例子，鐵磁性納米顆粒與反鐵磁性材料的耦合榜晦，甚至被認(rèn)為是在有限溫度下穩(wěn)定磁序的一種手段冠蒋。為了充分利用反鐵磁/鐵磁界面在器件結(jié)構(gòu)中的優(yōu)勢，人們需要了解控制這些界面磁相互作用的潛在機(jī)制乾胶。用界面處反鐵磁體的磁矩來描述交換偏置抖剿，它通過典型的交換耦合與鐵磁矩相互作用朽寞，產(chǎn)生的偏置場比實(shí)驗(yàn)觀察到的高一到兩個數(shù)量級。在zui簡單的模型中斩郎，人們假設(shè)所謂的非補(bǔ)償反鐵磁表面脑融，即反鐵磁表面平面的原子力矩加起來等于一個不消失的凈力矩的表面方向。反鐵磁體表層的有限磁化強(qiáng)度與沉積在這種表面上的鐵磁體相互作用缩宜。鐵磁體的磁化強(qiáng)度將與反鐵磁體的表面磁化強(qiáng)度平行或相反肘迎，這取決于交換相互作用的符號。然而锻煌，不難看出為什么這個簡單的圖是不 ...
以多核氧化鐵納米顆粒作為性能基準(zhǔn)妓布，在旋轉(zhuǎn)磁場下的MTB顯示出更均勻和高效的流動。無論是磁性材料的體積還是總的體積分?jǐn)?shù)的比較宋梧，都增強(qiáng)了耦合性匣沼。為了闡明在輸運(yùn)中與邊界的相互作用的機(jī)制作用，開發(fā)了一個計算模型并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證乃秀。應(yīng)用該模型肛著，預(yù)測了兩種不同且可行的磁控制策略:一個旋轉(zhuǎn)梯度場，盡管邊界促進(jìn)相反方向的流動跺讯，但仍產(chǎn)生定向流動;一個靜磁門控場，實(shí)現(xiàn)空間選擇性驅(qū)動殉农。為MTB確定的優(yōu)勢屬性為實(shí)現(xiàn)這些策略打開了設(shè)計空間刀脏。13.M. K. Hausmann, A. Hauser, G. Siqueira, R. Libanori, S. L. Vehusheia, S. Schuerle, T. Zim ...
50 nm薄納米顆粒(Co84Cr16)87Pt13層的磁疇結(jié)構(gòu)，具有明顯的垂直磁各向異性超凳。對覆蓋10 - 90%值的強(qiáng)度分布圖進(jìn)行常見的刀口分析愈污，顯示出15 nm的空間分辨率。該樣品的晶粒尺寸分布是通過TEM分析確定的轮傍，峰值在20 nm左右暂雹，這可以得出結(jié)論，從M-TXM圖像可以在晶粒尺寸水平上研究磁疇結(jié)構(gòu)创夜，即在該系統(tǒng)的磁性基本長度尺度上杭跪。圖4.M- txm可以對薄膜中占主導(dǎo)地位的面內(nèi)磁化M進(jìn)行成像，方法是將樣品表面傾斜成相對于光子傳播方向k的角度驰吓，從而獲得沿k方向的M不消失分量由于二色性對比度是由磁化在光子傳播方向上的投影給出的涧尿，因此可以通過以相對于光子束方向的傾斜角度照射樣品來成像面外和面 ...
了一定數(shù)量的納米顆粒。圖1.單脈沖燒蝕形貌記錄多脈沖作用下檬贰，孵化效應(yīng)在燒蝕過程中扮演重要角色姑廉。在介電材料和半導(dǎo)體材料中，由外部激光作用引起的晶格缺陷翁涤，可以在帶隙中產(chǎn)生額外的能級桥言。新的激發(fā)路徑的存在有利于對后續(xù)激光脈沖能量吸收萌踱。缺陷密度隨著激光輻照脈沖數(shù)的增加而增加，直到達(dá)到飽和号阿。同時缺陷的積累將導(dǎo)致有效吸收系數(shù)增加虫蝶，表面燒蝕閾值隨之降低，直到達(dá)到飽和倦西。經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)能真，在脈沖數(shù)較少時，燒蝕坑的直徑更小扰柠。隨著作用脈沖數(shù)的增加粉铐，燒灼坑的直徑也隨之增加。當(dāng)脈沖數(shù)超過600后卤档，作用材料的脈沖數(shù)增加對直徑大小的增加效果顯著降低蝙泼。圖2.多脈沖燒蝕形貌記錄結(jié)語：通過1030 nm飛秒激光對YAG晶體的燒蝕測試，可 ...
