的全自 動橢圓偏振光譜系統(tǒng)研究[J]. 紅外與毫米波學(xué)報, 2003, 22(1): 45-50.3陳修國, 袁奎, 杜衛(wèi)超, 等 . 基于 Mueller 矩陣成像橢 偏儀的納米結(jié)構(gòu)幾何參數(shù)大面積測量[J]. 物理學(xué)報, 2016, 65(7): 070703.4王戰(zhàn)會, 靳剛 . 光學(xué)橢偏成像技術(shù)在生物分子研究中 的應(yīng)用[J]. 生物工程學(xué)報, 2000, 16(4): 429-432.5包學(xué)誠 . 橢偏儀的結(jié)構(gòu)原理與發(fā)展[J]. 現(xiàn)代科學(xué)儀 器, 1999(3): 58-61.6張恒 . 基于光度法及混合法的自動橢偏儀研究[D]. 廣州: 華南師范大學(xué), 2005: 21-307崔高增 ...
板)粹舵，它將橢圓偏振光轉(zhuǎn)換為平面偏振光，以實(shí)現(xiàn)zui佳對比度調(diào)整蓖宦。它們在垂直入射處是zui強(qiáng)的，在垂直入射處油猫，面內(nèi)域的克爾對比是不可能的稠茂。如果將具有相似疇相的透明材料在透射中成像，將觀察到相同的對比度特征，但現(xiàn)在在法拉第睬关，透射Voigt和透射梯度效應(yīng)中诱担。在圖1中，選擇垂直入射的垂直磁化石榴石膜來表示法拉第效應(yīng)电爹，因?yàn)檫@種極性幾何結(jié)構(gòu)在法拉第顯微鏡中zui常用蔫仙。圖1圖1綜述了可用于磁疇成像的四種傳統(tǒng)磁光效應(yīng)。從左到右依次為:效應(yīng)名稱及其發(fā)現(xiàn)年份丐箩、光學(xué)描述摇邦、對磁化矢量M的靈敏度、作者和首次應(yīng)用于成像的年份屎勘，以及光學(xué)偏光顯微鏡的典型對比外觀施籍。疇圖像取自具有垂直各向異性的單晶石榴石薄膜(上排)和厚度為0. ...
Ay時，表示圓偏振光概漱。當(dāng)位相差是上述以外的其他情況丑慎，偏振態(tài)的矢量方向是橢圓，這種偏振稱為橢圓偏振瓤摧。(3)雙折射雙折射有兩個折射率竿裂，即在不同偏振方向光波傳播速度不同≌彰郑可以這樣理解腻异，不同方向的偏振光傳播的過程中，所走過的路程折射率不同产喉，速度不同捂掰，因此也就引入了延遲。1.3雙折射延遲示意圖光傳播速度快的方向稱為快軸曾沈，光傳播速度慢的方向稱為慢軸这嚣。快軸和慢軸都是主軸塞俱。另外姐帚，具有雙折射的樣品稱為各向異性的物質(zhì)還有一些不具有雙折射的，例如玻璃障涯，稱為各向同性的物質(zhì)罐旗。那么，需要確定雙折射的位相差大小和主光軸方向唯蝶，以便測量樣品的內(nèi)部信息九秀。(4)偏振態(tài)的表示偏振態(tài)可以用瓊斯矢量，Stokes參數(shù)粘我，龐加萊球三者表示鼓蜒， ...
該模型基于左圓偏振光和右圓偏振光與固體中的經(jīng)典電子振子的耦合方式不同的觀點(diǎn)痹换。德魯?shù)?1900a, 1900b)進(jìn)一步擴(kuò)展了理論。對MO效應(yīng)的基本認(rèn)識隨著量子力學(xué)的發(fā)展而增長都弹。Hulme(1932)和Halpern(1932)首先提出法拉第效應(yīng)是由自旋-軌道(SO)耦合下的自旋極化電子運(yùn)動引起的娇豫。休姆在他的考慮中使用了克拉默斯-海森堡色散方程，該方程根據(jù)電偶極子算子的能量特征值和矩陣元素給出了折射率(克拉默斯和海森堡1925)畅厢。他通過考慮SO誘導(dǎo)的能量特征值分裂來解釋左圓偏振光和右圓偏振光折射率的差異冯痢，但忽略了SO耦合對波函數(shù)的影響。Kittel(1951)認(rèn)為框杜，SO耦合對波函數(shù)的影響可以產(chǎn)生同 ...
