渐夸。根據(jù)波長(zhǎng)嗤锉、襯底折射率、折射率差捺萌、通道的寬度和深度档冬，可以激發(fā)一個(gè)或多個(gè)橫向振蕩模式膘茎。單模操作是非常有價(jià)值的，因?yàn)樗窃S多集成的光學(xué)元件的功能酷誓。集成光學(xué)元件特別是在光通信技術(shù)中通常配備光纖披坏，線性電光效應(yīng)，也稱為波克爾效應(yīng)盐数，是一種二階非線性效應(yīng)棒拂，包括在外加電場(chǎng)時(shí)光學(xué)材料折射率的變化。折射率的變化量與電場(chǎng)強(qiáng)度玫氢、其方向和光的偏振率成正比帚屉。制造集成光調(diào)制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）。如果使用長(zhǎng)度為L(zhǎng)的電極將電場(chǎng)施加于電導(dǎo)漾峡，則電極之間區(qū)域的折射率會(huì)發(fā)生變化攻旦，從而產(chǎn)生引導(dǎo)光的相移，相移與所施加的電壓會(huì)呈線性關(guān)系生逸。圖2：相位調(diào)制器圖3：相移這相當(dāng)于幾伏特牢屋，在給定的電極幾何形狀下；對(duì)于較長(zhǎng)的波長(zhǎng)槽袄，它 ...
膜層的體積比襯底小烙无，因此有效射頻介電常數(shù)近似等于襯底介電常數(shù)。石英的介電常數(shù)比鈮酸鋰的介電常數(shù)小20倍遍尺。因此截酷，通過在低介電常數(shù)襯底(如石英)上使用TFLN波導(dǎo)，可以實(shí)現(xiàn)顯著高于具有相同相互作用長(zhǎng)度的體或波導(dǎo)傳感器的靈敏度水平乾戏。此外迂苛，TFLN傳感器允許太赫茲信號(hào)和光信號(hào)之間的相位匹配以前，使用相位匹配的TFLN波導(dǎo)調(diào)制器已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了高達(dá)太赫茲的調(diào)制速度在TFLN平臺(tái)中歧蕉，太赫茲信號(hào)的有效折射率幾乎等于SiO2(或石英襯底)的折射率(在波長(zhǎng)為1550 nm時(shí)為~ 2)灾部，并且不受亞微米厚TFLN的影響康铭。該折射率接近于通過TFLN波導(dǎo)的光導(dǎo)模的有效折射率惯退。因此，在太赫茲信號(hào)和光信號(hào)之間更容易實(shí)現(xiàn)相 ...
熔融二氧化硅襯底上制成从藤，工作波長(zhǎng)為1550nm催跪。輸出MMI 2×2結(jié)合這些兩相調(diào)制信號(hào)并產(chǎn)生強(qiáng)度調(diào)制信號(hào)。該傳感器是用x切割LiNO3制造的夷野，其中異常軸在平面內(nèi)懊蒸，平行于傳感器芯片的表面(圖1c)。激光探測(cè)光以TE模式在光波導(dǎo)中傳播悯搔，激光的電場(chǎng)方向與表面平行骑丸。太赫茲波的電場(chǎng)平行于異常軸。太赫茲波和光波都共線傳播。對(duì)于這種安排通危，MZI的輸出由式(1)描述:式(2)中铸豁，c為光速，ωopt = (2πc/λ)為探測(cè)激光的光頻菊碟，ne = 2.15為L(zhǎng)iNO3在λ = 1550 nm處的非凡折射率节芥。LiNO3的電光系數(shù)為r33 = 30.9 pm/V。太赫茲波電場(chǎng)大小為ETHz逆害，干涉儀臂長(zhǎng)度為1头镊，傳遞函數(shù) ...
層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料魄幕。步驟 3. 進(jìn)行測(cè)量測(cè)量實(shí)際上是一個(gè)兩步過程：數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析相艇。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測(cè)量期間纯陨，可能會(huì)也可能不會(huì)得到完美的結(jié)果——需要調(diào)整膠片疊層厂捞。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從厚膜（基于FFT）算法開始队丝。一旦確定了厚度靡馁，就可以使用曲線擬合（MarquardtLevenberg 算法）對(duì)filmstack 進(jìn)行微調(diào)。此時(shí)机久，根據(jù)光刻膠的處理/條件（完全烘烤臭墨、未烘烤、部分烘烤等）膘盖，方法略有不同胧弛。如果光刻膠完全烘烤并且柯西系數(shù)正確，則無需執(zhí)行任何操作侠畔。否則结缚，需要調(diào)整 ...
型，與測(cè)量的襯底數(shù)據(jù)相比較软棺，底部的面板顯示了PETN折射率的實(shí)際復(fù)分量红竭。在所有三個(gè)幀中，豎線都被繪制以突出所有三個(gè)圖中的相似特征喘落。在討論P(yáng)ETN擦除后的不同表現(xiàn)之前茵宪，首先要注意的是，PETN很容易被異丙醇溶劑溶解瘦棋。因此稀火，擦干后留下的殘余PETN很可能是含有炸藥的異丙醇薄膜蒸發(fā)掉的結(jié)果，在鍵盤鍵上留下了一層化學(xué)薄膜赌朋。因此凰狞，在這種情況下篇裁，PETN的反射光譜應(yīng)該是作為薄膜而不是作為稀疏的粉末來建模。圖5右側(cè)的面板演示了為什么這種方法是成功的赡若。利用PETN的復(fù)折射率數(shù)據(jù)計(jì)算光滑表面的鏡面反射茴恰，結(jié)果表明，頂板PETN的實(shí)測(cè)反射光譜與中心板PETN的模擬光譜匹配良好斩熊。復(fù)雜折射率數(shù)據(jù)中的相同特征在右側(cè)面板上 ...
