中文：折射；英文：refraction

超連續(xù)光譜研究折射率和色散曲線摘要：本文講述的材料在折射率和色散的準(zhǔn)確測(cè)量的應(yīng)用，并對(duì)折射率搔预，色散等進(jìn)行了原理簡(jiǎn)述。超連續(xù)譜激光在很多領(lǐng)域都有著積極的應(yīng)用敢课，入光學(xué)，生命科學(xué)绷杜，氣象學(xué)直秆，材料學(xué)等領(lǐng)域應(yīng)用胖翰，今天了解一些在材料上的應(yīng)用，先了解下折射率和色散切厘，他們兩者是有著密切關(guān)系的，需要關(guān)注到的一個(gè)相關(guān)方面是懊缺，材料的折射率隨波長(zhǎng)變化疫稿，這種變化稱為色散。由于這種依賴性鹃两，他們認(rèn)為選擇一種可以測(cè)量不同波長(zhǎng)光譜的光源是至關(guān)重要的遗座。折射率：折射率是光在真空中的傳播速度與光在該介質(zhì)中的傳播速度之比。它描述了一個(gè)介質(zhì)對(duì)光的折射能力俊扳，即光從一個(gè)介質(zhì)進(jìn)入另一個(gè)介質(zhì)時(shí)傳播方向改變的物理量途蒋。折射率的公式為：n=vc，其中n ...

介電層組成馋记，折射率對(duì)比度為Δn≈1号坡。半VCSEL經(jīng)過處理并嵌入鍍金基板中。金和上述介質(zhì)DBR的組合使整個(gè)調(diào)諧范圍內(nèi)的反射率幾乎達(dá)到100%梯醒。圖1 MEMS-VCSEL的示意圖宽堆。采用表面微加工的方法，在BCB半VCSEL上沉積了11.5對(duì)SiNx/SiOy對(duì)組成的MEMS-DBR茸习。微機(jī)電系統(tǒng)可以通過電熱驅(qū)動(dòng)來調(diào)節(jié)發(fā)射波長(zhǎng)為了提高高速運(yùn)行畜隶，必須降低器件的寄生電阻和電容。由于隧道結(jié)結(jié)構(gòu)号胚，大部分低導(dǎo)電性的半導(dǎo)體p材料被高導(dǎo)電性的n材料所取代籽慢，半vVCSEL的歐姆電阻相對(duì)較低。為了降低寄生電容猫胁，平臺(tái)周圍的半導(dǎo)體被低k聚合物BCB取代箱亿。Al-GaInAs/InGaAs量子阱設(shè)計(jì)用于高壓縮應(yīng)變操作，以獲得更 ...

BR電介質(zhì)的折射率杜漠、減小孔徑尺寸以及通過適當(dāng)?shù)碾娀p小光學(xué)損耗等措施可以改善該特性极景。|H(f)|2的3db角頻率相對(duì)于高于閾值的電流的平方根也繪制在圖8(c)中。該曲線在低電流狀態(tài)下用線性直線方程擬合驾茴。斜率表示為調(diào)制電流效率因子（MCEF）盼樟，提取的MCEF為2.11.7GHz/mA1/2。不同調(diào)諧波長(zhǎng)下S21調(diào)制響應(yīng)的3db角頻率如圖8(d)所示锈至。在47nm的調(diào)諧范圍內(nèi)獲得了3db小信號(hào)調(diào)制帶寬>4.63GHz晨缴。圖8 (a)在閾值電流Ith=5.8mA以上，14μm BTJ直徑的MEMS VCSEL在不同偏置點(diǎn)下的小信號(hào)調(diào)制響應(yīng)的S21參數(shù)(b)共振頻率fR對(duì)高于閾值(I-Ith)1/2 ...

