致較低的自由載流子吸收，這通常是QCL器件中大部分波導(dǎo)損耗的原因腥放。在這種相對(duì)較低的摻雜水平下泛啸，由于缺乏非常精確的校準(zhǔn)工具，可能很難將不同基團(tuán)之間的摻雜水平相關(guān)聯(lián)秃症，因此估計(jì)活性區(qū)摻雜水平的一種方便方法是比較QCL結(jié)構(gòu)中的Max隧道電流候址，因?yàn)樗c注入器中的摻雜水平成正比實(shí)際上，在本研究中种柑，Max隧穿電流密度約為1.35 kA/cm2岗仑，表明本研究中結(jié)構(gòu)的摻雜水平要低得多；這與本文文獻(xiàn)12中的3.8 cm?1和1.84 cm?1的內(nèi)部損耗是一致的——遺憾的是聚请，文獻(xiàn)中沒有光損耗報(bào)告荠雕。zui終，較低的光損耗導(dǎo)致室溫連續(xù)波閾值電流密度較低驶赏，約為0.83 kA/cm2炸卑，而相關(guān)文獻(xiàn)分別為1.53 kA/cm2和 ...
理性能，如高載流子遷移率煤傍、可調(diào)帶隙盖文、強(qiáng)光吸收率和柔韌性。其中蚯姆，MoS2具有可調(diào)諧的帶隙五续，這使得它比石墨烯具有更廣泛的應(yīng)用。隨著層數(shù)的減少龄恋，MoS2的帶隙從塊狀的1.29eV增加到單層的1.9eV疙驾，并變?yōu)橹苯訋丁Ｓ捎谠颖《蚧f的直接帶隙和強(qiáng)激子性質(zhì)篙挽，觀察到強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用荆萤。此外，這種材料在原子厚度上表現(xiàn)出優(yōu)異的機(jī)械柔韌性铣卡。這些特性使二硫化鉬在光電應(yīng)用链韭，特別是光電探測(cè)器方面表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)。近年來煮落，人們利用微機(jī)械剝離和化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備MoS2薄膜的光電探測(cè)器進(jìn)行了大量的研究敞峭。然而，微機(jī)械剝離的成品率低和可擴(kuò)展性差阻礙了MoS2光電探測(cè)器的實(shí)際應(yīng)用蝉仇。CVD被認(rèn)為是合成大面積M ...
e膜中產(chǎn)生的載流子的高分離效率旋讹。圖3.Bi2Te3和Bi2O2Te的拉曼光譜在制備過程中殖蚕，從Bi2Te3到Bi2O2Te的轉(zhuǎn)變也可以在拉曼光譜上觀察到，如上圖所示沉迹。Bi2Te3的經(jīng)典拉曼位移顯示在圖的下部顯示了在62.7睦疫、93.4、124.1和140.3 cm-1處的四個(gè)拉曼峰鞭呕，對(duì)應(yīng)于Bi2Te3的A11g蛤育，E2g，A1u和A21g葫松，與Bi2Te3相比瓦糕，圖3上部的拉曼光譜在較高波數(shù)處顯示了幾個(gè)新的峰值，例如300.7 cm-1（B1g）和433.6 cm-1(E2g）腋么，都是Bi2O2Te的特征峰值咕娄，而在低波數(shù)處的那些峰值已經(jīng)變得模糊。表明通過這種低溫工藝珊擂，可以有效的將Bi2Te3轉(zhuǎn)化為Bi2O ...
和平衡電荷-載流子傳輸現(xiàn)象圣勒。理想情況下，空穴界面層應(yīng)（i）易于制造未玻，（ii）在表面能方面與PEDOT：PSS HTL和活性層兼容灾而，（iii）具有能級(jí)適合的分子軌道（HOMO），以及（iv）表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性和高空穴傳輸率扳剿。從這個(gè)角度來看，石墨烯（Gr）因其可調(diào)功函數(shù)和良好的電導(dǎo)率昼激，比許多二維（2D）材料更受青睞庇绽。使用商業(yè)化學(xué)氣相沉積（CVD）石墨烯被認(rèn)為是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇。然而橙困，高電導(dǎo)率和電子空穴以及良好的電荷親和力反而會(huì)干擾器件中的電荷傳輸瞧掺。石墨烯的sp 2平面內(nèi)碳的惰性性質(zhì)不適合接受和傳輸空穴，導(dǎo)致在臨近界面的有機(jī)活性層處產(chǎn)生相當(dāng)大比例的電荷復(fù)合凡傅。為 ...
化造成介質(zhì)中載流子濃度變化辟狈，以及吸收因子變化，此外溫度還會(huì)影響內(nèi)部FP腔的參數(shù)夏跷。溫度對(duì)LD輸出頻率影響非常大哼转，如用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用（CR-R刻錄機(jī)）的典型AlGaAs二極管在25℃時(shí)的標(biāo)稱波長(zhǎng)為λ=784nm，dλ/dT斜率為-0.3nm/℃槽华。LD的溫度一般由反饋式溫控系統(tǒng)控制壹蔓，而且導(dǎo)熱材料溫度變化一般較慢。正因?yàn)闇囟日{(diào)制的靈敏度太高猫态，容易失調(diào)佣蓉，并且相應(yīng)速度較慢披摄，在激光器中一般只保持穩(wěn)定。如MOGLabs的外腔半導(dǎo)體激光器采用TEC溫控勇凭，并內(nèi)置溫度傳感器疚膊，可以將溫度穩(wěn)定在±1mK（根據(jù)控制器）。PZT電壓在外腔反饋激光器中虾标，使用PZT（壓電陶瓷）控制光柵的旋轉(zhuǎn)酿联，從而控制激光輸出的波長(zhǎng)。小信號(hào)調(diào)制 ...
