砷化鎵準(zhǔn)費(fèi)米能級映射砷化鎵(GaAs)作為一種you秀的III-V族半導(dǎo)體化合物冷溶,在光伏應(yīng)用中廣泛受到青睞渐白,這歸功于電子遷移率、直接帶隙和精密調(diào)控的生長機(jī)制逞频。GaAs單結(jié)器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了效率纯衍,接近驚人的30%閾值。迅速成為薄膜太陽能電池的優(yōu)質(zhì)材料苗胀。Photon etc.公司的基于體積布拉格光柵的高光譜成像平臺(IMA)可以對GaAs進(jìn)行表征襟诸,IPVF(以前稱為IRDEP-光伏能源研究與開發(fā)研究所)的科學(xué)家利用IMA系統(tǒng)對GaAs太陽能電池進(jìn)行表征。成功地在標(biāo)準(zhǔn)GaAs太陽能電池中獲取了光譜和空間分辨光致發(fā)光(PL)圖像基协。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實(shí)現(xiàn)了整個(gè)視場的均勻照明励堡,從而使得能夠 ...
一化后的半波能級為:T = sin2 (xV/2Vx)圖1利用位于交叉偏振器之間的電光調(diào)制器進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制圖2顯示了在沒有光偏置或電偏置的情況下,在交叉偏振器之間工作的所有光電調(diào)制器的一般傳輸特性堡掏。該特性在調(diào)制器性能方面的一個(gè)關(guān)鍵特性發(fā)生在zui小或零傳輸電平应结。空值是影響對比度(CR泉唁。也被稱為消光比)鹅龄。一種類似于信噪比的量。CR=Imax/Imin其中Imax和Imin是zui大和zui小輸出強(qiáng)度亭畜。圖2 縱向e-o調(diào)制器和交叉偏振器的傳遞函數(shù)電光調(diào)制器也可以在平行偏振器之間工作扮休,因此在沒有施加電壓的情況下可以實(shí)現(xiàn)zui大的傳輸。在這種情況下拴鸵,強(qiáng)度遵循cos2函數(shù)玷坠,零必須通過晶體上的半波電壓得到。 ...
單個(gè)鐵磁點(diǎn)的時(shí)間分辨磁光顯微鏡為了實(shí)現(xiàn)這種激光誘導(dǎo)的進(jìn)動(dòng)劲藐,需要適當(dāng)?shù)耐獠看艌雠渲冒吮ぃ粗苯邮┘樱磥碜粤硪粋€(gè)磁層的交換偏置場聘芜。此外兄渺,特定的材料性質(zhì),如磁晶和形狀各向異性汰现,強(qiáng)烈影響進(jìn)動(dòng)的動(dòng)力學(xué)挂谍。飛秒磁光實(shí)驗(yàn)除了可以獲得靈敏的時(shí)間分辨率外叔壤,還需要同時(shí)提高測量的空間分辨率,以便研究單個(gè)磁點(diǎn)的動(dòng)力學(xué)口叙。精確的時(shí)間和空間分辨率的結(jié)合是一項(xiàng)重要的技術(shù)挑戰(zhàn)炼绘。它允許探索用于存儲(chǔ)和處理信息的磁性介質(zhì)中的磁性位元的基本特性和zui終性能。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)妄田,人們開發(fā)了一種新的實(shí)驗(yàn)裝置饭望,該裝置基于飛秒時(shí)間分辨磁光克爾效應(yīng),具有衍射有限的空間分辨率形庭。研究了具有垂直各向異性的CoPt3磁點(diǎn)的磁化動(dòng)力學(xué)。儀器使人們能夠在共 ...
高光譜成像在鈣鈦礦光譜和空間分析的應(yīng)用一厌漂、鈣鈦礦器件光致發(fā)光和電致發(fā)光成像瓦倫西亞大學(xué)的Henk Bolink博士與IPVF(前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發(fā)展研究所)的研究人員合作萨醒,研究了具有不同電子傳輸層(PCBM和C60)的混合有機(jī)-無機(jī)甲基碘化鉛鈣鈦礦(CH3NH3PbI3)太陽能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識別此類器件中的嚴(yán)重不均勻性(圖1)苇倡。這些空間不均勻性與載體提取問題有關(guān)富纸,導(dǎo)致細(xì)胞的填充因子有限。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計(jì)算的當(dāng)前傳輸效率fT圖旨椒。對于使用PCBM(a晓褪,c,器件A)或C60(b综慎,d涣仿,器件B)作為電子傳輸 ...
數(shù)指的是費(fèi)米能級和真空能級間的電勢差∈揪基于此原理的光電器件如真空光電管好港。1.4真空光電管示意圖2、光電傳感器舉例(1)多像元傳感器圖2.1給出的是46像元的多像元傳感器米罚,光敏面積為0.9mm×4.4 mm钧汹。對于近紅外探測,能夠采用像元數(shù)為16(0.45mm ×1mm)]的InGaAs的陣列探測器录择。這些是高亮度場合用來測量的多像元傳感器實(shí)例拔莱,大部分是用于光譜儀中。對于像元數(shù)隘竭、像元尺寸塘秦、像元形狀的任意改動(dòng)從技術(shù)上是可能的。圖2.1 46像元的多像元傳感器示意圖多像元傳感器的優(yōu)點(diǎn)之一是有快的讀出速度动看,因?yàn)槊恳幌裨男盘柺遣⑿休敵鲟托巍H欢袝r(shí)并行輸出是個(gè)缺點(diǎn)弧圆,原因是讀出電路的復(fù)雜程度與像元的多少成線性 ...
