中文：折射稿辙；英文：refraction

在磁性材料中折射率不同，從而使得兩種偏振光在磁性樣品中傳播的過程中產 生了光程差气忠，進而產生相位差邻储，從樣品中出射后兩種偏振光合成的透射光就表現 為偏振面較入射光來講發(fā)生了一定角度的偏轉赋咽。塞曼效應是指在外磁場中，光源發(fā)出的光的各能級譜線在磁場下進一步分裂 成更多條吨娜，并且分裂出的各譜線的間隔和外磁場的大小成正比的磁光效應脓匿，該效 應的原理是原子的自旋磁矩和軌道磁矩在外磁場的作用下能級會發(fā)生進一步的 分裂。塞曼效應的發(fā)現直接推動了量子力學的完善并導致自旋這一自由度被發(fā)現宦赠。圖1.三種克爾效應示意圖陪毡，從左至右依次為極向、縱向和橫向克爾效應則是說當偏振光在磁性樣品表面被反射后勾扭，反射光的偏振面相對入射光發(fā)生一定 ...

有藍寶石的雙折射效應毡琉。三、具體實驗驗證實驗采用YAG晶體妙色，中心波長1030 nm的飛秒激光器桅滋，脈寬約為400 fs，重復頻率為300 kHz身辨。利用顯微物鏡將激光束聚焦于樣品表面虱歪，光斑大小3.5 um。樣品的移動通過高精度三維電控位移臺實現栅表。對YAG晶體樣品表面的不同位置進行輻照，所有實驗均在常溫师枣、常壓的空氣中進行怪瓶。單脈沖作用后的燒蝕形貌如圖所示，在單脈沖燒蝕下践美，損傷坑的直徑隨著脈沖能量的增加而增加而增加洗贰。在飛秒激光作用后，在燒蝕坑內和周圍形成了一定數量的納米顆粒陨倡。圖1.單脈沖燒蝕形貌記錄多脈沖作用下敛滋，孵化效應在燒蝕過程中扮演重要角色。在介電材料和半導體材料中兴革，由外部激光作用引起的晶格缺陷绎晃，可以 ...

從而引起材料折射率和增益系數的改變咱揍，也會使激光器的發(fā)射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題棚饵，它是一款超低噪聲半導體激光器控制器煤裙，一款集電流控制掩完、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器硼砰，集八大功能于一體且蓬，提供用于驅動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器夺刑，700kHz帶寬缅疟；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz遍愿，直流至1MHz存淫；帶有珀爾帖TEC驅動的溫度控制器；掃描振蕩器沼填；一對高壓壓電驅動桅咆；解調器（鎖相放大器）；微分光電探測器坞笙；交流調制源岩饼；伺服反饋回路濾波電路；人體工程學控制薛夜，包括5位 ...

于確定它們的折射率、電導率和其他基本參數梯澜。挑戰(zhàn)實現高性能太赫茲時域光譜系統(tǒng)的關鍵挑戰(zhàn)之一是光學延遲掃描寞冯。傳統(tǒng)的太赫茲系統(tǒng)一直使用機械光學延遲線，但這樣通常需要在掃描速度和掃描范圍之間進行權衡晚伙。長距離的高速移動是這些機械設備的重大挑戰(zhàn)吮龄。太赫茲時域光譜系統(tǒng)經常應用于檢查厚度的光學系統(tǒng)之中，其中反射光需要被較大的光學延遲所分開咆疗，同時漓帚，系統(tǒng)也需要足夠的光譜分辨率來解析光譜特征∥绱牛快速的光學延遲掃描在滿足這兩個要求方面發(fā)揮著至關重要的作用尝抖。通過快速光學延遲線，太赫茲系統(tǒng)可以部署在快速點掃描應用和需要在短時間內檢查大表面區(qū)域的工廠中漓踢。在這些場景中牵署，機械的光學延遲通常難以實現高吞吐量的性能要求。采用單腔雙梳的 ...

-10(a)折射率n值來看喧半，沒有沉積之前即0s時奴迅，n值從300nm-800nm不斷減小，在300nm-500nm波段平緩，500nm處驟減取具，600nm-800nm達到zui小值且有波動脖隶。與0s相比，不同沉積時間在300nm-500nm波段每個沉積時間的變化趨勢一致暇检，數值上180szui大产阱，360szui小，其余介于二者之間块仆；都在330nm和410nm附近存在波包构蹬。在500nm-800nm波段，變化趨勢比較相似悔据，數值上比0s的大庄敛，但是存在波動，特別是180s在600nm附近存在驟減科汗。從圖4-10(b)消光系數k值來看藻烤，0s時k值從300nm-800nm不斷增加，在300nm-500nm波段平緩头滔， ...

