）泵浦脈沖截珍、載流子壽命和所選探測器的限制。大多數(shù)商業(yè)上可用的太赫茲時域光譜儀（THz-TDS）使用PCA結(jié)合離軸拋物面鏡（OAPMs）作為基礎(chǔ)箩朴。緊湊和堅(jiān)固的THz-TDS的應(yīng)用迅速從第1個報(bào)道的水汽吸收表征的用例擴(kuò)展到其他研究學(xué)科岗喉，甚至包括（藝術(shù)）保護(hù)和考古學(xué)。到目前為止炸庞，對于THz-TDS成像钱床，只報(bào)道了多像素探測器的原型；圖像采集需要對樣本進(jìn)行連續(xù)掃描埠居，但不能提供實(shí)時數(shù)據(jù)查牌。然而，掃描THz-TDS為工業(yè)應(yīng)用中太赫茲成像的適應(yīng)鋪平了道路滥壕。g.漆面厚度測定方法纸颜。由于PCA的廣泛應(yīng)用，太赫茲成像非常有吸引力绎橘。例如懂衩，斯坦切夫等人。使用PCA進(jìn)行實(shí)時單像素成像金踪。他們通過數(shù)字微鏡設(shè)備調(diào)制太赫茲波束的方法 ...
減輕了與側(cè)向載流子擴(kuò)散相關(guān)的挑戰(zhàn)，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題牵敷，這些問題在逐點(diǎn)成像方法中經(jīng)常遇到胡岔。此外，根據(jù)物鏡的放大倍數(shù)枷餐，記錄的圖像可以跨越幾平方毫米靶瘸，從而便于全面分析。這里呈現(xiàn)的mapping是在激光zui大激發(fā)功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)怨咪，我們在這里觀察到輕微的空間變化屋剑。在接觸點(diǎn)和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值诗眨。zui大值和zui小值的差值在系統(tǒng)誤差范圍內(nèi)唉匾，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發(fā)現(xiàn)了輕微的空間變化匠楚，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合巍膘，驗(yàn)證了接觸處Δμ ...
o)可以激發(fā)載流子種群。當(dāng)這個種群松弛時芋簿，每個載流子都有相同的機(jī)會落在任意一個自旋狀態(tài)峡懈，因?yàn)檫@些狀態(tài)在能量上是簡并的。這導(dǎo)致沒有凈自旋不平衡(無Polz)与斤，并表現(xiàn)為等量的圓極化發(fā)射(σ+(?))肪康。當(dāng)施加磁場時，由于塞曼效應(yīng)撩穿，自旋能級被分裂磷支，導(dǎo)致自旋能級在能量上分離(塞曼)。當(dāng)這種情況發(fā)生時冗锁，更多的載流子將放松到能量較低的自旋態(tài)齐唆。這就產(chǎn)生了相反螺旋度的發(fā)射PL之間的強(qiáng)度差異。然而冻河，這兩個都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅(qū)動的箍邮。如果在沒有磁場存在的情況下，圓偏振光入射產(chǎn)生凈自旋不平衡叨叙，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發(fā)射之間的強(qiáng)度差異锭弊，則自旋優(yōu)先定向到一個自旋狀態(tài)。在第三種情況下擂错，圓偏振光將 ...
的變化會導(dǎo)致載流子濃度的變化爽醋，從而引起材料折射率和增益系數(shù)的改變蚁署，也會使激光器的發(fā)射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題蚂四，它是一款超低噪聲半導(dǎo)體激光器控制器光戈，一款集電流控制哪痰、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器久妆，集八大功能于一體晌杰，提供用于驅(qū)動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器筷弦，700kHz帶寬肋演；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz奸笤，直流至1MHz惋啃；帶有珀?duì)柼鸗EC驅(qū)動的溫度控制器；掃描振蕩器监右；一對高壓壓電驅(qū)動边灭；解調(diào)器（鎖相放大器）；微分光電探測器健盒；交流調(diào)制源绒瘦；伺服反饋回路濾波 ...
性，例如電荷載流子壽命長扣癣、擴(kuò)散長度長惰帽、光吸收強(qiáng) （104–105cm-1）、寬光譜范圍 （1.2–3.0eV） 的帶隙可調(diào)諧性父虑、極低的缺陷密度和高缺陷容限该酗、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應(yīng)用具有吸引力士嚎。近年來呜魄，實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的PSCs經(jīng)歷了功率轉(zhuǎn)換效率的巨大提升，達(dá)到25%以上莱衩，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內(nèi)爵嗅。然而，由于工藝的可轉(zhuǎn)移性和鈣鈦礦薄膜質(zhì)量的下降笨蚁，PSC的效率正在從實(shí)驗(yàn)室規(guī)模下降到大規(guī)模鈣鈦礦太陽能組件（PSM）睹晒，這限制了商業(yè)化，從而限制了PSC的實(shí)際應(yīng)用括细。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯(lián)互連中的應(yīng)用伪很。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細(xì)配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控 ...
