中文：橫模庆锦；英文：transverse mode

用橫模控制抑制量子級(jí)聯(lián)激光器的指向不穩(wěn)定性以前我們報(bào)道了QC激光器的模態(tài)不穩(wěn)定性和光束轉(zhuǎn)向使用固定NA（0.87）檢測(cè)器崔涂，我們發(fā)現(xiàn)脈沖不穩(wěn)定器件的脈沖平均接收功率降低高達(dá)20%阳掐。在脈沖內(nèi)不同柵極位置獲得的空間相關(guān)光譜表明，在橫向模式之間存在頻率鎖定，而遠(yuǎn)場(chǎng)強(qiáng)度分布的時(shí)間分辨測(cè)量顯示缭保，光束在平面上轉(zhuǎn)向了10°⊙凑ⅲ現(xiàn)在我們提出了一種在QC激光器中抑制指向不穩(wěn)定性的方法，該方法涉及通過窄涮俄、短（僅占腔長度的百分之幾）和高損耗的脊波導(dǎo)收縮來控制橫向模式蛉拙。這個(gè)想法是對(duì)分布在激光脊兩側(cè)的模式引入足夠的擾動(dòng)，同時(shí)保持基本模式不變彻亲。收縮對(duì)器件的影響如圖1所示孕锄，圖1顯示了用COMSOL MULTIPHYSICS獲得 ...

免地會(huì)造成多橫模競(jìng)爭(zhēng)苞尝，影響輸出光束質(zhì)量畸肆。光子晶體光纖無截止單模的特性使得光子晶體光纖被制作成大模場(chǎng)光纖成為可能，在保證單模傳輸?shù)那疤嵯轮嬷罚m當(dāng)改變纖芯尺寸或空氣孔的間距即可得到更大的模場(chǎng)直徑（MFD）和數(shù)值孔徑(NA)轴脐。因此，光子晶體光纖可實(shí)現(xiàn)單模大模場(chǎng)面積抡砂，在保證激光傳輸質(zhì)量的同時(shí)大咱，顯著降低光纖中的激光功率密度，減小光纖中的非線性效應(yīng)注益，提高光纖材料的損傷閾值碴巾；其次，光子晶體光纖可以實(shí)現(xiàn)較大的內(nèi)包層數(shù)值孔徑丑搔，從而提高抽運(yùn)光的耦合效率厦瓢，可采用長度相對(duì)較短的光纖實(shí)現(xiàn)高功率輸出。如圖1.2所示為空氣包層光子晶體光纖啤月，由于光纖中具有較大的硅脊寬度和空氣包層煮仇，這些特點(diǎn)導(dǎo)致光纖的纖芯和包層之間的折射率差極大 ...

模式既滿足單橫模又滿足單縱模，其諧振器內(nèi)只有單一縱模進(jìn)行震蕩谎仲，并且輸出激光器光斑的能量分布呈高斯分布浙垫，除了激光器激光本身具有極好的單色性和方向性之外，單頻激光器擁有普通激光器難以達(dá)到的相干長度和超窄的譜線寬度的特點(diǎn)郑诺。從光子的觀點(diǎn)來看夹姥，腔的模式也就是腔內(nèi)可以區(qū)分的光子狀態(tài)，同一模式內(nèi)的光子具有完全相同的狀態(tài)间景，腔內(nèi)電磁場(chǎng)的空間分布可分解為沿傳播方向(腔軸線方向)的分布和在垂直于傳播方向的橫截面內(nèi)的分布佃声。其中，腔模沿腔軸線方向的穩(wěn)定場(chǎng)分布稱為諧振腔的縱模倘要，而在垂直于腔軸的橫截面內(nèi)的穩(wěn)定場(chǎng)分布稱為諧振腔的橫模圾亏。常見的動(dòng)態(tài)單縱模激光器有：①短腔激光器十拣，通過縮短腔長加大縱模間隔來實(shí)現(xiàn)單縱模工作的。常規(guī)結(jié)構(gòu) ...

格反射鏡和縱橫模耦合志鹃，在傳統(tǒng)的XFELO結(jié)構(gòu)中進(jìn)行模式選擇夭问，從而產(chǎn)生自然攜帶OAM的完全相干硬X射線。結(jié)果：（1）模擬結(jié)果表明曹铃，在沒有光模式轉(zhuǎn)換器的情況下缰趋，可以產(chǎn)生1MHz的完全相干硬X射線OAM光束，脈沖能量約為120uJ陕见。DOI:https://doi.org/10.1364/OPTICA.428341 關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是國內(nèi)知名光電產(chǎn)品專業(yè)代理商秘血，代理品牌均處于相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展前沿；產(chǎn)品包括各類激光器评甜、光電調(diào)制器灰粮、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、精密光學(xué)元件等忍坷，涉及應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了材料加工粘舟、光通訊、生物醫(yī)療佩研、科學(xué)研究柑肴、國防及更細(xì)分的前沿市場(chǎng)如量子光學(xué)、生物顯微旬薯、物聯(lián)傳感晰骑、精密加工、先進(jìn)激 ...