原因包括自由載流子和子帶間吸收導(dǎo)致的光損耗增加夺巩，以及材料中波長(zhǎng)增加導(dǎo)致的光約束減少贞让。事實(shí)上，根據(jù)αel ~ λn柳譬，自由電子吸收隨波長(zhǎng)的增加而增加喳张，其中功率依賴性在n = 2 ~ 3范圍內(nèi)，而隨著躍遷能量的降低美澳，子帶間吸收變得更強(qiáng)销部，這是由于活性材料注入/弛豫區(qū)低能態(tài)之間的躍遷所需的動(dòng)量交換比高能躍遷更小。對(duì)于光約束制跟，如果考慮有效折射率近似為n = 3.2的材料中的波長(zhǎng)舅桩，則λ = 4.5 μm和λ = 10 μm的自由空間激光波長(zhǎng)分別可以估計(jì)出λ/n = 1.4和3.1 μm。由于器件的幾何形狀以及制造和設(shè)計(jì)的限制雨膨，典型的主動(dòng)導(dǎo)芯厚度在DAR = 1.5 ~ 2.5 μm范圍內(nèi)擂涛。因此，λMWIR/ ...
效的自旋極化載流子將進(jìn)一步減少聊记。而SOT通常只有在重金屬厚度大于自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)才表現(xiàn)出明顯的自旋霍爾效應(yīng)撒妈。檢測(cè)到的動(dòng)態(tài)DW運(yùn)動(dòng)可能歸因于RKKY有效場(chǎng)與SAF中內(nèi)置的層間耦合場(chǎng)之間的競(jìng)爭(zhēng)。簡(jiǎn)單地說排监，當(dāng)脈沖電流產(chǎn)生焦耳加熱調(diào)制RKKY有效場(chǎng)時(shí)狰右，作用在DW上的有效場(chǎng)的振幅和極性都會(huì)發(fā)生變化，從而驅(qū)動(dòng)DW的往復(fù)運(yùn)動(dòng)舆床。如圖3a所示棋蚌，在環(huán)境下，RKKY有效場(chǎng)隨外加電流的變化而變化挨队。電流對(duì)RKKY有效場(chǎng)有顯著的調(diào)節(jié)作用谷暮，呈拋物線相關(guān)。此外瞒瘸，我們還發(fā)現(xiàn)RKKY有效場(chǎng)與電流的平方呈線性關(guān)系坷备，并證實(shí)了電流產(chǎn)生的焦耳熱在調(diào)整RKKY相互作用中起著直觀而關(guān)鍵的作用。從圖3b可以進(jìn)一步看出情臭，非焦耳熱致轉(zhuǎn)矩場(chǎng)強(qiáng)度小于5 ...
由于其優(yōu)越的載流子遷移率和在原子尺度厚度上的有效靜電柵能控性省撑，TMDs和Xene將是下一代電子領(lǐng)域很有前途的候選者赌蔑。然而當(dāng)前二維材料的合成技術(shù)依舊面臨技術(shù)挑戰(zhàn)（例如，晶片規(guī)模均勻性竟秫，可靠的批量生產(chǎn)和不影響結(jié)晶度的較低的合成溫度）娃惯，高保質(zhì)量合成和包括硅基其他2D材料的異質(zhì)材料合成方法，是解鎖這些材料的潛力在科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的必要途徑肥败。目前原子層沉積（ALD）由于其特殊的厚度均勻性/可控性趾浅，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中沉積非晶高k介質(zhì)，馒稍，成為一種理想的薄膜生產(chǎn)技術(shù)皿哨。低溫制備，和優(yōu)良的步驟能夠覆蓋任何的非平面幾何器件纽谒。因此证膨，將ALD的技術(shù)成為制備2D vdW材料有前途的方法。然而鼓黔，原子層沉積的2D（ALD- ...
諧帶隙央勒、超高載流子遷移率和強(qiáng)烈的光物質(zhì)相互作用。此外澳化，二維vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)為研究拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)崔步、超晶格、和層間庫(kù)侖相互作用的影響提供了新的途徑缎谷。然而井濒，與簡(jiǎn)單的單層相比崎岂，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙饮焦，擾亂了層間電荷效率，從而導(dǎo)致這些多層在平面內(nèi)和平面外載流子輸運(yùn)的各向異性僵朗。在存在靜電偏置相關(guān)的層間電阻的情況下席纽，以往的研究通過考慮Thomas-費(fèi)米電荷屏蔽長(zhǎng)度和厚度相關(guān)的載流子遷移率，進(jìn)而描述了二維多層膜的復(fù)雜載流子輸運(yùn)撞蚕。例如润梯，在一個(gè)傳統(tǒng)的背柵結(jié)構(gòu)，由于層間電阻和層依賴的平面內(nèi)載流子遷移率之間的相互作用甥厦，層間電導(dǎo)率z高的層從底表面向頂表面移動(dòng)纺铭。這就引發(fā)了載流子沿著厚度的空間再分布。此外刀疙，zui ...
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