中文：量子阱；英文：quantum well

光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調(diào)制QCL不同巴比，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對(duì)QCL傳輸?shù)恼{(diào)制泞歉。當(dāng)光子能量高于QW帶隙時(shí)逼侦，電子將從價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶匿辩，然后通過帶間躍遷放松回價(jià)帶腰耙。當(dāng)泵浦光子能量低于QW帶隙時(shí)，由于光子沒有足夠的能量铲球，將不會(huì)發(fā)生帶間躍遷挺庞。相反，在傳導(dǎo)帶較低的子帶中的電子將被激發(fā)到較高的子帶或連續(xù)區(qū)稼病。直接測(cè)量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關(guān)QCL增益調(diào)制的信息选侨。圖1(a)顯示了我們實(shí)驗(yàn)裝置的原理圖。利用由Ti:藍(lán)寶石振蕩器然走、Ti:藍(lán)寶石再生放大器援制、光學(xué)參量放大器(OPA)和自制差頻發(fā)生器( ...

壘分隔的應(yīng)變量子阱組成。這些激光器的混合后視鏡由3.5對(duì)CaF2-ZnS和金層（反射率=99.9%）組成芍瑞。圖1為埋地式隧道結(jié)（BTJ）VCSEL的設(shè)計(jì)晨仑。該芯片安裝在具有本地連接器（LC）插座的發(fā)射器光學(xué)組件（TOSA）模塊中，該模塊包括光隔離器拆檬、監(jiān)測(cè)二極管和50Ω撓性電路連接洪己。在相應(yīng)的電流和溫度范圍內(nèi)，單模光譜顯示出超過40dB的側(cè)模抑制比竟贯。室溫下的帶寬超過10GHz答捕，受到VCSEL內(nèi)層內(nèi)部寄生和熱效應(yīng)的限制。但是屑那，該帶寬可以實(shí)現(xiàn)12.5Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸拱镐。2.線寬測(cè)量對(duì)被測(cè)1.33-um VCSEL裝置進(jìn)行了不同溫度下連續(xù)波工作的線寬測(cè)量，采用延遲自外差法持际，解相關(guān)長(zhǎng)度為70m沃琅。圖2顯示了線寬 ...

為鈍化劑。在量子阱中引入壓縮應(yīng)變选酗，可以降低透明載流子密度阵难，提高（差分）增益，從而實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行芒填。為了降低空間電荷區(qū)的寄生電容呜叫，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生殿衰。對(duì)于有源直徑為5μm的器件朱庆，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時(shí)的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）闷祥。應(yīng)該指出的是娱颊，由于減少了散熱量傲诵，在大信號(hào)調(diào)制下，熱滾轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移到更高的電流箱硕。閾值電流分別低至1ma和2ma拴竹。由于這些器件的高耦合效率高達(dá)60%，因此可以實(shí)現(xiàn)高光纖耦合功率幅值剧罩。頻譜顯示單模工作栓拜，側(cè)模抑制比在滾轉(zhuǎn)電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時(shí)的l-i特 ...

接器件和含氮量子阱惠昔。我們的解決方案是基于InP的單片方法幕与，使用埋藏隧道結(jié)（BTJ）作為電流孔徑。利用這一概念镇防，我們已經(jīng)展示了1.55μm具有卓越高速性能的器件啦鸣。此外，我們將器件安裝到發(fā)射器光學(xué)子組件（TOSA）模塊中来氧，該模塊可以輕松集成到現(xiàn)有的發(fā)射器基礎(chǔ)設(shè)施中诫给。結(jié)構(gòu)和VCSEL特性目前高速1.3μm VCSEL的基本結(jié)構(gòu)與先前基本相同，但優(yōu)化了熔覆層的熱管理饲漾，提高了底鏡反射率蝙搔。外延輸出鏡由InGaAlAs/InAlAs層對(duì)組成，有源區(qū)由7個(gè)由拉伸應(yīng)變勢(shì)壘分隔的應(yīng)變量子阱組成考传。這些激光器的混合后鏡由3.5對(duì)CaF2/ZnS和一層金組成吃型。激光芯片及結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數(shù)鈍化僚楞，以 ...

隔的壓縮應(yīng)變量子阱勤晚。電流約束由埋地隧道結(jié)完成，允許用具有低損耗和歐姆加熱的n型材料代替p導(dǎo)電泉褐。所有激光器都是完全分離的赐写，可以很容易地單獨(dú)解決。圖1 1×12 VCSEL陣列的俯視圖和原理圖截面膜赃，長(zhǎng)度是250um到目前為止挺邀，我們已經(jīng)制作了4、8和12個(gè)VCSEL陣列跳座，具有高成品率和良好的均勻性端铛。單片集成一維陣列的主要優(yōu)點(diǎn)是固定間距。再加上倒裝芯片的能力疲眷，這些器件特別適合組合成集成光學(xué)系統(tǒng)禾蚕，如聚合物基光波導(dǎo)板。此外狂丝，為了提供并行鏈路和光纖帶傳輸?shù)哪K换淆，VCSEL陣列已經(jīng)成功部署哗总。更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光 ...

