中文：量子阱拨黔；英文：quantum well

DMD)己沛、多量子阱空間光調(diào)制器以及聲光調(diào)制器等。還可以用紫外光刻來制作特定的衍射光學(xué)元件來調(diào)制光場∨潦叮現(xiàn)在用的較多的是由計(jì)算機(jī)尋址的液晶空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)全息元件泛粹，通過改變?nèi)⒃涂梢允沟盟纬傻墓廒遄鲃?dòng)態(tài)變化。在計(jì)算機(jī)出現(xiàn)之前肮疗，需要采用激光全息的方法形成有限形狀的全息圖晶姊。目前在計(jì)算機(jī)的輔助下，可以實(shí)現(xiàn)任意形狀的全息圖伪货。不過们衙，每實(shí)現(xiàn)一種新設(shè)計(jì)的光阱，都需要重新計(jì)算相應(yīng)的全息圖碱呼。隨著計(jì)算機(jī)速度的不斷刷新以及新的算法的出現(xiàn)蒙挑，在一般的科研實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)可以很容易實(shí)現(xiàn)任意形狀的全息光鑷。原則上全息光鑷可以產(chǎn)生任意形狀愚臀、大小忆蚀、數(shù)量的光阱。通過改變捕獲光的相位分布，可以使捕獲粒子在光阱中按設(shè)定的路線運(yùn)動(dòng)馋袜，為實(shí)現(xiàn) ...

石墨烯如上圖所示為韓國東國大學(xué)Woochul Yang教授的研究工作男旗，為探究納米顆粒裝飾的石墨烯的摻雜濃度和穩(wěn)定性，采用顯微拉曼系統(tǒng)（Xper Ram200）測試了它們的拉曼光譜欣鳖。圖中分別為原始石墨烯和摻雜不同濃度Mn3O4顆粒的石墨烯的拉曼光譜圖察皇，展示了具有D，G和2D峰特征的原始石墨烯和摻雜石墨烯的拉曼光譜的演變泽台。D峰（ω~1350cm-1）是石墨烯的無序振動(dòng)峰什荣，只有當(dāng)缺陷存在時(shí)才能被激活。G峰（ω~1580cm-1）是sp2碳原子面內(nèi)振動(dòng)引起的怀酷，通常與應(yīng)力有關(guān)稻爬，因此可用來反映石墨烯層數(shù)。2D峰是雙聲子共振二階拉曼峰胰坟，用來反映多層石墨烯的堆垛方式因篇。二硫化鉬MoS2如上圖是首爾國立大學(xué)Tak ...

過在半導(dǎo)體多量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)的重復(fù)堆棧中使用子帶間躍遷實(shí)現(xiàn)的。這個(gè)想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導(dǎo)體中放大電磁波的可能性”中提出的笔横。在塊狀半導(dǎo)體晶體中，電子可能占據(jù)兩個(gè)連續(xù)能帶中的一個(gè)——價(jià)帶咐吼，其中大量填充著低能電子吹缔；導(dǎo)帶，其中少量填充著高能電子锯茄。這兩個(gè)能帶被一個(gè)帶隙隔開厢塘，在這個(gè)帶隙中沒有允許電子占據(jù)的狀態(tài)。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光二極管肌幽，當(dāng)導(dǎo)帶中的高能量電子與價(jià)帶中的空穴重新結(jié)合時(shí)晚碾，通過單個(gè)光子發(fā)出光。因此喂急，光子的能量以及激光二極管的發(fā)射波長由所使用的材料系統(tǒng)的帶隙決定格嘁。然而，QCL在其光學(xué)活性區(qū)不使用塊半導(dǎo)體材料廊移。相反糕簿，它由一系列周期性的不 ...

是通過超晶格量子阱[1]內(nèi)能級(jí)間的子帶間躍遷來實(shí)現(xiàn)的。自1994年首次實(shí)驗(yàn)演示以來狡孔，QCL技術(shù)得到了巨大的發(fā)展懂诗。這些性能水平是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料質(zhì)量和制造技術(shù)不斷改進(jìn)的結(jié)果[3-5]苗膝。目前殃恒，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內(nèi)的激光源，并在氣體傳感、環(huán)境監(jiān)測离唐、醫(yī)療診斷病附、安全和國防[6]中有許多應(yīng)用。西北大學(xué)量子器件中心(CQD)的目標(biāo)是推進(jìn)光電技術(shù)侯繁，從紫外到太赫茲光譜區(qū)域胖喳。這包括基于III-V半導(dǎo)體的許多不同技術(shù)的發(fā)展[7,8]。自1997年以來贮竟，CQD在量子級(jí)聯(lián)激光器QCL的發(fā)展上投入了相當(dāng)大的努力丽焊，特別是在功率、電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)咕别、單模操作技健、調(diào)諧和光束質(zhì)量方面，推動(dòng)QCL ...

非對稱半導(dǎo)體量子阱中子帶間位移電流的單周期太赫茲脈沖簡介：展示了一種源自電子位移電流的非對稱半導(dǎo)體量子阱中的新型超快非線性光學(xué)響應(yīng)惰拱，由飛秒中紅外脈沖引起的共振子帶間激發(fā)引起電子電荷的瞬態(tài)空間位移雌贱，從而引起單周期太赫茲脈沖的發(fā)射。作者：Matthias Runge, Taehee Kang, ...Thomas Elsaesser鏈接：https://doi.org/10.1364/OPTICA.438096RESEARCH ARTICLES1.標(biāo)題：在活體皮層中通過精確和有針對性的激光消融探測神經(jīng)元功能簡介：開發(fā)了一種放大飛秒激光耦合雙光子顯微鏡系統(tǒng)偿短，該系統(tǒng)允許對單個(gè)細(xì)胞進(jìn)行瞬時(shí)和有針對性的消 ...

