包括與InP襯底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源區(qū)域晶格，以及所謂的結合-連續(xù)體或等效方式的四個或更多有源阱妨托「组唬活性阱周期性地重復30-40次吝羞，并被厚的、低摻雜的内颗、InP包層包圍钧排，在頂部觸點下方有等離子體增強的約束層。圖1圖1顯示了器件QCL-A的電光特性均澳。這種情況下的波導尺寸為：width×length = 7.5 μm×4 mm恨溜。發(fā)射波長以λ = 6.14 μm為中心，Max輸出功率為P = 1.25 W找前。高反射涂層可用于器件的單面發(fā)射糟袁。在電流為I = 1.2 A時，Max壁插效率（定義為器件的電光轉換效率躺盛，不包括熱電冷卻器（TEC）所需的功率项戴，η = Pout/Pin）為η = ...
氧化硅片作為襯底。材料堆在室溫下使用磁控濺射系統(tǒng)（AJA ATC-Orion 8）沉積槽惫，基壓為8 × 10?8 Torr或更高肯尺。在2.0 mTorr的濺射壓力和0.68、0.62躯枢、0.37则吟、0.30 ?/s的沉積速率下，采用直流沉積法制備了Pt锄蹂、Ta氓仲、Ir和Fe材料。在3.0 mTorr的濺射壓力和0.26 ?/s的沉積速率下得糜，通過射頻電流沉積Co敬扛。頂部和底部的Ta(5)層分別作為抗氧化和粘附的保護層沉積。添加了額外的Ir底層以為重復層提供類似的接口朝抖。隨后啥箭，采用電子束光刻（Raith e-line）和離子銑削（帶有Hiden SIMS元素探測器的AJA離子銑削系統(tǒng)）技術，制作了20 μm × ...
射工具沉積了襯底/Ta(5)/Pt(1)/[Co(0.3)/Pt(0.3)]5/Co(0.46)/Ru(0.4)/Co(0.6)/W(0.3)/CoFeB(0.8)/MgO(1.2)/CoFeB(1.2)/Pt(5)薄膜樣品治宣，每層厚度以納米為單位在括號中表示急侥，如圖1a所示。圖1b中的高角度環(huán)形暗場（HAADF）圖像顯示了堆疊中的光滑界面和高結晶質量侮邀。利用高分辨率亮場掃描透射電子顯微鏡（STEM）觀察了具有清晰界面的單個層的外延生長坏怪。圖1c中的高分辨率TEM （HRTEM）圖像表明，獲得了具有特定厚度的幾乎完美的單晶連續(xù)薄膜堆棧绊茧。利用二次電子質譜（SIMS）分析了膜層中元素的分布和界面處的z小混 ...
與左半部分裸襯底進行比較铝宵，通過定制的ALD工藝，我們成功地實現(xiàn)了在50℃下华畏，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元級生產鹏秋。在此我們進行拉曼光譜和作圖表征來評價薄膜的質量和均勻性（AUT-Nanobase-XperRamS）尊蚁。圖1c是ALD-Te的典型拉曼光譜，在141侣夷、122和2325px-1處分別表現(xiàn)出相應的E2枝誊、A1和E1振動模式。三種振動模式與晶體Te的振動模式一致惜纸，表明鏈內共價鍵和vdW耦合的連間鍵形成良好。共聚焦拉曼mapping是在整個元片上選取20個分散的具有代表性局部區(qū)域圖進行檢測绝骚，檢測條件為單個面積為20μm×20 μm耐版，步進為1μm。E2和A1模式的合并圖顯示了在晶元 ...
/p+-Si襯底上的底部電極(L1/L2/L3 = 0.5/1/2 μm压汪，30 nm厚的Au)粪牲。通過光學顯微鏡和原子力顯微鏡（AFM）確定的適當選擇的顯微機械剝離的WSe2多層膜，干轉移到底部電極上止剖。 然后利用電子束光刻腺阳，制作垂直排列的頂部接觸電極（115 nm厚Au）。制造器件的各種通道幾何信息精確地由原子力顯微鏡穿香，如通道厚度（tWSe2≈15 nm亭引，對應于大約18-19層）、長度（L1/L2/L3=0.5/1/2 μm）和寬度（W=6.5μm）皮获。 然后利用532 nm的激光激發(fā)波長（λEX）焙蚓，激光功率(P)為0.5 mW)AUT-Nanobase-XperRamC共聚焦顯微拉曼光譜儀系統(tǒng)， ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