是探測上轉(zhuǎn)換納米顆粒與鑭系元素復(fù)合物之間的協(xié)同作用劝枣。這個例子展示了一個混合系統(tǒng)的高光譜分析汤踏，該系統(tǒng)由分子晶體（[Tb2(bpm)(tfaa)6]）與上轉(zhuǎn)換納米顆粒（NaGdF4:Tm3+,Yb3+）組合而成。(a)白光和紫外光照明下的顯微照片以及用于980nm光照射下高光譜成像的感興趣區(qū)域（ROI）舔腾。(b) 在20 x 20 μm2區(qū)域內(nèi)監(jiān)測的Tm3+和間接Tb3+的發(fā)射溪胶。(c) 發(fā)射帶的絕對強(qiáng)度變化在整個混合系統(tǒng)中波動，表明表面上分布的物質(zhì)總量存在一些變異性稳诚。(d) 復(fù)合物與Tm3+：1G4→3H6（正方形）和Tm3+：1G4→3F4（圓形）的積分發(fā)射比率的恒定性哗脖，證實(shí)了這兩個組分在整個混合 ...
的金屬表面或納米顆粒上，產(chǎn)生等離子體局部電磁增強(qiáng)效應(yīng)扳还，增強(qiáng)拉曼信號才避，從而大大限度地減少熒光的影響。SERS結(jié)合了拉曼的特異性和高靈敏度氨距，可以在極低的分析物濃度下分析樣品桑逝，也可以與TG結(jié)合使用。其他非線性技術(shù)俏让，如相干反斯托克斯拉曼散射光譜(CARS)楞遏，也可以歸類為熒光抑制方法，具有從背景干擾中對拉曼信號進(jìn)行空間分辨的能力舆驶。CARS已用于ps尺度的TR測量橱健，目的是拒絕來自拉曼測量的背景。然而沙廉，由于實(shí)際原因拘荡，它往往并不適用于所有的樣本狀態(tài)。此外撬陵，增強(qiáng)拉曼信號和抑制熒光的相同表面增強(qiáng)方法可用于反斯托克斯拉曼和斯托克斯拉曼(更常見)珊皿，在紫外光譜范圍內(nèi)具有特殊優(yōu)勢网缝，可以選擇性地挑出共振基團(tuán)的振動。了解更多 ...
點(diǎn)的低氧化物納米顆粒被預(yù)先沉積在基底上蟋定；之后粉臊，從成核位置結(jié)晶的MoS2薄片以平行的方式在沉底表面生長。拉曼光譜表明驶兜，這些薄片具有均勻厚度的單層扼仲。在整個生長過程中，薄片形狀保持為三角形晶粒抄淑，表明生長動力學(xué)沒有改變屠凶。第二種模式是由MoO3液滴生長的MoS2薄片。圖3b顯示了這種模式下的典型多步驟過程肆资。zui初的步驟是由S蒸汽與液滴表面的液態(tài)MoO3反應(yīng)引起的液滴塌陷矗愧。一旦液滴分解，內(nèi)部MoO3液體立即釋放并蒸發(fā)到環(huán)境中郑原。同時唉韭，一個厚的MoO3核在襯底上結(jié)晶，如圖3d所示犯犁。幾毫秒之后属愤，單層MoS2從成核迅速生長。在這一步驟（0—12s）中栖秕，生長的薄片表現(xiàn)處各向同性的生長習(xí)慣春塌，產(chǎn)生類似于圓形的疇，這表 ...
物醫(yī)學(xué)研究和納米顆粒分析的高靈敏度電子儀器簇捍。Elements的微芯片可以生產(chǎn)價格合理且易于使用的小型化設(shè)備，使納米技術(shù)能夠用于新一代便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備（即時檢測）和食品安全控制俏拱。從這個意義上說暑塑，Elements聲稱“使能生命科學(xué)技術(shù)”。Elements的放大器可以采集和分析非常低的離子電流锅必，并可應(yīng)用于電生理學(xué)和電化學(xué)領(lǐng)域事格。離子電流是流經(jīng)離子通道（細(xì)胞膜上的納米大小的造孔蛋白）的電信號。離子通道參與細(xì)胞的許多生命過程搞隐，對于分析藥物對人體細(xì)胞的影響至關(guān)重要驹愚。Elements很自豪能成為Nanion的供應(yīng)商，在Nanion的Orbit產(chǎn)品系列中構(gòu)建多通道了電子放大器劣纲。開發(fā)定制傳感設(shè)備和組件具有挑戰(zhàn)性 ...
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