集體的中紅外吸收光譜電磁波譜2 ~ 25μm光譜范圍對應的MIR區(qū)域與分子振動能重合辕录。當MIR光通過樣品時，分子間鍵通過吸收與基態(tài)和激發(fā)態(tài)之差相同的能量而被激發(fā)到更高的振動態(tài)梢卸。這使得在該區(qū)域使用指紋吸收光譜檢測未知分析物以檢測特定鍵走诞。傅里葉變換紅外光譜(FTIR)通常用于生物化學物質(zhì)的分析，以確定分析信息蛤高。但是蚣旱，由于MIR中吸水性強碑幅，通常不能使用長度超過10-20μm的比皿，較窄的比皿容易被真實樣品堵塞塞绿。利用衰減全反射(ATR)光譜與FTIR相結(jié)合的方法克服了這一問題枕赵。然而，傳統(tǒng)ATR元件中的離散反射次數(shù)受到嚴重限制位隶，而使用光波導(本質(zhì)上是更薄的ATR元件)大大增加了單位長度的有效反射次數(shù)拷窜，從 ...
和振動模式。吸收光譜豐富涧黄，吸收譜線強篮昧，具有高特異性和高靈敏度，圖1繪制了化學試劑VX和HD(硫芥)以及炸藥TNT(三硝基甲苯)的中紅外光譜笋妥。這表明懊昨，化學物質(zhì)的中紅外光譜具有豐富的吸收譜線，可以進行高度特異性的化學鑒定春宣。還要注意酵颁，吸收線可能非常強。例如月帝，VX和TNT都有吸收線躏惋，其吸收深度(強度以1/e的倍數(shù)下降)只有~3um。強吸收線使檢測靈敏度高嚷辅。圖1中紅外的兩個主要大氣傳輸窗口稱為中波紅外(MWIR)和長波紅外(LWIR)簿姨。這些如圖2a所示，大致分別在≈3 –5um和≈8 –14um之間擴展簸搞。在MWIR中有一個較強的CO2吸收帶扁位，波長為4.3um。以波長為6.3um為中心的較寬的H2O吸收帶 ...
子的常規(guī)紅外吸收光譜趁俊。此外域仇，通過測量用于定量分析的裝置的共振頻移來確定吸附分子的質(zhì)量。此外寺擂，微差熱分析可用于區(qū)分受熱分子的放熱或吸熱反應暇务，用相同的裝置進行，為痕量爆炸物檢測和傳感器表面再生提供額外的正交信號沽讹。近年來般卑，為了克服表面吸附炸藥混合物的化學選擇性問題，納米機械紅外光譜技術(shù)得到了廣泛的發(fā)展和應用爽雄。在該技術(shù)中蝠检，首先允許目標炸藥分子吸附在雙材料微懸臂表面上。在紅外光對目標炸藥分子的共振激發(fā)過程中挚瘟，雙材料微懸臂梁發(fā)生了熱機械偏轉(zhuǎn)叹谁，懸臂梁的偏轉(zhuǎn)幅度與紅外波長的函數(shù)類似于傳統(tǒng)的紅外吸收光譜饲梭，顯示了被吸附分子的“分子指紋”[。這種光量熱法具有很高的化學選擇性和質(zhì)量靈敏度焰檩，使定量紅外光譜能夠?qū)哿勘? ...
標準和濃度的吸收光譜研究憔涉，結(jié)果將在適當驗證后公布。邁克爾遜干涉儀的當前MEMS實施例如圖1所示析苫。有三個光學元件(固定反射鏡兜叨，移動反射鏡和分束器)，它們在干涉儀中定義了兩個不同的光束路徑衩侥。所有組件在其結(jié)構(gòu)上基本上是相同的国旷，盡管分束器被拉長了，以考慮45o的入射角;每一個都有一個主鏡組件茫死，這是一個感興趣的光學表面跪但，次要組件保持主組件的位置，以保持其干涉對準峦萎，以及專有的自鎖機制屡久，使不可逆組裝。分光鏡經(jīng)過專門設(shè)計爱榔，使反射鏡的運動能夠調(diào)制2-14 um光譜區(qū)域的光(圖2)被环。圖2ChemPen?背后的MEMS引擎是在桑迪亞guo家實驗室的SUMMiT-V制造工藝中制造的，Albuquerque, NM搓蚪，由 ...
