中文：躍遷弟跑；英文：transition

其中的 電子躍遷到激發(fā)態(tài)后只冻，損耗光使得部分處于激發(fā)光斑外圍的電子以受激發(fā)射的方式回到基態(tài)庇麦，其余位于激發(fā)光斑中心的被激發(fā)電子則不受損耗光的影響，繼續(xù)以自發(fā)熒光的方式回到基態(tài)喜德。由于在受激發(fā)射過程中所發(fā)出的熒光和自發(fā)熒光的波長及傳播方向均不同山橄，因此真正被探測(cè)器所接受到的光子均是由位于激發(fā)光斑中心部分的熒光樣品通過自發(fā)熒光方式產(chǎn)生的。由此舍悯，有效熒光的發(fā)光面積得以減小航棱，從而提高了系統(tǒng)的分辨率。STED顯微術(shù)能實(shí)現(xiàn)超分辨的另一個(gè)關(guān)鍵在于受激發(fā)射與自發(fā)熒光相互競(jìng)爭中的非線性效應(yīng)萌衬。當(dāng)損耗光照射在激發(fā)光斑的邊緣位置使得該處樣品中的電子發(fā)生受激發(fā)射作用時(shí)丧诺，部分電子不可避免地仍然會(huì)以自發(fā)熒光的方式回到基態(tài)。然而當(dāng)損 ...

射產(chǎn)生的電子躍遷吸收帶奄薇，通過分析本征吸收的吸收帶我們可以從中挑選處合適的低損耗的窗口區(qū)，從而提高信號(hào)的傳輸效率抗愁。（2）非本征吸收損耗即雜質(zhì)吸收馁蒂，造成非本征吸收的原因可能是由于工藝的不完善引入的了新的雜質(zhì)導(dǎo)致雜質(zhì)的吸收損耗。其中對(duì)非本征吸收影響比較大有兩種：1. 過渡金屬離子Fe3+蜘腌、Mn3+ 沫屡、Ni3+ 、Cu2+ 撮珠、Co2+ 沮脖、Cr3+等，這些過渡金屬離子在0.6um-1.6um波段范圍內(nèi)光吸收能力較強(qiáng)芯急，光纖制造過程中勺届，過渡金屬離子的數(shù)量應(yīng)減少到十億分之一以下，這樣可以將損耗控制1dB/km以下娶耍。2. 氫氧根離子（OH-）免姿，水分子中解析出來的OH-振動(dòng)吸收導(dǎo)致信號(hào)衰減并呈現(xiàn)出三個(gè)吸收峰：0. ...

能級(jí)就會(huì)發(fā)生躍遷，同時(shí)也伴隨著散發(fā)出一定量的紅外光榕酒。由于缺陷部位與正常部位的激發(fā)能級(jí)和導(dǎo)電率都不相同胚膊，因此激發(fā)出的熒光強(qiáng)度也不同，缺陷部位輻射的熒光強(qiáng)度要弱一些想鹰，只要利用圖像采集設(shè)備對(duì)發(fā)出的熒光進(jìn)行采集就可以根據(jù)亮度差異找出缺陷紊婉。鎖相熱圖法（LIT）：當(dāng)對(duì)處于暗盒中的太陽能電池施加一個(gè)脈沖電壓時(shí)，分路電流就會(huì)對(duì)太陽能電池的溫度分布造成一定的影響辑舷，只要對(duì)太陽能電池放射出的溫度場(chǎng)進(jìn)行成像就可以找出缺陷部位喻犁，這種檢測(cè)方法就叫做暗鎖相熱圖法（DLIT）；利用一個(gè)具有周期特性的脈沖光源對(duì)正負(fù)極斷路的太陽能電池進(jìn)行照射，之后對(duì)其散發(fā)出的熒光進(jìn)行成像株汉，就可以根據(jù)熒光的強(qiáng)弱找出缺陷部位筐乳，這種方法就是開路照明鎖 ...

