過(guò)鈍化與苯并環(huán)丁烯（BCB）來(lái)實(shí)現(xiàn)的窖杀。圖1a)SC-VCSEL示意圖（未按比例）；b)VCSEL1的功率-電流-電壓特性與直流電流的關(guān)系本實(shí)驗(yàn)使用兩個(gè)SC-VCSELs裙士，BTJ直徑（dBTJ）為5μm入客。在這兩種情況下，閾值電流為0.95mA腿椎，Max輸出功率為4.2mW桌硫，溫度為20°C。這些器件的功率-電壓-電流特性如圖1b所示 ...

/InP應(yīng)變量子阱的優(yōu)異增益特性啃炸，并通過(guò)使用介電鏡铆隘、散熱器或晶片鍵合技術(shù)來(lái)規(guī)避熱問(wèn)題。我們的解決方案是一種基于InP的單片方法肮帐，使用具有自完成電流和折射率引導(dǎo)的埋隧道結(jié)（BTJ）咖驮。利用這一概念，我們zui近展示了1.55um波長(zhǎng)的器件训枢，具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)特性托修。在本文中，我們演示了1.3um波長(zhǎng)VCSEL的動(dòng)態(tài)和傳輸特性恒界，其數(shù)據(jù)速率可達(dá)12.5Gbit/s結(jié)構(gòu)和VCSEL特性：目前高速1.3umVCSEL的基本結(jié)構(gòu)與之前描述的基本相同睦刃，在包覆層中進(jìn)行了優(yōu)化的熱管理，并提高了底部反射鏡的反射率十酣。外延輸出鏡由AlGaInAs/AlInAs層對(duì)制成涩拙，有源區(qū)由七個(gè)由拉伸應(yīng)變勢(shì)壘隔開(kāi)的應(yīng)變量子阱組成。這些激光 ...