二維光柵一維光柵普通光柵光柵是周期性的結(jié)構(gòu)荒叶,當(dāng)衍射角度滿足光柵公式時(shí) 碾阁,光強(qiáng)Max,其中m=0零級(jí)光些楣,m=1時(shí)稱為1級(jí)光脂凶,同理還有一些其他的光。對(duì)于普通光柵愁茁,zui終的光場分布如下蚕钦,其中d時(shí)狹縫寬度,M時(shí)狹縫數(shù)量埋市。衍射光都是整數(shù)倍將光柵替換成0和的相位光柵如果將相鄰的兩個(gè)狹縫換成相位型冠桃,一個(gè)相位延遲為0,另一個(gè)相位延遲為[MISSING IMAGE: ]道宅,那么其光強(qiáng)分布變成如下食听,其中d時(shí)狹縫寬度,M是狹縫數(shù)量污茵。衍射光的位置位于的整數(shù)倍初始的強(qiáng)度光柵樱报,衍射級(jí)次出現(xiàn)在\[Pi]的偶數(shù)倍上,但是相位光柵的峰值出現(xiàn)在的齊次倍上泞当。如果仍舊按照光柵方程的方法理解迹蛤,當(dāng)相鄰的兩束光的相差為等于自身半個(gè)波長加上 ...
部合并周期性光柵實(shí)現(xiàn),例如分布式反饋光柵或分布式布拉格反射器襟士。然而盗飒,需要在波長尺度上精確的周期結(jié)構(gòu)需要更復(fù)雜的制造步驟(例如,電子束光刻)陋桂,通常導(dǎo)致更高的成本和更低的產(chǎn)量逆趣。機(jī)械可移動(dòng)光柵集成到外腔,使單模調(diào)諧范圍寬然而嗜历,在這種配置中宣渗,波長選擇和調(diào)諧需要系統(tǒng)集成和光學(xué)校準(zhǔn)。因此梨州,用簡單的制造步驟就能實(shí)現(xiàn)單模發(fā)射的空腔是人們所需要的痕囱,并且已經(jīng)用不同的幾何形狀進(jìn)行了研究,例如直耦合法布里珀羅空腔和折疊法布里珀羅空腔暴匠。非對(duì)稱MachZehnder (AMZ)干涉儀是波長選擇性的理想選擇鞍恢,已廣泛應(yīng)用于光纖激光器zui近,一種新型的腔體設(shè)計(jì)每窖,將AMZ干涉儀單片集成在QC激光器中帮掉,已經(jīng)報(bào)道了單模工作,側(cè)模抑 ...
饋(DFB)光柵集成到激光腔中岛请,利用外腔(EC)或通過單片耦合腔設(shè)計(jì)旭寿。具有深蝕刻光子帶隙反射鏡(PBGM)和高反射分布式布拉格反射鏡(DBRs)的QC激光器先前已被證明,但沒有提供更大的調(diào)諧范圍崇败。zui近的另一種方法是在QC激光脊中引入一個(gè)電隔離的淺蝕刻DBR部分盅称,以允許在更長的光譜范圍內(nèi)調(diào)諧設(shè)備。然而后室,上述應(yīng)用不需要單模操作缩膝,并且在高注入電流和光功率下防止光譜展寬被認(rèn)為是足夠的,特別是如果它不會(huì)產(chǎn)生功率或閾值的懲罰岸霹。在這里疾层,我們報(bào)告了具有窄帶輸出到峰值光功率的QC激光器的制造和演示,即在整個(gè)動(dòng)態(tài)電流范圍內(nèi)贡避,通過應(yīng)用DBR光柵痛黎,在4.5μm處保持光譜展寬小于5 cm-1予弧。在實(shí)驗(yàn)演示中,我們應(yīng)用 ...
