中文：布拉格反射器早像；英文：Bragg reflector

頂部的分布式布拉格反射器(DBR)答渔，以防止它發(fā)射到其他所需的波長关带。這就迫使激光器進行單模操作，即使在更高的工作電流下也是如此沼撕。DFB激光器主要可以通過改變溫度來調諧宋雏，盡管通過脈沖DFB激光器可以獲得調諧的有趣變化。在這種模式下务豺，激光的波長在脈沖過程中迅速“啁啾”磨总，允許快速掃描光譜區(qū)域。外腔External cavity lasers在外腔(EC)量子級聯(lián)激光器中笼沥，量子級聯(lián)器件作為激光增益介質蚪燕。波導切面的一個或兩個都有一層抗反射涂層，以克服解化面的光腔作用奔浅。然后將反射鏡布置在QC裝置外部的結構中馆纳，以創(chuàng)建光腔。如果在外腔中包含頻率選擇元件汹桦，就可以將激光發(fā)射減少到單一波長鲁驶，甚至可以調整輻射。例如营勤，衍 ...

光柵或分布式布拉格反射器灵嫌。然而，需要在波長尺度上精確的周期結構需要更復雜的制造步驟（例如葛作，電子束光刻）寿羞，通常導致更高的成本和更低的產(chǎn)量。機械可移動光柵集成到外腔赂蠢，使單模調諧范圍寬然而绪穆，在這種配置中，波長選擇和調諧需要系統(tǒng)集成和光學校準虱岂。因此玖院，用簡單的制造步驟就能實現(xiàn)單模發(fā)射的空腔是人們所需要的，并且已經(jīng)用不同的幾何形狀進行了研究第岖，例如直耦合法布里珀羅空腔和折疊法布里珀羅空腔难菌。非對稱MachZehnder （AMZ）干涉儀是波長選擇性的理想選擇，已廣泛應用于光纖激光器zui近蔑滓，一種新型的腔體設計郊酒，將AMZ干涉儀單片集成在QC激光器中遇绞，已經(jīng)報道了單模工作，側模抑制比（SMSR）為35dB燎窘。然而摹闽，這 ...

分布式Bragg反射器量子級聯(lián)激光器（1）量子級聯(lián)（QC）激光器是基于半導體的中紅外光源，通過帶隙工程設計褐健，由于其緊湊的尺寸付鹿，提供了有前途的應用。工作范圍大蚜迅，輸出功率大舵匾。盡管Fabry-Perot型QC激光器具有高產(chǎn)量和高成本效益，但由于端面的波長無關反射率慢叨，其光譜輸出相對較寬纽匙。此外，隨著注入電流的增加拍谐，由于腔內空間和光譜燒孔等非線性烛缔，譜寬一般會增加一個數(shù)量級以上。然而轩拨，在各種應用中践瓷，如醫(yī)學中的激光輔助手術或防御對策中，需要窄帶亡蓉，高功率操作的QC激光器晕翠。在QC激光器中，通過多種方法實現(xiàn)ji端光譜窄化到單模工作砍濒，包括將分布式反饋（DFB）光柵集成到激光腔中淋肾，利用外腔（EC）或通過單片耦合腔設計。 ...

分布式Bragg反射器量子級聯(lián)激光器（2）使用快速室溫HgCdTe （MCT）檢測器爸邢，在應用光柵之前和之后進行光電流-電壓（LIV）測量樊卓，以確定閾值電流和峰值功率的zui終變化。激光器安裝在具有ZnSl窗口的低溫恒溫器內杠河，一個直徑約2英寸（50毫米）的集合透鏡放置在焦距之外碌尔；大約1.5英寸（38毫米）的距離。激光脊都被切割成總長度為3mm券敌，寬度通常為8-25 μ m唾戚，光柵保持在脊寬范圍內。這是為了避免暴露側壁待诅，從而使結構變短叹坦，而且我們相信這樣做可以減少橫向模式的數(shù)量，從而減少光束轉向遠高于閾值卑雁。圖4(a)顯示了應用DBR光柵前后募书，脊寬為30μm的不穩(wěn)定激光器的LIV特性轧钓；誤差條表示激光輸出的時 ...

EMS分布式布拉格反射器（DBR）集成到1550 nm的苯并環(huán)丁S21烯（BCB）封裝的有源VCSEL結構中∪衲ぃ基于InP的半VCSELs通過降低RC寄生而專門設計用于高速應用。為了從本質上減少電容寄生弛房，半導體被低K材料BCB取代道盏。利用外部加熱電流電熱驅動MEMS DBR實現(xiàn)寬調諧。DBR由11.5層對介電材料 SiNX/ SiOy在低溫等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）室中沉積而成文捶。圖1 (a) 1555 nm波長MEMS VCSEL在不同激光電流下的小信號調制響應(b) 1555 nm發(fā)射波長下共振頻率fR與的D因子擬合(c)繪制了不同調諧波長下3db的Max帶寬所有測量均在20°C下進 ...