峡捡，纖芯與包層折射率n1,n2）击碗，達(dá)到調(diào)整光纖的波導(dǎo)常數(shù)（歸一化頻率）V值筑悴，使之滿足如下條件：從而實(shí)現(xiàn)光纖中只有基模HE11（或標(biāo)量模LP01）單一模式傳輸，而臨近的高次模TE01模稍途、TM01模阁吝、HE21模（標(biāo)量模LP11模）均截止。V值的選取不同械拍，將影響光纖芯突勇、包層中所占的光功率，如V=2.405坷虑，芯甲馋、包層功率比為0.84：0.16；V=1時(shí)迄损，芯包功率比為0.3：0.7定躏。即V值越小，轉(zhuǎn)移到包層中的光功率越多芹敌。因而實(shí)際的單模光纖其歸一化工作頻率的選擇一般在2.0-2.35痊远。對(duì)滿足弱波導(dǎo)條件的歸一化方程稍加簡(jiǎn)化變形，可以得到單模光纖的設(shè)計(jì)方程：在單模光纖設(shè)計(jì)中党窜，需要重點(diǎn)考慮的因素是光纖芯徑拗引。為了避 ...

介質(zhì)材料的高折射率使得僅使用3.5對(duì)反射鏡即可實(shí)現(xiàn)非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），與需要30-40對(duì)反射鏡的半導(dǎo)體DBR相比幌衣，DBR要薄得多矾削。這使有效腔長(zhǎng)度減少了50%以上，并大大降低了光子壽命豁护，這一效應(yīng)直接增加了器件的帶寬InPBTJVCSEL概念包括一個(gè)特定的處理步驟哼凯，其中大部分半導(dǎo)體材料被蝕刻掉，為晶圓上的每個(gè)激光器產(chǎn)生一個(gè)定義的半導(dǎo)體平臺(tái)結(jié)構(gòu)楚里。這個(gè)制造步驟產(chǎn)生的空隙隨后被苯并環(huán)丁烯（BCB）填充断部，這是一種聚合物材料，被旋轉(zhuǎn)到晶圓上并在高溫下固化班缎。被測(cè)設(shè)計(jì)（DUT）的平臺(tái)直徑已進(jìn)一步優(yōu)化蝴光，以保持寄生到Min。如圖1(a)所示达址，在室溫下蔑祟，光子壽命的降低和寄生率的降低都可以極大地 ...

如果考慮有效折射率近似為n = 3.2的材料中的波長(zhǎng)，則λ = 4.5 μm和λ = 10 μm的自由空間激光波長(zhǎng)分別可以估計(jì)出λ/n = 1.4和3.1 μm沉唠。由于器件的幾何形狀以及制造和設(shè)計(jì)的限制疆虚，典型的主動(dòng)導(dǎo)芯厚度在DAR = 1.5 ~ 2.5 μm范圍內(nèi)。因此，λMWIR/n < DAR < λLWIR/n径簿，我們可以預(yù)期罢屈，雖然MWIR激光器將具有較高的約束因子，通常在85%范圍內(nèi)篇亭，但LWIR激光器將無法達(dá)到類似的重疊因子缠捌，通常在60-70%范圍內(nèi)。圖2說明了這一概念译蒂，繪制了光模式約束作為波長(zhǎng)的函數(shù)鄙币，對(duì)于具有相似波導(dǎo)參數(shù)的MWIR和LWIR激光器。圖3LWIR激光器的優(yōu)點(diǎn)之 ...

需的波導(dǎo)有效折射率的周期調(diào)制蹂随。包層和頂層生長(zhǎng)在圖案核心材料的頂部，特別小心因惭，以便在光柵層頂部再生的末端獲得一個(gè)平坦的表面岳锁。隨后的器件制造過程如下對(duì)于法布里-珀羅埋地異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件。在圖2(b)中可以看到z終DFB制造器件沿著波導(dǎo)腔切割的SEM圖像蹦魔，其中活性材料頂部的薄光斑表明存在InGaAs犧牲層激率。在側(cè)裂波導(dǎo)中，這代表了通過電子束圖案化和蝕刻InGaAs層獲得的周期性結(jié)構(gòu)勿决。當(dāng)需要時(shí)乒躺，通過介質(zhì)沉積在先前隔離的激光切面上的金屬涂層進(jìn)行電子束蒸發(fā)來完成HR涂層。金屬涂層的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)所有波長(zhǎng)的背面輻射都具有高反射性低缩，但缺點(diǎn)是由于焊接材料和背面金屬化之間發(fā)生電接觸嘉冒，降低了外延側(cè)向下安裝設(shè)備的成品率。更多詳情 ...

