有機熒光團的光致發(fā)光過程僅持續(xù)幾百皮秒到幾十納秒；另外不僅要獲取熒光壽命盈包，還要還原熒光衰減曲線形狀沸呐，通常為了解決多指數(shù)衰減，必須能夠在時間上將記錄的信號解析到這樣的程度：由幾十個樣品進行衰減呢燥。使用普通的電子瞬態(tài)記錄儀很難達到所需的時間分辨率崭添。 另外如果發(fā)射的光太弱則無法產(chǎn)生代表光通量的模擬電壓。 實際上光信號可能只有每個激發(fā)/發(fā)射周期的幾個光子叛氨。 然后信號本身的離散特性導致無法進行模擬采樣呼渣。 即使可以通過增加激發(fā)功率來獲得更多熒光棘伴，也會存在限制，例如屁置，由于收集光學損耗焊夸、檢測器靈敏度的光譜限制或在更高激發(fā)功率下的光漂白。Z終蓝角，當觀察到的樣品僅由幾個甚至單個分子組成時阱穗，就會出現(xiàn)問題。使用時間相關單 ...
Vis) 和光致發(fā)光 (PL) 光譜使鹅。圖 1b 和 c 中的 MoS2 納米片是通過 CVD 方法合成的揪阶，用于PL信號的比較分析。正如圖1（b）所示患朱，MoS2納米片的光譜在460鲁僚，610，670處有特征峰裁厅，分別用A冰沙，B，C表示执虹。A 和 B 峰對應于價帶頂部布里淵區(qū)K點的自旋軌道分裂引起的激子躍遷拓挥。C 與來自 d 軌道的帶間躍遷有關。隨著將塊狀 MoS2 轉化為量子點時發(fā)生的維度變化声畏，MoS2 納米片的激子峰消失撞叽，并出現(xiàn)了新的吸收特征。由于量子尺寸效應插龄，在 MoS2量子點中觀察到吸收峰藍移。此外科展，在 MoS2 QD 的 PL 光譜中均牢，不存在 A 和 B 激子峰，并且在相對于原始 MoS2 的 P ...
的陷阱密度和光致發(fā)光（PL）衰減曲線才睹，以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應效應徘跪。圖1 a) 包含阻擋層的有機半導體器件結構示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結構填充示意圖琅攘。 b) PBDTTT-EFT垮庐、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結構。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關閉 LED 來評估有機半導體器件的響應時間坞琴。如圖2所示哨查，富勒烯受體有機半導體表現(xiàn)出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應時間受內(nèi)部電容和電荷傳輸時間的影響剧辐，推測 PC71BM 具有較高的內(nèi)部電容和較大的陷阱位點 ...
常見的拉曼信號增強方法拉曼散射依賴于聲子對光的非彈性散射寒亥，其效率非常低(通常每約105-107個光子中就會產(chǎn)生一個拉曼散射光子)邮府，導致拉曼散射截面為10?26-10?31cm2。如果被探測材料的可用散射體積非常小溉奕，就像二維半導體的情況(散射體積等于激光光斑面積乘以μ2范圍內(nèi)的面積乘以二維材料的亞納米厚度)褂傀，這是特別關鍵的。因此加勤，測量激光功率密度保持在損傷閾值以下通常需要很長的采集時間仙辟，以獲得足夠好的信噪比。關于第②個限制鳄梅，傳統(tǒng)光學測量中的SR是由光學衍射極限(使用高數(shù)值孔徑物鏡的激發(fā)波長的大約一半)決定的欺嗤。因此，在現(xiàn)代微拉曼裝置中卫枝，當使用可見范圍內(nèi)的較短激發(fā)波長時煎饼，可以實現(xiàn)的較小探測尺寸約為2 ...