持黑暗奋单，導(dǎo)致載流子向這些區(qū)域橫向擴(kuò)散锉试。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復(fù)合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區(qū)域擴(kuò)散辱匿。用于全局成像模式的均勻照明使得在現(xiàn)實(shí)條件下進(jìn)行PL實(shí)驗(yàn)成為可能键痛，z低可達(dá)一個相當(dāng)于太陽功率密度。預(yù)計(jì)儀器激發(fā)強(qiáng)度波動可達(dá)13%匾七。激發(fā)輻照度的變化將帶來PL發(fā)射的比例變化絮短，使這種效應(yīng)易于識別。此外昨忆，在儀器軟件的輔助下丁频，這些效應(yīng)將減少到可以忽略的min程度。圖1(a)展示了在CIGS沉積前邑贴，P1劃線和P2激光劃線區(qū)域的光學(xué)顯微照片和PL顯微照片在同一位置的直接比較席里。正如預(yù)期的那樣，P2激光槽周圍的金屬化區(qū)域沒有PL發(fā)射拢驾。關(guān)于P1燒蝕線上的CIGS材料的PL空間均勻性 ...
范圍遠(yuǎn)超光生載流子的遷移距離奖磁，可以很容易地理解SR熱效應(yīng)內(nèi)的CIGS區(qū)域不再是光活性的。作為參考繁疤，Brown通過電子束誘導(dǎo)電流（EBIC）報(bào)告了0.30到0.52μm的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度咖为。相應(yīng)地，Delamarre使用寬帶可調(diào)激光的光束誘導(dǎo)電流（LBIC）裝置繪制了1.09μm（標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.10μm）的載流子擴(kuò)散長度稠腊。上述陳述可以通過以下事實(shí)進(jìn)一步解釋：CIGS的部分損傷不會完全耗盡光致輻射復(fù)合躁染，而只會抑制它。熱誘導(dǎo)缺陷的逐漸增加將通過非輻射能量耗散途徑（如熱或紅外輻射）逐漸抑制光致輻射復(fù)合架忌。在這方面吞彤，Schultz報(bào)告了圖形線邊緣的CIGS成分的激光誘導(dǎo)變化，也是短程距離叹放。借助能量色散X射 ...
qcl中快速載流子動力學(xué)的研究饰恕。我們研究了中紅外探測脈沖通過飛秒近紅外泵浦脈沖調(diào)制的QCL的傳輸。與以往在低溫下使用光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調(diào)制QCL不同许昨，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對QCL傳輸?shù)恼{(diào)制懂盐。當(dāng)光子能量高于QW帶隙時，電子將從價帶被激發(fā)到導(dǎo)帶糕档，然后通過帶間躍遷放松回價帶莉恼。當(dāng)泵浦光子能量低于QW帶隙時，由于光子沒有足夠的能量速那，將不會發(fā)生帶間躍遷俐银。相反，在傳導(dǎo)帶較低的子帶中的電子將被激發(fā)到較高的子帶或連續(xù)區(qū)端仰。直接測量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關(guān)QCL增益調(diào)制的信息捶惜。圖1(a)顯示 ...
可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益荔烧，從而實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行吱七。為了降低空間電荷區(qū)的寄生電容汽久，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生踊餐。對于有源直徑為5μm的器件景醇，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）吝岭。應(yīng)該指出的是三痰，由于減少了散熱量，在大信號調(diào)制下窜管，熱滾轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移到更高的電流散劫。閾值電流分別低至1ma和2ma。由于這些器件的高耦合效率高達(dá)60%幕帆，因此可以實(shí)現(xiàn)高光纖耦合功率幅值获搏。頻譜顯示單模工作，側(cè)模抑制比在滾轉(zhuǎn)電流下超過40dB蜓肆。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特性颜凯；25℃下的光譜，IDC=14m ...
學(xué)諧振腔中的載流子和光子密度非常高仗扬，內(nèi)部調(diào)制行為表現(xiàn)出更高的阻尼症概，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此早芭，VCSELs的特點(diǎn)是具有較小的松弛振蕩超調(diào)彼城，可以補(bǔ)償寄生滾轉(zhuǎn)。在圖3中退个，可以在很寬的溫度范圍內(nèi)確定優(yōu)越的調(diào)制性能募壕。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz语盈，在55℃時為11GHz舱馅，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示刀荒。散點(diǎn)代表測量數(shù)據(jù)代嗤，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內(nèi)在參數(shù)缠借。在這里干毅，我們展示了先前和改進(jìn)設(shè)計(jì)的阻尼率與共振頻率fR平方的關(guān)系，提取了-因子和阻尼偏移泼返。通過速率方程分析硝逢，我們可以發(fā)現(xiàn)如下的相互關(guān)系：包括光子壽命、約束因子、增益渠鸽、增益導(dǎo)數(shù)和隨載 ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