需特性（例如橫模或波長）的光束“播種”腔體袍暴。當(dāng)Q值升高時(shí)些侍，從種子源開始產(chǎn)生激光隶症，產(chǎn)生具有種子源特性的調(diào)Q脈沖政模。被動(dòng)調(diào)Q，Q開關(guān)是一種可飽和吸收體蚂会，這種材料的透射率會(huì)在光強(qiáng)超過某個(gè)閾值時(shí)增加淋样。該材料可以是離子摻雜晶體，如Cr:YAG胁住，用于Nd:YAG 激光器的Q開關(guān)趁猴、可漂白染料或無源半導(dǎo)體器件。最初彪见，可飽和吸收體的損耗很高儡司，一旦大量能量存儲(chǔ)在增益介質(zhì)中，就可以產(chǎn)生一些激光余指。隨著激光功率的增加捕犬，它會(huì)使吸收體飽和跷坝，即迅速降低諧振腔損耗，從而使功率可以更快地增加碉碉。理想情況下柴钻，這會(huì)使吸收器進(jìn)入低損耗狀態(tài)，以允許通過激光脈沖有效提取存儲(chǔ)的能量垢粮。脈沖結(jié)束后贴届，吸收體在增益恢復(fù)之前恢復(fù)到高損耗狀態(tài)，從而延遲下一 ...

需要將激光的橫模與腔模耦合起來蜡吧。另一方面毫蚓，多通腔只允許幾十米的相互作用距離，但它們的要求不那么苛刻昔善。反射鏡的反射率較低绍些，但其工作帶寬要寬得多。多通道腔體對(duì)機(jī)械和熱變化更加穩(wěn)健耀鸦，消除了對(duì)反饋系統(tǒng)的需要柬批。qcl相對(duì)高的功率和充足的光學(xué)腔的結(jié)合已被成功地用于實(shí)現(xiàn)高靈敏度的光譜技術(shù)，如腔衰蕩袖订、光聲光譜氮帐、波長調(diào)制光譜和集成腔輸出光譜。其中一些技術(shù)已顯示出ppmv洛姑、ppbv和pptv水平的敏感性上沐。然而，這些技術(shù)只專注于檢測(cè)一種或兩種選定的分子楞艾，主要是因?yàn)樗鼈冎皇褂昧诵》秶膓cl可調(diào)帶寬参咙。通過使用全qcl的可調(diào)性，可以檢測(cè)和區(qū)分存在于更復(fù)雜的分子混合物中的成分硫眯。您可以通過我們的官方網(wǎng)站了解更多可調(diào)諧脈沖量 ...

高功率激光器橫模特性的主要參數(shù)蕴侧。分析光束質(zhì)量有利于探索高功率激光的模場(chǎng)變化機(jī)理，從而更好地設(shè)計(jì)和制造激光裝置两入；掌握上述參數(shù)還有助于評(píng)估激光近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)特性的動(dòng)態(tài)變化净宵，對(duì)激光模場(chǎng)進(jìn)行控制和利用，從而改善激光的近場(chǎng)或遠(yuǎn)場(chǎng)特性裹纳。目前光束質(zhì)量的測(cè)量大多依靠光束分析儀進(jìn)行測(cè)量择葡，但是隨著激光功率和輸出孔徑的逐漸增加，目前常用的以硅基作為探測(cè)芯片的光束分析儀顯然難以滿足剃氧，需要對(duì)原有激光進(jìn)行處理敏储，這就有必要研制高功率光束質(zhì)量測(cè)量中的衰減縮束組件。本文建立衰減縮束組件模型并進(jìn)行仿真分析朋鞍，研究高功率激光照射下其波相差對(duì)M2的影響已添。M2的表達(dá)公式如式（1）所示迫横，原理圖如圖（1）所示，其原理為酝碳，基于光強(qiáng)二階矩定義計(jì)算出 ...

高功率激光器光束質(zhì)量測(cè)量的衰減縮束仿真研究（二）衰減組件偏振特性對(duì)光束質(zhì)量因子的影響仿真當(dāng)高功率激光按照一定角度入射到衰減組件中時(shí)矾踱，光的偏振態(tài)會(huì)發(fā)生變化，這也會(huì)對(duì)M2的結(jié)果產(chǎn)生影響疏哗。仿真計(jì)算衰減組件偏振特性對(duì)光束質(zhì)量因子影響的流程圖如圖1所示呛讲。圖1 偏轉(zhuǎn)特性仿真流程圖首先根據(jù)光纖參數(shù)和波長計(jì)算出光纖中的偏轉(zhuǎn)種類和數(shù)目，并計(jì)算出對(duì)應(yīng)本征模的復(fù)振幅返奉，可以通過改變x和y方向上的偏振光系數(shù)來實(shí)現(xiàn)s光和p光的切換贝搁。根據(jù)計(jì)算出的復(fù)振幅分布就可以計(jì)算出光強(qiáng)并zui終計(jì)算出不同偏振態(tài)下的M2。圖2為不同偏轉(zhuǎn)態(tài)下仿真所得的到的M2芽偏。根據(jù)圖2可知單一偏振方向的M2和原始輸出光的M2不同雷逆，且s光和p光的M2均小于原 ...

被抑制的高階橫模。隨著加熱功率的增大污尉，初始?xì)庀?4.3μm也增大膀哲。因此，單模發(fā)射波長不斷向更高的值移動(dòng)被碗。圖4 (a)連續(xù)波（CW）下某宪，不同MEMS加熱電流下固定偏置19mA的VCSEL光譜。(b)調(diào)諧波長隨MEMS加熱功率的變化锐朴。插入顯示調(diào)諧波長對(duì)MEMS電流對(duì)于這種特殊的VCSEL兴喂，通過將MEMS電流增加到27mA，可以將激光波長調(diào)諧到1584nm焚志。這對(duì)應(yīng)于60nm的連續(xù)單模調(diào)諧衣迷，中心波長為1554nm。在1584nm的發(fā)射波長處酱酬，激光模式與下一個(gè)高階縱向模式競(jìng)爭(zhēng)壶谒，當(dāng)MEMS電流高于27mA時(shí)，縱向模式zui終在1524nm處開始激光岳悟。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示佃迄。依賴于Lair ...