與快速拉曼和光致發(fā)光成像技術聯(lián)用，該項技術將給科研工作者更便捷的手段進行與量子計算機等新興技術密切相關的單光子源研究校赤。單光子源具有獨特的量子力學特性吆玖，其在量子技術和信息科學中得到了廣泛的應用，包括量子計算機開發(fā)和密碼學技術研究等等马篮。常見的單光子源有金剛石中的氮空位（NV）色心沾乘、單個熒光分子、碳納米管和量子點等浑测。反聚束實驗則是鑒別單光子源的重要表征方法翅阵。知識拓展”NV（Nitrogen-Vacancy）色心是金剛石中的一種點缺陷。金剛石晶格中一個碳原子缺失形成空位迁央，近鄰的位置有一個氮原子掷匠，這樣就形成了一個NV色心。反聚束效應是一種量子力學效應岖圈，它揭示了光的類粒子行為讹语。它是由于單光子源一次只能發(fā)射 ...
、鈣鈦礦器件光致發(fā)光和電致發(fā)光成像瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發(fā)展研究所）的研究人員合作蜂科，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能顽决。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關导匣，導致細胞的填充因子有限才菠。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a贡定，c赋访，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽能電池进每，在微尺度 ...
汹粤。通過高光譜光致發(fā)光成像分析損傷。Photon公司的高光譜平臺（IMA）由光學顯微鏡與CW532 nm 激光器和基于體積布拉格光柵的高光譜濾光片組成田晚。該套系統(tǒng)在400nm至1000nm范圍內(nèi)具有靈敏度嘱兼，并提供高光譜（<2nm）和空間分辨率（~μm）。CIGS的典型PL研究是在局部激發(fā)下進行的贤徒，這導致電荷向較暗的區(qū)域擴散芹壕。全局照明產(chǎn)生的等電位減少了這種影響，并允許在更接近太陽能電池的實際工作模式下進行測量接奈。圖1顯示了從高光譜數(shù)據(jù)中提取的P1和P2譜線周圍的PL曲線踢涌。PL圖顯示了P1線的邊緣附近的發(fā)射淬滅。進一步的研究表明序宦，這種效應導致PL強度降低了約30%睁壁，而不是由于成分變化。這一觀察結果 ...
法是穩(wěn)態(tài)偏振光致發(fā)光(PL)測量互捌。通常潘明，這是通過使用連續(xù)波(cw)來實現(xiàn)的，平面內(nèi)圓偏振光源具有接近帶隙能量分離的光子能量秕噪。這將在半導體中產(chǎn)生凈非平衡自旋取向具有適當?shù)淖孕窆鈱W躍遷的系統(tǒng)钳降。當系統(tǒng)松弛時，會有一個優(yōu)先的自旋方向腌巾，這將表現(xiàn)為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差遂填。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化澈蝙，P = (I+?I?)/(I+ + I?)吓坚。描述半導體P的穩(wěn)態(tài)速率方程為：式中P0為激發(fā)時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命碉克。這種極化可以在磁場中進一步研究凌唬。事實上，對于相對于樣品施加的面外場漏麦，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡况褪，即使是線偏振光撕贞，這一結果 ...
低溫真空)的光致發(fā)光衰減，作為這種衰減發(fā)生速度的一個例子测垛。在環(huán)境條件下捏膨，硒的排放衰減迅速，而在其他兩種環(huán)境條件下，其降解速度要慢得多号涯。InSe的表面敏感性促使人們采取措施降低氧化速率目胡，從而穩(wěn)定薄樣品的光學性質(zhì)。圖1.左圖顯示了在532 nm, 1 mW激發(fā)光源下链快，低層InSe的光致發(fā)光隨時間的衰減誉己。藍色是在空氣中，綠色是在真空中域蜗，紅色是在10k的真空中巨双。右圖說明了在光照下導致InSe快速降解的三種化學過程:(I)氧化，(II)解離和(III)與水的相互作用霉祸。為了保護薄層銦不被降解筑累，常用的技術是干封裝。該方法采用二維材料丝蹭，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層慢宗，防止空氣和水分進入。西北 ...
特性[1]奔穿。光致發(fā)光（PL）或電致發(fā)光（EL）的強度映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法镜沽。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖，覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場巫橄。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像淘邻，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1湘换、圖2所示宾舅。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率，因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要彩倚。利用這些技術筹我，研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題，以確保生產(chǎn)出高效且可靠的太陽能電池帆离。圖1蔬蕊、1040 nm的高光譜數(shù)據(jù)中提 ...
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