移怖亭、厚度以及折射率等物理量。工作原理：當兩束光的頻率相同坤检、振動方向相同且相位差恒定時兴猩，它們可以發(fā)生干涉。通過調節(jié)干涉臂的長度或改變介質的折射率早歇，可以形成不同的干涉圖樣1113峭跳。干涉條紋實際上是等光程差的軌跡，因此缺前，分析干涉產生的圖樣需要求出相干光的光程差位置分布的函數。邁克爾遜干涉儀的zhu名應用之一是邁克爾遜-莫雷實驗悬襟，該實驗證實了以太的不存在衅码，為狹義相對論的基本假設提供了實驗依據。此外脊岳，邁克爾遜干涉儀還在引力波探測中得到廣泛應用逝段，如激光干涉引力波天文臺（LIGO）等，通過測量由引力波引起的激光的光程變化來探測引力波割捅。邁克爾遜干涉儀還被應用于尋找太陽系外行星的探測中奶躯，以及在延遲干涉儀，即光學 ...

OLED厚度測量OLED結構用于從電視屏幕到手機的許多應用中亿驾。典型的OLED結構包括夾在電極之間的三個薄有機層:HTL(空穴傳輸層)嘹黔、EML(電子遷移率)或空穴阻塞層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結構示意圖構成OLED結構的薄膜的計量是至關重要的莫瞬。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價儡蔓、可靠郭蕉、非接觸的計量方法∥菇可以測量材料的厚度和光學常數召锈。MProbe UVVis可以測量毯狀(無圖案)樣品，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級進行測量获询。一涨岁、測量實例圖2玻璃上ITO(透明導電氧化物)的測量-使用參數化ITO模型確定厚度和光 ...

PCBA上的涂層厚度測量在pcb制造過程中，通常采用保形保護涂層來保護電路吉嚣。根據規(guī)格要求涂不同的涂層梢薪。涂層范圍從簡單的水溶性防塵涂層(通常< 20μm)到專門的疏水涂層(<1 μm)。MProbe 40可以直接在PCBA上測量涂層厚度瓦戚，以避免使用測試片的成本和不準確性沮尿。測量可以在PCBA的不同區(qū)域進行，包括SMT元件表面较解，以驗證涂層的均勻性和厚度畜疾。測量通常使用40 μm或20 μm的可見或可見-近紅外范圍(400-1000 nm)的測點進行。實例1 測量PCB表面的水溶性涂層圖1 涂覆PCB的反射光譜圖2 PCB測量區(qū)圖3 測量結果:18.4μm涂層和0.6μm界面層圖4 PCB上 ...

粗糙表面上的膜厚測量由于光散射印衔，粗糙表面上的薄膜厚度測量通常具有挑戰(zhàn)性啡捶。事實上，表面粗糙度和厚度不均勻性是降低光譜反射系統(tǒng)厚度測量能力的兩個主要因素奸焙。然而瞎暑，這些特性通常存在于許多現實生活中，例如金屬涂層与帆。MProbeMSP提供了一種解決方案來克服這一限制了赌，甚至可以測量z具挑戰(zhàn)性的應用。解決方案的關鍵是表面粗糙度和厚度不均勻性都取決于測量區(qū)域玄糟。通過減小測量點尺寸勿她，可以減少有效粗糙度和厚度不均勻性（在該點內觀察到）。一阵翎、表面粗糙度表面粗糙度會導致光散射增加逢并。這導致鏡面反射率降低和干擾減弱。編織長度越短郭卫，光散射越明顯砍聊。因此，長可見光和近紅外(NIR)波長范圍(700-1700nm)更適合表面粗糙度的 ...

該波導由一個折射率高于周圍材料的通道組成玻蝌。圖1：集成光波導光通過通道壁的全內反射來引導。根據波長、襯底折射率灶伊、折射率差疆前、通道的寬度和深度，可以激發(fā)一個或多個橫向振蕩模式聘萨。單模操作是非常有價值的竹椒，因為它是許多集成的光學元件的功能。集成光學元件特別是在光通信技術中通常配備光纖米辐，線性電光效應胸完，也稱為波克爾效應，是一種二階非線性效應翘贮，包括在外加電場時光學材料折射率的變化赊窥。折射率的變化量與電場強度、其方向和光的偏振率成正比狸页。制造集成光調制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）锨能。如果使用長度為L的電極將電場施加于電導，則電極之間區(qū)域的折射率會發(fā)生變化芍耘，從而產生引導光的相移址遇，相移與所施加的電壓會呈線性關系 ...