2 FTIR吸收光譜如圖2A所示蛤售。顯然，在不同溫度下妒潭，腔長為1.5、2和3 mm的qcl與強振動旋轉(zhuǎn)吸收帶直接重疊揣钦。同樣雳灾，可以使用不同的空腔長度來故意重疊或避免與選定的CO2特征重疊，如圖2 b冯凹。結(jié)果表明谎亩，在恒定的散熱器溫度下，腔長度在1-2 mm范圍內(nèi)宇姚，跨越整個吸收光譜匈庭。因此，提供了一種方便的后處理策略浑劳，用于定制共振和非共振qcl，從而差分測量直接產(chǎn)生分析物濃度的定量測定。圖2c描述了在散熱器溫度范圍內(nèi)發(fā)射頻率與腔長之間的關(guān)系挣跋。該圖中的數(shù)據(jù)進一步闡明了使用不同空腔長度范圍系統(tǒng)地選擇發(fā)射頻率的能力。圖2圖2中長度為0.5鸽扁、1和1.5 mm的激光器沒有完全激光到室溫，這是由于由鏡面損耗決定的更高 ...
波長和TNT吸收光譜如圖1所示镶骗。圖中還顯示了在上述重復頻率和脈寬條件下準連續(xù)波工作時的QCL功率電流曲線桶现。在此條件下，QCL的Max平均輸出功率為100 mW鼎姊。QCL的波長約為7.35 μm骡和，接近TNT樣品的一個強吸收峰。超靈敏麥克風（ACO Pacific 7020） 1英寸相寇。采用直徑法檢測聲信號即横。麥克風連接到一個前置放大器（型號4012）和一個電源（型號PS9200），兩者都來自ACO太平洋裆赵。圖1在實驗中东囚，QCL輸出光束被引導到粉末狀的TNT樣品上，TNT樣品被放置在一塊硅晶片載體上战授。硅晶片對QCL波長透明页藻；因此，如果沒有TNT樣品植兰，就不會產(chǎn)生聲信號份帐。本研究的重點是演示使用直接對峙PA技術(shù) ...
和紫外-可見吸收光譜進行了驗證。為了提高器件的性能楣导，使用TFSI對打印后的薄膜進行修飾废境，將開/關(guān)比提高了約20倍。因此筒繁，噴墨打印制成的光電探測器具有較高的光響應度和比探測率噩凹，分別為552.5 AW-1和1.19 ×1012Jones。為了驗證噴墨打印的大規(guī)模制造能力毡咏，這里將噴墨打印應用于光電探測器陣列的制造驮宴。測量暗電流和光電流之間的差值，并將字母“T”成像為像素圖形呕缭。研究結(jié)果表明堵泽，將二維材料的電化學剝離與噴墨打印相結(jié)合是下一代、大規(guī)模和高性能光電器件的一種很有前途的方法恢总。拉曼和PL的主要作用迎罗，就是分析通過TFSI修飾后MoS2納米片結(jié)構(gòu)的改變，以及PL信號增強背后的原因片仿。華中科技大學史鐵林教授 ...
移率和更寬的吸收光譜纹安。此外，Te的易氧化性將允許2D Bi2O2Te材料在制備介電層期間在低得多的溫度下氧化。這種低溫工藝對于2D氧氯鉍在微電子領(lǐng)域的廣泛應用至關(guān)重要钻蔑。圖1.塊狀Bi2O2Te的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)實驗分析：雖然大多數(shù)2D材料是使用CVD方法合成的啥刻，但昆明物理所唐利賓課題組使用的是磁控濺射和快速熱退火在空氣氣氛下通過從Bi2Te3過渡到Bi2O2Te在低溫下制備新型2D Bi2O2T材料。該技術(shù)被稱為快速退火相變（RAPT）方法咪笑。（如圖2）圖2.RATP法制備二維Bi2O2Te的生長機理在這項工作中可帽，通過RAPT方法制備了具有優(yōu)異質(zhì)量的大面積2D Bi2O2Te。現(xiàn)今人們對將2D ...
的紫外-可見吸收光譜和提取的光學帶隙窗怒。(g)的插圖顯示了27 nm厚的ALD-Te薄膜的代表性Tauc圖映跟。(h)在高長徑比為1：12的深溝槽結(jié)構(gòu)上的ALD-Te薄膜的橫截面HAADF-STEM和EDS元素映射圖像。白色比例尺扬虚，50 nm努隙；黃色比例尺，600 nm辜昵。在本研究中荸镊，通過設(shè)計的無退火低溫(50℃)ALD工藝成功地證明了單元素二維Te薄膜具有特殊的晶元級均勻性、共形性和結(jié)晶度堪置，以及可調(diào)的厚度躬存。ALD Te薄膜的這些特點是通過引入甲醇MeOH和重復給藥技術(shù)來實現(xiàn)的，這兩個條件使Te從島狀結(jié)晶到薄膜生長舀锨。有趣的是岭洲，通過實驗結(jié)果還揭示了MeOH的雙重作用，即吸附位點的激活和配位緊化坎匿，這與DFT ...
光譜儀盾剩、瞬態(tài)吸收光譜儀、相干拉曼光譜替蔬、SRS/CARS告私、多維相干光譜、共振激發(fā)光譜进栽、泵浦探測系統(tǒng)德挣、精密光學延遲線等多種設(shè)備。 ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
