硅基太陽能電池是全qiu市場的主導(dǎo)技術(shù)扩借,但仍需應(yīng)對制造和擴展方面的挑戰(zhàn)。光致發(fā)光(PL)和電致發(fā)光(EL)是評估其性能的關(guān)鍵指標(biāo)贱鄙。利用Photon etc.公司的高光譜顯微鏡進行PL和EL圖像分析可以識別和解決器件不均勻性問題。使用Photon etc.公司的GRAND-EOS高光譜顯微鏡進行絕對EL測量逗宁,研究太陽能電池的外部輻射發(fā)射率映九,有助于深入了解其性能和行為。通過對輻射速率的了解瞎颗,可以計算太陽能電池的外部發(fā)光量子產(chǎn)率件甥,并優(yōu)化設(shè)計和性能。
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硅太陽能電池的高光譜發(fā)光成像
硅基太陽能電池作為一項穩(wěn)定可靠的技術(shù)嚼蚀,其長期的使用壽命已經(jīng)占據(jù)全qiu太陽能電池市場銷售份額的90%。盡管這項技術(shù)已經(jīng)經(jīng)歷了超過20年的學(xué)習(xí)曲線管挟,但它仍然需要應(yīng)對制造和擴展方面的挑戰(zhàn)轿曙。隨著對其損耗機制的深入了解,才能夠更好地改進當(dāng)前太陽能電池的性能,從而將其打造成為適用于室內(nèi)能量收集的優(yōu)先選擇导帝。
在太陽能電池的運行過程中守谓,損耗是一個重要的考慮因素您单。這些損耗可以來自于多個方面斋荞,例如光電轉(zhuǎn)換效率、電子傳輸過程中的損耗虐秦、材料的損耗以及外部環(huán)境因素帶來的損耗等平酿。通過深入研究這些損耗機制,可以找到改進太陽能電池性能的關(guān)鍵悦陋。例如,通過優(yōu)化材料選擇和制造工藝俺驶,可以降低電子傳輸過程中的損耗幸逆,從而提高電池的效率和穩(wěn)定性。另外暮现,針對外部環(huán)境因素帶來的損耗还绘,可以通過設(shè)計更耐久的材料或者采取有效的保護措施來減少這些損耗,從而延長太陽能電池的使用壽命栖袋。
太陽能電池的性能評估一個關(guān)鍵指標(biāo)是其發(fā)光特性[1]拍顷。光致發(fā)光(PL)或電致發(fā)光(EL)的強度映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖菇怀,覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像晌块,捕捉到器件上的微小不均勻性爱沟,如圖1、圖2所示匆背。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率呼伸,因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設(shè)計和制造至關(guān)重要。利用這些技術(shù)钝尸,研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題括享,以確保生產(chǎn)出高效且可靠的太陽能電池。
圖1铃辖、1040 nm的高光譜數(shù)據(jù)中提取的硅器件的電致發(fā)光圖。
圖2猪叙、1140 nm的高光譜數(shù)據(jù)中提取的硅器件的電致發(fā)光圖娇斩。
在美國guo家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(NIST)的Behrang Hamadani博士[2]的論文中仁卷,使用了GRAND-EOS進行絕對EL測量,以研究太陽能電池的外部輻射發(fā)射率犬第。這項研究旨在通過對太陽能電池的發(fā)光特性進行精確測量锦积,來深入了解其性能和行為。
研究使用了一個尺寸為2 cm x 2 cm的視場來獲得光譜EL發(fā)射曲線歉嗓,這些曲線是注入電流的函數(shù),這一數(shù)據(jù)由源測量單元提供鉴分。通過這些曲線哮幢,研究人員能夠了解不同注入電流條件下太陽能電池的發(fā)光特性,并進一步分析其外部輻射發(fā)射率志珍。
通過對輻射速率的了解家浇,研究人員能夠直接計算太陽能電池的外部發(fā)光量子產(chǎn)率,這是評估其發(fā)光性能的重要參數(shù)之一碴裙。此外,還可以通過這些數(shù)據(jù)計算太陽能電池的I-V曲線点额,可以得出重要的能量損失參數(shù)舔株,這對于優(yōu)化太陽能電池的設(shè)計和性能至關(guān)重要。
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參考文獻:
[1] Miller, O. D., Yablonovitch, E., & Kurtz, S. R. (2012). Strong Internal and External Luminescence as Solar Cells Approach the Shockley–Queisser Limit. IEEE Journal of Photovoltaics, 2(3), 303–311.
[2] Hamadani, B. H. (2020). Understanding photovoltaic energy losses under indoor lighting conditions. Applied Physics Letters, 117(4), 043904.
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