頂部涂層的多量子阱SESAM欣孤，獲得高飽和通量Fsat=142?J/cm2，調(diào)制深度?R=1.1%昔逗。(b)激光輸出功率和脈沖持續(xù)時(shí)間隨總泵浦功率的變化降传。圖1(a)顯示了我們的自由運(yùn)行雙光頻梳激光腔的布局。我們使用多模泵浦二極管和端泵浦腔結(jié)構(gòu)勾怒，類似于我們之前報(bào)道的偏振復(fù)用雙梳狀激光器的配置[20,21]婆排。然而，與過去的報(bào)道相反笔链，在有源元件段只，即增益晶體和半導(dǎo)體飽和吸收鏡(SESAM)上的空間分離是通過插入一個(gè)具有高度反射涂層的雙棱鏡來獲得的。通過使用一個(gè)頂角179°的雙棱鏡鉴扫，我們獲得了在增益介質(zhì)上模式分離1.6 mm和在SESAM上模式分離1 mm赞枕。圖1(b)顯示了掃描泵浦功率時(shí)單個(gè)光梳的性能。該孤 ...

是增益材料（量子阱或量子點(diǎn)）還是高反射鏡（分布式布拉格反射鏡幔妨，DBR）鹦赎。通常，增益的光譜寬度為幾十納米误堡，并且可以很容易地通過改變增益層的組成來改變古话，原則上從近紫外到中紅外。通常锁施，它們必須在比Yb對應(yīng)物更高的泵浦功率密度下運(yùn)行陪踩，這使得通過更大的泵浦光斑來實(shí)現(xiàn)功率縮放變得更加困難杖们。一個(gè)圓盤的功率記錄在接近1μm的波長下約為100W，這是使用InGaAsQW實(shí)現(xiàn)的肩狂。更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商摘完，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器傻谁、光學(xué)測量設(shè)備孝治、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工审磁、光通訊谈飒、生物醫(yī)療、科學(xué)研究态蒂、國防杭措、量子光學(xué)、生物顯微 ...

,Ga)As量子阱(QW)系統(tǒng)中钾恢，約束勢迫使價(jià)帶中重空穴態(tài)的軌道角動(dòng)量和自旋角動(dòng)量向垂直于QW平面的面外方向運(yùn)動(dòng)手素。此外，約束提升了Γ-point處重空穴態(tài)和輕空穴態(tài)的簡并性瘩蚪，將輕空穴帶移至較低能量處(見圖1)泉懦。考慮到這兩個(gè)因素疹瘦，只有面外極化重空穴才能促進(jìn)與導(dǎo)電帶電子的復(fù)合過程祠斧。這對磁光過程有重大影響。在平面內(nèi)極化電子的情況下拱礁，自旋極化角動(dòng)量守恒阻止了在具有明確螺旋度的圓偏振光發(fā)射下具有重空穴的電子的復(fù)合。相反辕漂，只有線偏振光才能被探測到呢灶。圖1.(Al,Ga)As/ GaAs/(Al,Ga)As量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖。Ene表示導(dǎo)電帶中電子的量子化能態(tài)钉嘹。enh和Enlh分別是價(jià)帶中重空穴和輕空穴的能 ...

誤差。在基于量子阱的霍爾板中跋涣，平面霍爾效應(yīng)很弱缨睡，但問題依然存在。為了解決這個(gè)問題陈辱，在一個(gè)點(diǎn)上檢測三個(gè)方向的磁性奖年。SENIS開發(fā)了一種劃時(shí)代的“完全集成3軸磁傳感器”，使之成為可能沛贪。這就是“完全集成的三軸磁傳感器”陋守。該傳感器可以在所有情況下測量精確的3D矢量震贵，例如永磁體的鄰近磁場、小線圈產(chǎn)生的磁場和時(shí)間變化水评，這在過去是不可能的猩系。圖1.傳統(tǒng)的霍爾片3軸探頭（左）和SENIS完全集成3軸磁傳感器（右）3軸磁性探頭的配置傳統(tǒng)的霍爾片3軸探頭SENIS完全集成3軸磁傳感器磁化位置3個(gè)位置一個(gè)位置（單點(diǎn)）磁感應(yīng)位置的錯(cuò)位量取決于傳感器位置（約0.5mm~10mm）無錯(cuò)位傳感器的相對角度誤差通常不標(biāo)注（過大 ...

基于“兩步”耦合的寬電壓可調(diào)量子級(jí)聯(lián)激光器在之前的研究中，基于反交叉垂直和對角躍遷以及光子輔助對角躍遷的主流QC激光器設(shè)計(jì)的電壓可調(diào)性中燥，所有設(shè)計(jì)都顯示電壓可調(diào)的EL寇甸。然而，基于反交叉垂直躍遷和光子輔助對角躍遷的激光器不能在閾值以上調(diào)諧疗涉，而基于反交叉對角躍遷有源區(qū)的激光器在80 K時(shí)的調(diào)諧范圍在閾值以上約30 cm?1拿霉，遠(yuǎn)小于EL在相同電壓范圍內(nèi)的60-70 cm?1。激光器調(diào)諧范圍小的原因在于驅(qū)動(dòng)電子穿過有源區(qū)的受激輻射在傳統(tǒng)的QC激光器設(shè)計(jì)中博敬，大部分電子都聚集在z低注入態(tài)和z高激光態(tài)友浸。在閾值以下，電子主要通過縱向光學(xué)LO聲子散射穿越有源區(qū)偏窝。在閾值以上收恢，隨著腔內(nèi)的光強(qiáng)變得越來越強(qiáng)，電子通過受激 ...