上制造分布式布拉格反射器（DBR），用于光譜縮小和模式選擇采用金屬有機氣相沉積（MOCVD）技術粹排，在應變平衡的In0.66Ga0.34As/Al0.69In0.31As材料的InP襯底上生長激光結構种远。圖3圖2(a)為QC激光器端部在蝕刻短溝槽后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，圖2(b)為用鉑填充溝槽后的相同器件顽耳。首先坠敷，我們使用100 ns寬度和5 kHz重復頻率的脈沖，通過測試蝕刻前后激光器的不穩(wěn)定性射富，研究了未填充溝槽的影響膝迎。實驗裝置如圖4的頂部插入所示，包括一個準直透鏡胰耗。限次，焦距?1.5英寸。另一個相同的透鏡將準直光束聚焦到室溫碲化汞鎘（MCT）探測器上柴灯。我們從接收功率中提取斜率效率卖漫，并注意到 ...

寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制(1)-簡介自1977年Iga首次提出垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）以來，為了使其成為光通信中具有競爭力的高速光源赠群，已經(jīng)進行了大量的發(fā)展羊始。發(fā)射波長在850nm左右的GaAs VCSEL由于具有高調制帶寬和光輸出功率，已經(jīng)成為部署在多模光纖局域網(wǎng)中的主導光源乎串。報告的z高數(shù)據(jù)速率可達71Gb/s店枣，適用于鏈路長度<100m的數(shù)據(jù)中心應用。另一方面叹誉，在1300-1600nm波長范圍內發(fā)射的長波長VCSEL在電信領域也取得了顯著的成熟水平鸯两。對于快速發(fā)展的應用，如計算機通信长豁、接入網(wǎng)钧唐、無線基站之間的互連和通信，它們是非常有吸引力的光源匠襟。與傳 ...

寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制（2）-Mems容器結構與加工1.半VCSEL結構BCB MEMS可調諧VCSEL的示意圖如圖1所示钝侠。它主要由兩部分組成：半VCSEL和MEMS DBR该园。半VCSEL主要由一個基于AlInGaAs的有源區(qū)、兩個InP熱和電流擴散層帅韧、一個埋地隧道結（BTJ）和一個固定底部DBR反射鏡組成里初。由兩個重摻雜p-AlGaInAs和n-GaInAs層組成的圓形BTJ限制了結構中心的電流，以保證有源區(qū)域具有足夠高的電流密度忽舟。為了實現(xiàn)高斯基模的高放大双妨，增益曲線和光模之間的重疊必須是z佳的。這只能在束腰符合BTJ半徑的情況下實現(xiàn)叮阅。因此刁品，由于其不同的橫向 ...

寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制（3）-靜態(tài)特征對于靜態(tài)特性，MEMS VCSEL二極管通過向頂部（非接觸）和底部（p接觸）觸點板注入直流電流IL來電泵浦浩姥，MEMS通過向MEMS電極注入另一個直流電流Imems來驅動挑随，如圖3所示。BCB MEMS可調諧VCSEL在19mA固定偏置下的發(fā)射光譜如圖4(a)所示勒叠。激光從1524nm開始兜挨，MEMS加熱電流為8mA。在與激光模相鄰的較低波長處可以看到被抑制的高階橫模眯分。隨著加熱功率的增大暑劝，初始氣隙=4.3μm也增大。因此颗搂，單模發(fā)射波長不斷向更高的值移動担猛。圖4 (a)連續(xù)波（CW）下，不同MEMS加熱電流下固定偏置19mA的VC ...

寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制（4）-動態(tài)測量1)小信號調制響應：小信號調制響應的S21參數(shù)給出了激光動態(tài)行為的估計丢氢。在不同的偏置電流和不同的發(fā)射波長下進行了實驗傅联。散熱器溫度設置為20℃。該芯片的共面連接由級聯(lián)地面信號40GHz探頭直接連接疚察。用接觸針單獨探測MEMS進行電熱驅動蒸走，如圖7所示。27GHz皮秒脈沖偏置電路將來自矢量網(wǎng)絡分析儀（Agilent Technologies E5071C ENA）的高頻信號與來自激光二極管控制器的直流偏置相結合貌嫡。小信號功率電平設置為?7dbm比驻。輸出光與標準單模透鏡光纖對接耦合。zui后岛抄，一個光電二極管（Anritsu MN47 ...