共振的具有四量子阱有源區(qū)的8.2-_x0016_m QC激光器的導(dǎo)帶圖的一部分和相關(guān)波函數(shù)的模平方倍试。施加51kv /cm的電場(chǎng)讯屈。箭頭表示激光躍遷。(b)基模強(qiáng)度分布圖易猫、層結(jié)構(gòu)分布圖和所用介質(zhì)波導(dǎo)折射率實(shí)部分布圖耻煤。激光主動(dòng)式區(qū)域基于雙聲子共振設(shè)計(jì)∽纪牵活躍區(qū)和注入器一個(gè)周期的層序?yàn)?4/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/19/29/23/27/ 25/27，其中in Al As勢(shì)壘層為粗體棺妓，in Ga As井層為粗體攘已，n摻雜層（cm）為下劃線。電子能帶圖如圖1(a)所示怜跑。第4和第3能級(jí)之間的激光躍遷能量設(shè)計(jì)為154兆電子伏样勃，能級(jí)1、2和3每一級(jí)之 ...

操作性芬。高應(yīng)變量子阱的高微分材料增益也可以提高內(nèi)部弛豫振蕩頻率峡眶。在室溫下，我們提出了創(chuàng)紀(jì)錄的高于12GHz的調(diào)制帶寬植锉，在85℃時(shí)降至10GHz辫樱，這將使數(shù)據(jù)速率分別達(dá)到17Gb/s，100-G以太網(wǎng)為12.5Gb/s俊庇。更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商狮暑，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器辉饱、光學(xué)測(cè)量設(shè)備搬男、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工彭沼、光通訊缔逛、生物醫(yī)療、科學(xué)研究姓惑、國防褐奴、量子光學(xué)、生物顯微挺益、物聯(lián)傳感歉糜、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝望众，培訓(xùn)匪补，硬件開發(fā)伞辛，軟件開發(fā)，系統(tǒng)集成等服務(wù)夯缺。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.auniont ...

AlGaAs量子阱組成赔桌。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應(yīng)變調(diào)整為壓縮應(yīng)變的2.5%（擬晶）芽突。這將提高增益和差分增益芭碍，從而實(shí)現(xiàn)低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對(duì)高溫行為進(jìn)行了優(yōu)化捏境。因此于游，可以得到負(fù)T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時(shí)閾值電流Min低垫言。這種效應(yīng)是由增益和腔模在溫度上的不同紅移引起的贰剥。由于BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導(dǎo)電材料，差分串聯(lián)電阻已達(dá)到40-50Ω筷频，非常適合高速器件蚌成。圖1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意圖。該裝置安裝在電鍍金假襯底上凛捏。在制造過程中去除InP襯底担忧。n-觸點(diǎn)和p-觸點(diǎn)都可以在頂部訪問。觸點(diǎn)板電容被Min化坯癣。寄生設(shè)備由于 ...

材料體系的多量子阱激光器瓶盛。該器件設(shè)計(jì)的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義的埋藏隧道結(jié)（BTJ）。這種結(jié)構(gòu)提供了電約束坡锡，減少了熱量的產(chǎn)生蓬网，在高溫下實(shí)現(xiàn)了出色的直流和射頻性能。這種激光器使用兩個(gè)介電DBR反射鏡鹉勒，而不是在VCSELs中傳統(tǒng)使用的半導(dǎo)體反射鏡帆锋。介質(zhì)材料之間的大折射率差使得實(shí)現(xiàn)具有高反射率的極薄dbr成為可能。隨后禽额，激光器具有非常短的諧振腔锯厢，約為2.5μm。這種短腔設(shè)計(jì)脯倒，加上對(duì)外延結(jié)構(gòu)实辑、臺(tái)面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優(yōu)化，有助于Max限度地提高高達(dá)18 GHz的射頻性能藻丢。結(jié)合低閾值電流剪撬，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調(diào)制。VCSEL輸出處的光學(xué)眼圖如圖1 (b)所示悠反。 ...

由七個(gè)重應(yīng)變量子阱（每個(gè)6納米寬）組成残黑，并具有針對(duì)高溫行為優(yōu)化的模式增益偏移馍佑。因此，可以得到負(fù)T0值梨水，即在較高溫度下閾值電流較低拭荤。這種效應(yīng)是由于增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此疫诽，利用這一效應(yīng)可以改善VCSEL器件的高溫性能舅世。InP是一種良好的熱導(dǎo)體，由n包層組成奇徒，通過更好地冷卻有源區(qū)域雏亚，也有助于實(shí)現(xiàn)高溫操作。這些激光器的混合后鏡由3.5對(duì)CaF2-ZnS和一層金組成逼龟∑滥孔徑為6um的器件在室溫下的輸出功率約為3mW。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V腺律。發(fā)現(xiàn)該頻譜為單模，在相關(guān)電流和溫度范圍內(nèi)宜肉，側(cè)模抑制 ...