-14 um光譜區(qū)域的光(圖2)所意。圖2ChemPen?背后的MEMS引擎是在桑迪亞guo家實驗室的SUMMiT-V制造工藝中制造的，Albuquerque, NM催首，由五層多晶硅組成扶踊，每個多晶硅層之間具有中間犧牲氧化物，并且具有小于0.25 um間隙的旋轉部件的特定功能郎任。后處理包括粘結墊和微量金屬化秧耗，骰子，臨界點干燥舶治，鏡面金屬化后釋放分井，以盡量減少固定和移動鏡的曲率變化。ChemPen?目前是手工組裝霉猛，但批量組裝技術正在開發(fā)中尺锚。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.wjjzl.com/three-level-280.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián) ...
了在中遠紅外光譜區(qū)域達到所需的反射率惜浅，靜止和移動的鏡子都需要涂上大量的金屬缩麸，特別是金(Au)。過去，在氫氟酸(HF)中釋放之前和之后杭朱，確定了典型晶圓級鏡面金屬化的兩個主要技術挑戰(zhàn):(1)由于與必要的粘附促進劑相關的額外殘余應力阅仔，鏡面曲率大幅增加;(2)電子電偶腐蝕，在HF水中弧械，金和多晶硅之間的電極電位差導致多晶硅鏡面優(yōu)先腐蝕八酒，從而產生顯著的結構不穩(wěn)定和晶粒結構擴大。圖1為了應對這些挑戰(zhàn)刃唐，ChemPen?開發(fā)了一種可替代的釋放后金屬化技術羞迷，該技術消除了高壓粘附層的使用，進一步為電子電偶腐蝕提供了基本解決方案画饥。使用定制的陰影掩模組件實現(xiàn)精確對準的批量金屬化衔瓮，該組件允許通過運動耦合在頂部陰影掩模和底 ...
示，在可見光光譜區(qū)域(530 nm左右)抖甘，拉曼輻射和熒光輻射較高热鞍，但在近紅外光譜范圍內則降低。圖1圖1也可以擴展到更短的波長衔彻，即紫外光譜范圍薇宠，在很短的波長下，熒光不再是問題艰额，但紫外激光產生的樣品降解的風險增加了澄港。在可用拉曼散射量和熒光減少量之間的一個常見的實際折衷是使用785 nm激光激發(fā)波長和相應的拉曼光譜儀設置。然而柄沮，這種設置可能不適用于高熒光樣品回梧，正如下面TG拉曼回顧的應用和擴展部分所討論的那樣。根據Perrin-Jablonski分子能級圖祖搓，熒光過程本身是由發(fā)生在不同時間的激發(fā)漂辐、轉換和發(fā)射決定的。有以下三個階段:(i)通過重新輻射光子激發(fā)熒光團分子棕硫，這在飛秒內發(fā)生;(ii)在大約相同的 ...
本文所研究的光譜區(qū)域相對無干擾髓涯。通過采用智能電網獲得的檢測靈敏度只有適度（約1:5倍）的提高，這進一步證明了這一點哈扮。這需要與我們在現(xiàn)實環(huán)境中檢測TATP的結果進行對比纬纪。研究的7:5 μm附近的光譜區(qū)域，水蒸氣吸收表現(xiàn)出臨界干擾滑肉。因此包各，只需改進我們的智能電網選擇程序，就可以將現(xiàn)實空氣中的TATP檢測靈敏度提高3倍以上（從58 ppb提高到18 ppb）靶庙。然而问畅，即使有了改進的智能電網，我們也離CDA所能達到的靈敏度相對較遠，即1 ppb左右护姆。如前所述矾端，靈敏度只是一個性能參數，是重要的任何傳感器的操作卵皂。更重要的是秩铆，這種傳感機制能夠分辨出真實環(huán)境中存在的無數其他微量氣體的光吸收所引起的干擾，從而避免明 ...
2.5μm的光譜區(qū)域對光學通信具有重要價值灯变，因為它比傳統(tǒng)光通信C波段（1550nm）具有更多優(yōu)勢殴玛。因此開發(fā)這個波段的量子源和測量能力至關重要。由Matteo Cleric博士的格拉斯哥研究小組于2019年使用Covesion的PPLN晶體添祸，展現(xiàn)了不可區(qū)分的2.1μm光子對以及偏振糾纏的生成和表征滚粟。而在2021年，Adetunmise Dada博士的團隊在二階非線性晶體中通過自發(fā)參量下轉換（SPDC）刃泌，實現(xiàn)了近乎Max的糾纏凡壤。在研究中，他們同樣使用了Covension的PPLN晶體蔬咬，切割長度分別為1和0.3mm，用于0型和2型的相位匹配沐寺。這些晶體具有不同的極化周期林艘，并在不同的溫度下進行測試，以確 ...
量子級聯(lián)激光器：長波紅外（λ>6 μm）的設計qcl今天能夠在λ = 3-24 μm范圍內發(fā)光混坞，并且z近已經引入到太赫茲域狐援，可能導致光電集成的新水平由于有可能利用為電信/數據通信組件市場開發(fā)的已經成熟的InP和GaAs技術，qcl已經顯示出令人印象深刻的快速技術發(fā)展究孕。自1994年成立以來啥酱，2QC激光器僅在幾年后就實現(xiàn)了室溫（RT）脈沖操作，并在2008年實現(xiàn)了連續(xù)（CW） RT操作厨诸。由于不斷推動這項技術的工業(yè)化镶殷，由Cho首創(chuàng)的分子束外延（MBE）進行的初始材料開發(fā)工作近年來已擴展到更標準的工業(yè)平臺，用于材料生長微酬，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經迅速達到了與 ...
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