高分辨率微型FTIR光譜儀由大型線性行程MEMS彈出式反射鏡實(shí)現(xiàn)1．光學(xué)質(zhì)量為了在中遠(yuǎn)紅外光譜區(qū)域達(dá)到所需的反射率往枣，靜止和移動(dòng)的鏡子都需要涂上大量的金屬，特別是金(Au)粉渠。過去分冈，在氫氟酸(HF)中釋放之前和之后，確定了典型晶圓級(jí)鏡面金屬化的兩個(gè)主要技術(shù)挑戰(zhàn):(1)由于與必要的粘附促進(jìn)劑相關(guān)的額外殘余應(yīng)力霸株，鏡面曲率大幅增加;(2)電子電偶腐蝕雕沉，在HF水中，金和多晶硅之間的電極電位差導(dǎo)致多晶硅鏡面優(yōu)先腐蝕去件，從而產(chǎn)生顯著的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定和晶粒結(jié)構(gòu)擴(kuò)大坡椒。圖1為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，ChemPen?開發(fā)了一種可替代的釋放后金屬化技術(shù)尤溜，該技術(shù)消除了高壓粘附層的使用倔叼，進(jìn)一步為電子電偶腐蝕提供了基本解決方案。使用定制的 ...
以減少M(fèi)CP襯底的排氣宫莱。盡管mcp - mpt作為拉曼探測(cè)器似乎已經(jīng)過時(shí)了丈攒，但它們的靈敏度令人滿意，具有合適的時(shí)間分辨率授霸，并且它們的發(fā)展與其他應(yīng)用相關(guān)巡验。例如，zui近的進(jìn)展表明碘耳，mcp - mpt是熒光壽命成像的合適探測(cè)器显设。2. CCDs and ICCDs一般來說，ccd是RS中特別常用的檢測(cè)器變體辛辨，但對(duì)于TG設(shè)置捕捂，它們需要高度敏感(單光子計(jì)數(shù)能力)，允許快速外部觸發(fā)愉阎，并具有亞納秒范圍內(nèi)的時(shí)間分辨率绞蹦。iccd符合這些要求。光學(xué)克爾門控榜旦，它的作用就像光譜儀入口狹縫前的一個(gè)光百葉窗，已經(jīng)被幾個(gè)小組用來觸發(fā)CCD景殷。這種設(shè)置需要空間溅呢，因此限制了系統(tǒng)的可移植性澡屡。Talmi制定了拉曼多通道和門控檢測(cè)的選 ...
延法在InP襯底上生長(zhǎng)了所研究的激光器「谰桑基本結(jié)構(gòu)是先前發(fā)表的高速1.55um VCSEL結(jié)構(gòu)驶鹉，單片集成到一維陣列結(jié)構(gòu)中，光刻定義的間距為250um铣墨。對(duì)于高帶寬的電信應(yīng)用室埋，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導(dǎo)致如圖1所示的結(jié)構(gòu)伊约，具有10um厚的低介電常數(shù)鈍化苯并環(huán)丁烯姚淆，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬屡律。芯片的p側(cè)觸點(diǎn)可以在設(shè)備的頂部和底部進(jìn)行訪問腌逢，以實(shí)現(xiàn)各種安裝方式。在制造過程中超埋，去除InP襯底搏讶，并集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡面分別由33.5對(duì)InGaAlAs-InAlAs和3.5對(duì)附加Au涂層的CaF2-ZnS組成霍殴。有源區(qū)包括七個(gè)由拉伸應(yīng)變勢(shì)壘分隔的壓縮 ...
于在硅或石英襯底上轉(zhuǎn)移晶體離子切片薄層鈮酸鋰媒惕。我們的技術(shù)采用離子注入、晶圓鍵合来庭、晶體離子切片等方法制備鈮酸鋰單晶薄膜吓笙。用這種方法制備的薄膜是單晶的，其光學(xué)和電光性質(zhì)與大塊單晶晶體相同巾腕。圖2展示了我們基于鈮酸鋰薄膜平臺(tái)的鈮酸鋰電光調(diào)制器的制造流程面睛。薄膜鈮酸鋰脊形波導(dǎo)是通過干法蝕刻已沉積的SiN或直接蝕刻LN形成的。在本文的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中尊搬，我們使用了混合SiN-LN波導(dǎo)結(jié)構(gòu)叁鉴。在形成MESA結(jié)構(gòu)后，涂覆聚合物層佛寿，然后在電極位置進(jìn)行蝕刻幌墓。射頻電極zui終通過剝離工藝形成。波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由鈮酸鋰核心區(qū)域的薄層冀泻、二氧化硅（SiO2）底部包層常侣，以及折射率匹配的肋區(qū)域（在這種情況下是硅氮化物）組成。波導(dǎo)弹渔、多模干涉器（M ...
延法在InP襯底上生長(zhǎng)了所研究的激光器胳施。高速1.55umVCSEL結(jié)構(gòu)是其他高速器件的改進(jìn)版本，具有優(yōu)化的有源區(qū)域肢专、失諧舞肆、鏡像反射率和摻雜水平焦辅。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數(shù)鈍化椿胯，以實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行筷登。外延輸出鏡由32對(duì)無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和足夠的增益哩盲，有源區(qū)由7個(gè)厚度為6納米的重應(yīng)變InAlGaAs量子阱組成前方。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應(yīng)變調(diào)整為壓縮應(yīng)變的2.5%（擬晶）廉油。這將提高增益和差分增益惠险，從而實(shí)現(xiàn)低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對(duì)高溫行為進(jìn)行了優(yōu)化娱两。因此莺匠，可以得到負(fù)T0值，即該器件在60℃散熱器溫度時(shí)閾值電流 ...
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