級(jí)以下的電子躍遷由于泡利阻塞效應(yīng)而受到抑制（圖三a）,導(dǎo)致發(fā)射率/吸收率降低.由于拋光銅板的紅外反射率很高（?100％）,而聚乙烯多孔膜是紅外透明的,因此多層石墨烯器件在拋光銅板上的透射率為0.因此,可以將表面多層石墨烯的發(fā)射率寫為ε＝α＝ 1-R,其中ε,α和R是拋光銅板上的表面多層石墨烯的發(fā)射率,吸收率和反射率.圖三d顯示了拋光銅板上多層石墨烯器件的原位反射率（RV / R0）.反射率測(cè)量表明,高于3 V時(shí),反射率明顯增加.這意味著高于3 V的吸收/發(fā)射率降低與圖2c一致.此外,我們發(fā)現(xiàn)在500 nm以下的反射率幾乎沒有變化.這表明離子液體嵌入對(duì)于調(diào)節(jié)長波長范圍內(nèi)的光學(xué)效應(yīng)更有效。另外,將 ...

低能級(jí)電子層躍遷到高能級(jí)電子層乔妈。高能態(tài)的電子是不穩(wěn)定的蝙云，它會(huì)在極短的時(shí)間內(nèi)（10-8s），以輻射光的形式釋放能量后路召，回到原來的能態(tài)勃刨。這時(shí)發(fā)出的光即為熒光（fluorescence），其波長比激發(fā)光的波長要長股淡，原理如圖2-6所示身隐。利用物質(zhì)對(duì)光吸收的高度選擇性，可制成各種濾片唯灵，吸收一定波長范圍的光或允許特定波長的光通過贾铝，用來激發(fā)不同的熒光素，產(chǎn)生不同顏色的熒光埠帕。對(duì)于熒光的激發(fā)波長一般都在紫外和可見波段垢揩，而對(duì)于熒光的發(fā)射波段一般都在可見光波段觀察熒光一般都采用落射熒光觀察方式，就是激發(fā)光是由顯微物鏡照射到樣品上敛瓷，而不是大家常見的在樣品下方進(jìn)行透射照明的方式叁巨，當(dāng)然也存在一些使用透射熒光的觀察方式，但是 ...

收入射光能量躍遷到導(dǎo)帶,產(chǎn)生電子空穴對(duì),這時(shí)候去掉激發(fā)光,材料導(dǎo)帶中的電子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài),緩慢放出較長波長的光,放出的這種光就叫熒光.如果把熒光的能量--波長關(guān)系圖作出來,那么這個(gè)關(guān)系圖就是熒光光譜.電子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)經(jīng)歷的時(shí)間即為熒光壽命.為了評(píng)估異質(zhì)結(jié)中載流子的分離和傳輸特性,可對(duì)異質(zhì)結(jié)進(jìn)行熒光壽命測(cè)試.上圖紅藍(lán)黑色曲線分別對(duì)應(yīng)WS2,ReS2&WS2界面,ReS2的熒光壽命.可以看到ReS2的熒光壽命幾乎沒有信號(hào),由于ReS2區(qū)域的壽命比WS2和界面區(qū)域的信號(hào)弱得多,因此在這種泵浦探測(cè)波長下,無法從ReS2到WS2傳輸光生載流子.所以從WS2到ReS2的光生載流子的時(shí)間動(dòng)力學(xué) ...

能級(jí)向高能級(jí)躍遷锋勺，測(cè)量在不同波長處的輻射強(qiáng)度就得到了紅外吸收光譜。拉曼光譜：光照射物質(zhì)狡蝶，發(fā)生散射庶橱，其中非彈性散射的部分，散射光頻率相對(duì)于入射光頻率發(fā)生了一定變化贪惹，這部分非彈性散射被稱為拉曼光譜悬包。紅外光譜源于分子中偶極矩的變化，拉曼光譜源于極化率的變化馍乙。二布近、拉曼光譜與紅外光譜活性判別法則1. 互排法則：有對(duì)稱中心的分子其分子振動(dòng)對(duì)紅外和拉曼之一有活性，則另一非活性丝格。2. 互允法則：無對(duì)稱中心的分子其分子振動(dòng)對(duì)紅外和拉曼都是活性的撑瞧。三、拉曼光譜與紅外光譜關(guān)系苯甲酸的紅外與拉曼光譜1）相同點(diǎn)：紅外光譜和拉曼光譜都可以用來分析分子結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成显蝌，而且它們都屬于分子振動(dòng)光譜2）不同點(diǎn)：1. 紅外光譜是吸 ...

