系數(shù)一樣存在紅移現(xiàn)象。圖4-7(b域蜗，d)是不同沉積時間下測得的介電常數(shù)虛部巨双，隨著時間的變化，值發(fā)生變化霉祸。當(dāng)沉積時間為180s的時候筑累，在500-800nm的長波范圍，其值大概從襯底的0增加到4丝蹭，同樣也意味著新的物質(zhì)沉積慢宗，導(dǎo)致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s時奔穿，和180s比镜沽，出現(xiàn)了兩個比較明顯的波包，大約在400nm和590nm附近巫橄。當(dāng)沉積時間增加到540s之后淘邻，的值隨著波長減小，在600nm到800nm波段接近0湘换，且在470nm和550nm附近出現(xiàn)了波包。沉積時間為720s時，其變化和360s一致彩倚，但是出現(xiàn)的波包位置大概在400nm和550nm附近且波包變得更大筹我。當(dāng)時間為900s時，在3 ...
邊緣有明顯的紅移帆离，高達幾十納米蔬蕊，并伴有分布在樣品表面上的小點。中心波長在內(nèi)邊緣的偏移可歸因于圖案化過程中材料本身的強烈退化哥谷。 然而岸夯，對于劃線表征，內(nèi)邊緣起著相當(dāng)小的作用们妥。有趣的是猜扮，散布在樣品表面的小紅移點可以得出有關(guān)材料去除過程的結(jié)論。顯然监婶，會發(fā)生臨界加熱和爆炸性沸騰旅赢，產(chǎn)生不協(xié)調(diào)凝結(jié)并廣泛分布在樣品表面的飛濺物。這個假設(shè)已經(jīng)在我們之前的研究和模擬中建立起來惑惶。圖1.(A煮盼，B）PL發(fā)射的局部中心波長的空間分辨圖像和(C，D）相應(yīng)的準(zhǔn)費米能級分裂（QFLS）带污。樣品分別在zui佳通量為1.36和2.31 J cm-2時通過 （A僵控，C）ns和（B，D）ps激光脈沖對樣品進行圖案化鱼冀。如果您對高光譜暗場顯微 ...
只是它發(fā)生了紅移报破。對不同沉積時間相互對比，180s的變化值比較小雷绢，且看起來和其他時間有差異泛烙，這可能是由于沉積薄膜厚度引起。時間增加到360s以后翘紊，的變化趨勢基本一致蔽氨，只是360s比其他時間的小，且隨著波長的增加其差別也變大帆疟。圖4-11擬合得到的不同沉積時間薄膜的300-500nm波段的(a)n鹉究、(b)k及介電常數(shù)(c)實部和(d)虛部2、長波范圍(500-800nm)圖4-12是模擬得到的各個沉積時間的介電常數(shù)實部和虛部相對于1s的變化Δ和Δ以及相對于180s的變化率踪宠。圖4-12(a)在300-600nm波段Δ為自赔，600-800nm波段Δ為正值，整體的變化趨勢柳琢。從圖4-12(b)來看Δ除了36 ...
時間的增加有紅移的趨勢绍妨。相對于180s润脸，介電常數(shù)實部和虛部相變化Δ和Δ以及變化率，反映出沉積體系在525-600nm波段對光的響應(yīng)存在跳變他去，可能由等離子體共振導(dǎo)致毙驯。其次，從擬合得到的中心能量知灾测，存在CU2O的E0A爆价、E0B、E0C媳搪、E0D铭段、E1A和E1B激子吸收峰，其能級壽命在10-16-10-14s秦爆。擬合計算得到的電導(dǎo)率在104S/m數(shù)量級序愚。zui后，對沉積厚度分析知鲜结，沉積速率會隨著時間會變化展运。CU2O薄膜沉積的生長方式可能是層狀生長和島狀生長。當(dāng)為層狀生長時算出平均沉積速率為0.34±0.05nm/s精刷，與之前假設(shè)的庫倫效率比拗胜，層狀生長的庫倫轉(zhuǎn)換效率為36%。但是層狀擬合曲線和擬合得到的厚度 ...
發(fā)射的藍移和紅移的輸出功率降低怒允。雖然可以通過溫度調(diào)諧來實現(xiàn)增益頻譜的移位埂软，但這并不廣泛適用于室溫操作的系統(tǒng)；因此纫事，需要其他策略來調(diào)整增益頻譜勘畔。本研究描述了調(diào)整QCL腔長以調(diào)諧增益譜±龌蹋空腔長度是一個簡單的后處理選擇參數(shù)炫七，因此非常適合于方便地調(diào)整QCL增益譜和選擇峰值增益波長。對于這里提出的QCL钾唬，波長選擇范圍足夠?qū)捦蚰模梢钥缭蕉趸嫉恼麄€振動-旋轉(zhuǎn)吸收特征CO2。設(shè)計的量子級聯(lián)激光器的中心發(fā)射頻率為2326 cm?14.3um抡秆。相應(yīng)的頻帶圖如圖1 A所示奕巍。活躍區(qū)和注入器一個周期的層序為26/17/22/18/19/19/18/21/17/21/15/27/15/38/11/13/36/14/ 3 ...