生長(zhǎng)InP低折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層咆繁。在另一種方案中讳推，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長(zhǎng)，中間有一個(gè)InP緩沖層玩般。這使我們能夠使用選擇性蝕刻银觅，并在不影響有源區(qū)域的情況下通過InGaAs層進(jìn)行蝕刻。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長(zhǎng)和接觸沉積完成了激光加工坏为。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示究驴，在15?C下，我們從單個(gè)發(fā)射極獲得了高達(dá)約Pout = 180 mW的連續(xù)功率匀伏。2毫米長(zhǎng)的器件安裝在正面朝下洒忧，并在高達(dá)60°C的連續(xù)波中工作，輸出功率為10 mW帘撰。典型光譜如圖6(a)所示跑慕，其中對(duì)數(shù)尺度表示30 db側(cè)模抑制比。從連續(xù)波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度核行，對(duì)應(yīng) ...

直接放置在高折射率的玻璃蓋片上牢硅，該蓋片通過邊緣耦合連接由LED或激光提供的照明[10]≈パ總之减余，LED和激光在光譜分布、電光轉(zhuǎn)換效率和輸出空間分布方面有著明顯的區(qū)別惩系。其中位岔，空間分布對(duì)于定義它們的應(yīng)用非常重要。即便如此堡牡，激光應(yīng)用和LED應(yīng)用之間存在著相當(dāng)大的重疊抒抬，這得益于能夠在共同的控制和光學(xué)基礎(chǔ)設(shè)計(jì)下容納這兩種類型的光源。z終晤柄，只有在仔細(xì)考慮空間分布的同時(shí)擦剑，結(jié)合針對(duì)分析和成像儀器需求定制的光譜和強(qiáng)度規(guī)格，才能構(gòu)建出適當(dāng)?shù)恼彰鹘婢保苑?wù)于眾多需要光子支持的生命科學(xué)和材料科學(xué)應(yīng)用惠勒。如果您對(duì)Lumencor光源有興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.wjjzl.com/t ...

象叫做光纖雙折射爬坑。雙折射引起一系列復(fù)雜的效應(yīng)纠屋，例如，由于雙折射兩模式群速度不同盾计，他們之間的簡(jiǎn)并被破壞售担，因而引起偏振模色散。從理論上來說署辉，光纖是圓芯的應(yīng)該不會(huì)產(chǎn)生雙折射灼舍，并且光纖的偏振態(tài)在傳播過程中是不會(huì)改變的。然而涨薪，在實(shí)際中骑素，常規(guī)光纖在生產(chǎn)過程中，會(huì)受到外力作用等原因刚夺，使光纖粗細(xì)不均勻或彎曲等献丑，就會(huì)使其產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象。當(dāng)光纖受到任何外部干擾侠姑，例如波長(zhǎng)创橄、彎曲度、溫度等的影響因素時(shí)莽红，光的偏振態(tài)在常規(guī)光纖中傳輸時(shí)就會(huì)變得雜亂無章妥畏。圖1偏振態(tài)簡(jiǎn)易示圖而保偏光纖的應(yīng)用則是可以解決這一偏振態(tài)變化的問題邦邦，但它并不是消除光纖中的雙折射現(xiàn)象，而是通過在光纖幾何尺寸上的設(shè)計(jì)醉蚁，產(chǎn)生更強(qiáng)烈的雙折射燃辖，來消除應(yīng)力對(duì)入射光 ...