求和規(guī)則將左圓偏振光和右圓偏振光的x射線吸收光譜與材料中特定元素的自旋和軌道矩聯(lián)系起來浦楣。因此，可以獲得元素的特定信息霸琴，這是超出價帶MO光譜的巨大優(yōu)勢椒振。盡管在推導(dǎo)求和規(guī)則時涉及了大量的近似，但它們在實(shí)踐中是令人信服的梧乘。獲得自旋或軌道矩的精度約為10%至20%澎迎，但有時只有50%。Altarelli(1997)討論了各種x射線MO效應(yīng)选调。在標(biāo)準(zhǔn)MO克爾實(shí)驗(yàn)中檢測到的反射光的頻率與入射光的頻率相同夹供。然而，可能存在一小部分以雙倍頻率反射的光仁堪。這被稱為二次諧波產(chǎn)生哮洽，或者，更一般地弦聂，作為非線性光學(xué)鸟辅。對于中心對稱介質(zhì)，當(dāng)反演對稱性被破壞時莺葫，會產(chǎn)生二次諧波匪凉。Pan等人(1989)預(yù)測，在磁性表面層的情況下捺檬，二次諧 ...
再层，線偏振光和圓偏振光都可以認(rèn)為是橢圓偏振光的特例。對上面的兩個公式進(jìn)行運(yùn)算可以得到一般橢圓偏振光的軌跡方程：標(biāo)準(zhǔn)橢圓方程的形式含有半長軸a和半短軸b,表示為：將上式圍繞坐標(biāo)軸旋轉(zhuǎn)一個角度ψ得到：然后把兩個分量帶入上面兩個橢圓方程可以得到：從這個方程組可以獲得偏振橢圓的長半軸取向角ψ：偏振橢圓的形狀可以用橢圓率來表示堡纬，橢圓率就是橢圓短半軸長度與長半軸長度的比值：其中-1<e<1.用橢圓率角來表示橢圓聂受，如:通過引入輔助角σ(O≤σ≤w/2),橢圓率角和取向角又可以表示為：若給出了兩個相互垂直的振蕩矢量的振幅比值和相位差,可以通過上式計算獲得橢圓長半軸的取向角ψ和橢圓率角ε，進(jìn)而確定光的 ...
發(fā)展烤镐，紅外橢圓偏振光譜(IRSE)作為表征納米結(jié)構(gòu)的一種強(qiáng)有力的工具蛋济，特別是自組裝單分子膜(SAMs)的表征上，已得到極大的發(fā)展炮叶。與傳統(tǒng)的傅里葉變換紅外反射吸收光譜(FT-IRRAS)相比碗旅，IRSE在測定高反射率波長區(qū)域內(nèi)的介電函數(shù)(低至單分子層厚度)方面具有優(yōu)勢鹊杖。另外，IRSE表征比FT-IRRAS表征有更多的實(shí)驗(yàn)參數(shù)扛芽，可以獲取薄膜樣品的更多信息。圖1-3為利用橢偏儀在位監(jiān)控微晶mc-Si:H薄膜在ZnO襯底的生長积瞒。生長模型為島狀生長川尖，因此在生長過程中，表面較為粗糙茫孔，通過模型構(gòu)建可以獲取薄膜表面粗糙度隨時間演變和生長速率和生長模式叮喳。圖1-3薄膜生長過程中表面的粗糙度隨著時間的演變1.3.2監(jiān) ...
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