溫度上的不同紅移引起的儒士。由于BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導(dǎo)電材料的止，差分串聯(lián)電阻已達到40-50Ω，非常適合高速器件着撩。圖1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意圖诅福。該裝置安裝在電鍍金假襯底上匾委。在制造過程中去除InP襯底。n-觸點和p-觸點都可以在頂部訪問权谁。觸點板電容被Min化剩檀。寄生設(shè)備由于我們的VCSEL的寄生響應(yīng)可以通過一階等效電路很好地建模憋沿，包含松弛振蕩頻率裆赵，固有阻尼和寄生滾降的三極濾波器函數(shù)可以很好地建模我們的VCSEL響應(yīng)些椒，允許提取幾個固有參數(shù)。公式(1)中的常數(shù)項為激光器和探測器的量子效率差盡管參考其他設(shè)計中的器件在芯片直徑為28um時表現(xiàn)出優(yōu)異的高速性 ...
增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此拭嫁，利用這一效應(yīng)可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導(dǎo)體逞泄，由n包層組成铛漓，通過更好地冷卻有源區(qū)域，也有助于實現(xiàn)高溫操作砸民。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成抵怎。孔徑為6um的器件在室溫下的輸出功率約為3mW岭参。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V反惕。發(fā)現(xiàn)該頻譜為單模，在相關(guān)電流和溫度范圍內(nèi)演侯，側(cè)模抑制比至少為30dB姿染。為了與商業(yè)收發(fā)模塊兼容，該芯片被安裝在發(fā)射器光學(xué)組件（TOSA）中秒际。該模塊包含一個光隔離器和光纖耦合器悬赏。圖2顯示了高速1.55 ...
1傾斜。這種紅移現(xiàn)象是由于GO和PEDOT之間的π -π堆疊相互作用娄徊。在拉曼光譜中闽颇，紅色曲線中的 441 cm?1、1434 cm?1和1505 cm?1三個特征峰表明PEDOT成功合成寄锐。1343 cm?1和1590 cm?1的特征峰（黑色曲線）分別對應(yīng)SP2雜化碳原子的呼吸振動峰和碳環(huán)中SP2雜化原子的對稱拉伸運動峰兵多，即GO的特征峰（D和G）。同時锐峭，PEDOT在1434cm?1處(紅色曲線)的特征峰分配給Cα = Cβ對稱拉伸振動中鼠，PEDOT- Go樣品的拉曼光譜移動到1427 cm?1處(圖1C)。這種紅移現(xiàn)象表明沿癞，PEDOT聚合物轉(zhuǎn)變?yōu)轭愼问皆停瑥亩闺妼?dǎo)率增加。在PEDOT-GO的曲線 ...
D峰位有輕微紅移椎扬。詳細來說惫搏，石墨烯原始G峰移從1594cm?1移至 1582cm?1具温，而 O-Gr 的 2D 峰值從2676cm?1紅移至2683cm?1。G峰和2D峰的輕微紅移可能與石墨烯平面外的負偶極矩有關(guān)筐赔。這種負偶極矩會導(dǎo)致石墨烯的疏水性及其HOMO水平發(fā)生變化铣猩。此外，2450cm?1-光譜波段茴丰，可以分為D（1350 cm?1） 和D“振動模式（27250px?1）的組合达皿，表示強度的增加。這一觀察結(jié)果可以一致地通過C鍵鍵斷裂以產(chǎn)生微小的空位來解釋贿肩，這些空位會影響石墨烯聲子色散中K點附近的現(xiàn)有頻率峦椰。此外，這一特征可以誘導(dǎo)O-Gr成為均勻的薄膜汰规，并改善了空穴傳輸/注入汤功。通過FT-IR（圖1b ...
束，則散射的紅移冷卻激光將會增加溜哮，而當(dāng)原子在另一半周期內(nèi)遠離激光光束時滔金，散射將會減少。圖 2 中可以看到 CSU 團隊為實現(xiàn)這種互相關(guān)測量所使用的便捷實驗配置茂嗓。Moku 時間間隔與頻率分析儀本質(zhì)上通過反復(fù)測量檢測到的散射光子與離子阱驅(qū)動射頻信號的下一個過零交叉點之間的時間間隔餐茵，以此來進行離散光子散射信號的鎖定檢測。圖 2: Moku 時間間隔與頻率分析儀的互相關(guān)測量實驗示意圖在抛。離子上散射的光子信號經(jīng)過光電倍增管 (PMT) 后钟病，它會為每個檢測到的光子輸出一個 TTL 脈沖到 Moku 設(shè)備的輸入端口。實驗結(jié)果"Moku直觀的實時反饋刚梭，讓Sanner團隊能夠快速調(diào)整補償電場肠阱，實時查看調(diào) ...
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