收能量從基態(tài)躍遷到某個(gè)激發(fā)態(tài)预伺，再以輻射躍遷的方式發(fā)出熒光回到基態(tài)订咸。激發(fā)停止之后，分子激發(fā)出的熒光強(qiáng)度降到激發(fā)最大強(qiáng)度時(shí)的1/e所需的時(shí)間被稱為熒光壽命酬诀，它表示粒子在激發(fā)態(tài)存在的平均時(shí)間脏嚷，一般被稱為激發(fā)態(tài)的熒光壽命。熒光壽命僅僅與熒光物質(zhì)自身的結(jié)構(gòu)和其所處的微環(huán)境的極性和粘度等條件有關(guān)瞒御，而與激發(fā)光強(qiáng)度父叙、熒光團(tuán)濃度無關(guān)，因此通常來說是絕對(duì)的肴裙。通過測(cè)定熒光壽命趾唱，我們可以直接了解所研究的體系所發(fā)生的變化，了解體系中許多復(fù)雜的分子間作用過程蜻懦。時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)法（TCSPC）是目前測(cè)量熒光壽命的主要技術(shù)甜癞，其工作原理如下圖所示：使用一個(gè)窄脈沖激光激發(fā)樣品，然后檢測(cè)樣品發(fā)出的第一個(gè)熒光光子到達(dá)光信號(hào)接收器的 ...

快即以無輻射躍遷的形式衰減到亞穩(wěn)態(tài)能級(jí)E2 上宛乃。由于Er3+ 在能級(jí)E2 上壽命較長悠咱，在其上的粒子數(shù)聚集越來越多，從而在能級(jí)E2和E1之間形成粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)分布征炼。這樣析既，當(dāng)具有1550 nm波長的光信號(hào)λEr通過這段摻鉺光纖時(shí)，處于亞穩(wěn)態(tài)能級(jí)的粒子即以受激輻射的形式躍遷到基態(tài)柒室，并產(chǎn)生和入射光信號(hào)光（1550 nm）完全一樣的光子，從而大大增加了信號(hào)光中的光子數(shù)量逗宜，也即實(shí)現(xiàn)了信號(hào)光在摻鉺光纖中輸出時(shí)不斷被放大的功能雄右。因此，利用摻鉺光纖即可制成摻鉺光纖放大器EDFA纺讲。摻鉺光纖纖芯中鉺的摻雜濃度取決于光纖放大器的設(shè)計(jì)要求擂仍，通常摻雜濃度在100-1000×10-6 ，且集中在3-6 um的纖芯中熬甚。結(jié)語：光 ...

能量并從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶逢渔，在天線表面瞬間（10-14 s）生成光生載流子（電子）。電子在偏置電場(chǎng)的加速作用下定向遷移生成瞬態(tài)光電流乡括，進(jìn)而向外輻射太赫茲波肃廓。理論上只要外加電場(chǎng)足夠強(qiáng)，太赫茲輻射就可以得到顯著的增強(qiáng)诲泌，但是實(shí)際實(shí)驗(yàn)中過高的能量會(huì)導(dǎo)致光電導(dǎo)開關(guān)被損壞盲赊。另外半導(dǎo)體基底、金屬電極的幾何結(jié)構(gòu)與泵浦激光脈沖持續(xù)時(shí)間共同影響著光電導(dǎo)天線（光電導(dǎo)開關(guān)）的性能敷扫。半導(dǎo)體基底須具有高載流子遷移速率哀蘑、極短的載流子壽命以及高擊穿閾值。使用不同的波段激發(fā)往往需要不同的基底，常用的半導(dǎo)體基底材料有低溫生長的砷化鎵（LT-GaAs）绘迁、藍(lán)寶石（RD-SOS）等合溺。光學(xué)整流法在線性材料中，雙光束傳輸時(shí)相互不干擾缀台，可獨(dú)立傳 ...