提出赋兵,從核心能級到價(jià)態(tài)的x射線激發(fā)中也會(huì)出現(xiàn)MO效應(yīng)笔咽。十年后,van der Laan等人(1986)和Schutz等人(1987)首次發(fā)現(xiàn)了x射線磁二色性效應(yīng)霹期。由于歷史原因叶组,磁圓二色性一詞被用來代替法拉第橢圓性。在zui初發(fā)現(xiàn)x射線MO效應(yīng)之后历造,又發(fā)現(xiàn)了許多其他的MO效應(yīng)甩十,例如共振x射線散射、x射線法拉第旋轉(zhuǎn)吭产、x射線橫向MOKE和x射線縱向MOKE中的MO現(xiàn)象侣监。一種新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象是,在價(jià)帶能量體系中沒有對應(yīng)的MO效應(yīng)臣淤,它可以用圓偏振或線偏振入射光來觀察橄霉。除了觀察到新的效應(yīng)外,求和規(guī)則的理論進(jìn)展也刺激了x射線磁光學(xué)的發(fā)展邑蒋。特別是姓蜂,x射線磁性圓二色性(XMCD)的理論推導(dǎo)和規(guī)則被證明在原子尺度上檢 ...
的質(zhì)子會(huì)從低能級(磁場方向指向上)躍遷至高能狀態(tài)(磁場方向指向下),縱向磁場強(qiáng)度隨之不斷減小医吊。第二個(gè)影響是由于頻率一致钱慢,所有吸收能量的質(zhì)子會(huì)相互吸引靠攏,產(chǎn)生相同的相位卿堂,橫向磁場強(qiáng)度隨之不斷增大束莫。四.“成像”那么,射頻脈沖關(guān)閉后發(fā)生了什么呢草描?當(dāng)射頻脈沖消失后麦箍,這些共振的H原子會(huì)慢慢恢復(fù)到原來的方向和幅度,這個(gè)過程稱之為“弛豫”陶珠。弛豫分為橫向弛豫和縱向弛豫挟裂。橫向弛豫也稱T2弛豫,即橫向磁化逐漸減少的過程揍诽,橫向磁化從zui大值減少了63%所花費(fèi)的時(shí)間為T2诀蓉;縱向弛豫也稱為T1弛豫,即縱向磁化逐漸恢復(fù)的過程暑脆,縱向磁化恢復(fù)到平衡狀態(tài)強(qiáng)度的63%所需的時(shí)間為T1渠啤。弛豫時(shí)間與質(zhì)子密度有關(guān),不同組織的T1和 ...
相關(guān)的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂(Δμeff)(見圖1(c)和(d))添吗。借助太陽能電池和LED之間的互易關(guān)系沥曹,可以從EL圖像中推導(dǎo)出外部量子效率(EQE)。在樣品的整個(gè)表面上獲得微米級的基本特性有助于改進(jìn)制造工藝,從而達(dá)到更高的電池效率妓美。圖2.(a)集成PL發(fā)射和(b)集成EL發(fā)射的高光譜圖像僵腺。使用廣義普朗克定律,可以推導(dǎo)出(c)和(d)Δμeff映射壶栋。改編自[3]辰如。了解更多詳情,請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁:http://www.wjjzl.com/details-1007.html相關(guān)文獻(xiàn):[1] Yoshida S. et al. 2019,Solar frontier achieves ...
出現(xiàn)淺的受主能級贵试,氧間位形成深能級缺陷琉兜,形成能分別為1.8eV、1.3eV毙玻。銅間位出現(xiàn)在深能級豌蟋,形成能為2.5eV左右。氧空位具有相對較低的形成能桑滩,但是它不穩(wěn)定梧疲。通常情況下容易得到Cu空位P型Cu2O半導(dǎo)體。圖1-8(a)為銅多氧少(b)為銅少氧多情況下Cu2O本征缺陷的形成能實(shí)驗(yàn)室前期通過電化學(xué)沉積控制生長條件可得到n型的Cu2O半導(dǎo)體施符。如圖1-9所示,在特定的電壓擂找、pH和溫度下才能實(shí)現(xiàn)Cu2O的電化學(xué)沉積戳吝。前期研究發(fā)現(xiàn)在不同電壓下制備的薄膜有Cu2O相、Cu-Cu2O相和Cu相等不同的相贯涎。沉積電壓對Cu2O薄膜的形貌听哭、光學(xué)性質(zhì)影響較大。隨著沉積電壓的變化塘雳,Cu2O薄膜可從片狀層疊的薄膜狀態(tài) ...
虛線表示費(fèi)米能級陆盘。第1個(gè)主要帶結(jié)構(gòu)研究表明,單層GaS败明、GaSe隘马、GaTe、InS妻顶、InSe和InTe的帶隙在2.0 - 3.3 eV之間(圖2)酸员。在單分子層極限下,III-VI單硫族化合物具有準(zhǔn)間接帶隙讳嘱,主要價(jià)帶呈火山口形狀幔嗦。這種形狀導(dǎo)致價(jià)帶蕞大值與Γ點(diǎn)略有偏離。進(jìn)一步的復(fù)雜性可以通過考慮SOC效應(yīng)的擾動(dòng)來獲得沥潭,這在GaSe和InSe中已經(jīng)得到了廣泛的研究邀泉。原子荷電性導(dǎo)致自旋態(tài)分裂和能帶混合,而晶體對稱性產(chǎn)生的荷電性會(huì)導(dǎo)致額外的自旋分裂并影響自旋弛豫。當(dāng)考慮N(層數(shù))大于時(shí)汇恤,這些系統(tǒng)的復(fù)雜性會(huì)加深庞钢。層序和層數(shù)可以改變帶隙,改變初級價(jià)帶形狀屁置,誘導(dǎo)鐵電焊夸,調(diào)節(jié)自旋弛豫。其他效應(yīng)蓝角,如鐵磁性阱穗,預(yù)測由于 ...
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