測器湖饱,在應(yīng)用光柵之前和之后進(jìn)行光電流-電壓(LIV)測量掖蛤,以確定閾值電流和峰值功率的zui終變化。激光器安裝在具有ZnSl窗口的低溫恒溫器內(nèi)井厌,一個(gè)直徑約2英寸(50毫米)的集合透鏡放置在焦距之外蚓庭;大約1.5英寸(38毫米)的距離。激光脊都被切割成總長度為3mm仅仆,寬度通常為8-25 μ m器赞,光柵保持在脊寬范圍內(nèi)。這是為了避免暴露側(cè)壁墓拜,從而使結(jié)構(gòu)變短港柜,而且我們相信這樣做可以減少橫向模式的數(shù)量,從而減少光束轉(zhuǎn)向遠(yuǎn)高于閾值撮弧。圖4(a)顯示了應(yīng)用DBR光柵前后潘懊,脊寬為30μm的不穩(wěn)定激光器的LIV特性;誤差條表示激光輸出的時(shí)間變化贿衍,由于面內(nèi)光束轉(zhuǎn)向(常見的寬脊授舟,高峰值功率激光器)。誤差條是在隨機(jī)時(shí)間間隔 ...
改變外部衍射光柵的角度贸辈,通過頻率選擇性反饋產(chǎn)生單模發(fā)射释树,從而在寬光譜范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)諧雖然zui近已經(jīng)證明了超過250 cm?1的調(diào)諧范圍,但增益光譜根本不調(diào)諧擎淤,或者以比光學(xué)調(diào)諧小得多的速率調(diào)諧奢啥,因此導(dǎo)致從中心發(fā)射的藍(lán)移和紅移的輸出功率降低。雖然可以通過溫度調(diào)諧來實(shí)現(xiàn)增益頻譜的移位嘴拢,但這并不廣泛適用于室溫操作的系統(tǒng)桩盲;因此,需要其他策略來調(diào)整增益頻譜席吴。本研究描述了調(diào)整QCL腔長以調(diào)諧增益譜赌结。空腔長度是一個(gè)簡單的后處理選擇參數(shù)孝冒,因此非常適合于方便地調(diào)整QCL增益譜和選擇峰值增益波長柬姚。對(duì)于這里提出的QCL,波長選擇范圍足夠?qū)捵校梢钥缭蕉趸嫉恼麄€(gè)振動(dòng)-旋轉(zhuǎn)吸收特征CO2量承。設(shè)計(jì)的量子級(jí)聯(lián)激光器的中心發(fā)射 ...
括輸入和輸出光柵耦合器,用于在光纖和薄膜調(diào)制器器件之間耦合光,以及使用兩條臂的馬赫-曾德爾調(diào)制器部分撕捍。如果使用自由空間太赫茲波信號(hào)進(jìn)行調(diào)制拿穴,可以將其中一只手臂極化,使鈮酸鋰晶體的自發(fā)極化方向相反卦洽,從而在給定電場下實(shí)現(xiàn)相反的折射率變化贞言,從而在輸出中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度調(diào)制斜棚》У伲或者,如果使用金屬電極弟蚀,則不需要極化蚤霞,并且與另一只手臂相比,一只手臂的電場將被逆轉(zhuǎn)义钉。圖1(b)顯示了不同臂長下典型鈮酸鋰薄膜器件的計(jì)算調(diào)制帶寬昧绣。可以看出捶闸,這些薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器設(shè)備的調(diào)制帶寬可以達(dá)到數(shù)太赫茲夜畴。通過設(shè)計(jì)薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)更好的相位匹配,可以進(jìn)一步增加薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器設(shè)備帶寬删壮。圖1所示(a) 太赫茲調(diào)制器 ...
用了智能衍射光柵設(shè)計(jì)贪绘,具有高靈敏度、高分辨率央碟、高重復(fù)性的特點(diǎn)税灌。圖1 SID4波前傳感器部分測試結(jié)果圖★什么是波前傳感器?波前傳感器是一種設(shè)計(jì)用來測量光波前的裝置。術(shù)語“波前傳感器”;適用于不需要任何參考光束干擾的波前測量儀器亿虽。波前傳感器的應(yīng)用范圍很廣菱涤,如光學(xué)測試和對(duì)準(zhǔn)(表面測量)、傳輸波前誤差測量洛勉、調(diào)制粘秆。★QWLSI四波橫向剪切干涉測量原理四波橫向剪切干涉測量(QWLSI原理) 具有納米級(jí)靈敏度和高分辨率的相位和強(qiáng)度收毫。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)依靠衍射光柵將入射光束復(fù)制成4個(gè)相同的波攻走。經(jīng)過幾毫米的傳播,4個(gè)波紋重疊并干涉牛哺,在檢測器上產(chǎn)生干涉圖陋气。★QWLSI四波橫向剪切干涉技術(shù)優(yōu)勢四波橫向剪切干涉測量技術(shù)(Q ...
