單色入射光（圓偏振光與線偏振光)來激發(fā)由電極電位控制的電極表面，然后測定出散射得到的光譜信號轨蛤，如頻率蜜宪、強度及偏振性能變化與電極的電位或者電流強度的變化關系。在位傅里葉紅外光譜儀法(FTIRS)是由Bewick等人在20世紀80年代早期首創(chuàng)的祥山。在位傅里葉變換紅外光譜儀可以獲取電極上中性和離子吸附物的分子信息圃验，以及參與電化學反應的溶液種類。大量的研究已將在位FTIRS由光滑的表面向粗糙的表面擴展缝呕，由靜態(tài)條件向動態(tài)條件擴展澳窑，由水相系統(tǒng)向非水相系統(tǒng)擴展。利用在位FTIRS技術可以得到的電化學雙分子層等圖像信息供常，達到對電催化反應以及帶電界面過程更深刻的理解摊聋。圖1-11兩種在位FTIRS電池設計圖兩種在位 ...
現(xiàn)的，平面內圓偏振光源具有接近帶隙能量分離的光子能量栈暇。這將在半導體中產(chǎn)生凈非平衡自旋取向具有適當?shù)淖孕窆鈱W躍遷的系統(tǒng)麻裁。當系統(tǒng)松弛時，會有一個優(yōu)先的自旋方向源祈，這將表現(xiàn)為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差煎源。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化香缺，P = (I+?I?)/(I+ + I?)手销。描述半導體P的穩(wěn)態(tài)速率方程為：式中P0為激發(fā)時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命赫悄。這種極化可以在磁場中進一步研究原献。事實上，對于相對于樣品施加的面外場埂淮，塞曼效應將分裂自旋水平姑隅。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光倔撞，這一結果可用于研究磁場與材料中載流子自旋的耦合程度讲仰。注意，復合壽命與自旋壽命的 ...
在的情況下痪蝇，圓偏振光入射產(chǎn)生凈自旋不平衡鄙陡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發(fā)射之間的強度差異冕房，則自旋優(yōu)先定向到一個自旋狀態(tài)。在第三種情況下趁矾，圓偏振光將是觀察到的自旋不平衡的唯yi原因耙册。因此，它將提供系統(tǒng)中存在OISO的明確證據(jù)毫捣。圖1.a)在低溫無磁場條件下详拙，4L硅片線性泵(左)和圓形泵(右)極化PL的測量強度。尖峰是1.67 eV泵浦激光濾波后的殘余物蔓同。b)說明了描述穩(wěn)態(tài)極化PL測量中潛在測量結果的三種機制饶辙。在圖1a中，實驗驗證了偏振相關的光學選擇規(guī)則斑粱，InSe中的主帶隙顯示為4L弃揽。在沒有磁場和線極化泵的情況下，發(fā)射強度沒有差異(無Polz)则北。然而矿微，當入射光為圓偏振光(σ+)時，兩種發(fā)射的螺旋 ...
gma(-)圓偏振光尚揣，Mj變化為+1的躍遷產(chǎn)生sigma(+)圓偏振光冷冗。在外磁場中自旋能級的塞曼分裂可以用光譜測量，并且通過使用極化來獨立分離sigma(-)和sigma(+)躍遷變得更容易惑艇。同時記錄了鎘的4種不同原子躍遷的塞曼分裂，并證明了它們具有不同的自旋-軌道耦合拇泛。天體光子學太陽光譜是豐富而復雜的滨巴，結合了連續(xù)光譜和許多吸收線。對這些特征的分析提供了有關太陽成分俺叭、溫度和活動的寶貴信息恭取，有助于我們對太陽和恒星物理的理解。下面的圖顯示了350 nm寬的太陽光譜熄守，其中有顯著特征(例如鈉重態(tài)和h - α)蜈垮。當單模光纖指向太陽時，捕獲了光譜裕照。3. 高分辨率中階梯光柵光譜儀RS40K的應用下圖展示了R ...
括線偏振光攒发、圓偏振光、橢圓偏振光等晋南，覆蓋所有可能的偏振態(tài)惠猿。它通常結合了多個光學元件，如偏振器负间、波片偶妖、旋光器和相位調制器等姜凄，通過調節(jié)這些元件可以靈活地控制和產(chǎn)生各種偏振態(tài)。全偏振發(fā)生器的實現(xiàn)方案有多種趾访，如基于波片态秧、電光調制器、聲光調制器扼鞋、旋光材料申鱼、矢量光束等的方案，本文我們著重介紹幾種基于波片的方案藏鹊。1.旋轉起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)如圖1所示為旋轉起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)的示意圖,它包括一個可旋轉的起偏器P,它的透光軸位于角度θ處;一個可旋轉的1/4波片R,其慢軸方向位于角度φ處,這一裝置也稱作塞拿蒙(Sénarmont)補償器润讥。1/4波片前后表面的偏振電場矢量分別用E和E' ...
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