是一個(gè)經(jīng)典的光柵形狀引润,有無數(shù)的峰值巩趁,峰值間隔為依據(jù)博客中的描述,因?yàn)榫矸e核和信號(hào)是卷積的操作,所以頻域內(nèi)是相乘的议慰,可以表示為然后對(duì)信號(hào)做反轉(zhuǎn)操作假設(shè)一個(gè)信號(hào)為信號(hào)反轉(zhuǎn)后蠢古,表達(dá)形式變成如果信號(hào)反轉(zhuǎn),那么根據(jù)一些傅里葉變換的性質(zhì)别凹,他的傅里葉變換變成進(jìn)一步對(duì)信號(hào)做濾波草讶,仍然從頻域去理解,頻域就是直接車在原有的信號(hào)上乘以卷積核的傅里葉變換公式zui后還是反轉(zhuǎn) 信號(hào)炉菲,根據(jù)第二步的理解堕战,就是將現(xiàn)有的頻域做共軛,然后乘以一個(gè)指數(shù)拍霜,看網(wǎng)頁上的公式嘱丢,指數(shù)部分zui終是抵消了,zui終變成前兩項(xiàng)恰好是共軛的祠饺,所以相乘后只留下了實(shí)數(shù)部分越驻,沒有相位影響,但是振幅的影響是平方的道偷,所以zui終實(shí)現(xiàn)的是一個(gè)零相位延遲缀旁,同時(shí) ...
諧。高對(duì)比度光柵(HCG) VCSEL的小信號(hào)調(diào)制(S21)帶寬僅為7.8 GHz勺鸦,僅為1550 nm并巍。在這項(xiàng)工作中,通過表面微加工將MEMS分布式布拉格反射器(DBR)集成到1550 nm的苯并環(huán)丁S21烯(BCB)封裝的有源VCSEL結(jié)構(gòu)中祝旷÷陌模基于InP的半VCSELs通過降低RC寄生而專門設(shè)計(jì)用于高速應(yīng)用。為了從本質(zhì)上減少電容寄生怀跛,半導(dǎo)體被低K材料BCB取代距贷。利用外部加熱電流電熱驅(qū)動(dòng)MEMS DBR實(shí)現(xiàn)寬調(diào)諧。DBR由11.5層對(duì)介電材料 SiNX/ SiOy在低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)室中沉積而成吻谋。圖1 (a) 1555 nm波長MEMS VCSEL在不同激光電流下的小信 ...
用寬可調(diào)諧外光柵腔量子級(jí)聯(lián)激光器(QCL)在檢測水平上成功檢測另一種CWA模擬物忠蝗,二甲基膦酸甲酯(DMMP),該檢測水平有助于確保公共安全和誤報(bào)率足夠低漓拾,以盡量減少不必要的經(jīng)濟(jì)中斷的發(fā)生阁最。圖1采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法生長QCL芯片,長3mm骇两,增益中心為速种,為9:6 μm。在室溫下低千,該QCL在具有未涂層面的Fabry-Perot (FP)幾何結(jié)構(gòu)中運(yùn)行時(shí)配阵,每個(gè)面產(chǎn)生約65mw的連續(xù)波功率。多模FP光譜覆蓋9450-9750 nm(圖1)。為了獲得在圖1所示的幾乎整個(gè)波長范圍內(nèi)可調(diào)諧的單頻可調(diào)諧功率輸出棋傍,我們將QCL增益芯片集成到物理長度為27 mm的外部光柵腔配置中救拉。將未涂覆的QCL增益芯片安裝 ...
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