?3 InP襯底上荧库⊙咚活性區(qū)有30個活性/注入器堆棧，平均摻雜從原來的21016 cm - 3減少到標稱的1.61016 cm- 3电爹。InGaAs波導層的厚度從0.3增加到0.4 um蔫仙， InGaAs波導層中的摻雜水平從81016降低到5 1016 cm?3料睛。包層由2.5 um的InP（摻雜斜坡為51016 ~ 11017 cm?3）丐箩、0.5 m厚的InP等離子體增強約束層和重摻雜InGaAs接觸層組成。這與原包層設(shè)計的2 um摻雜范圍為11017 ~ 3 1017 cm?3的InP加上1 um重摻雜的InGaAs帽層進行了比較恤煞。圖1經(jīng)過深入的生長條件優(yōu)化屎勘，可以從這些器件結(jié)構(gòu)表征中證明良好的材料 ...
材料的InP襯底上生長激光結(jié)構(gòu)居扒。圖3圖2(a)為QC激光器端部在蝕刻短溝槽后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像概漱，圖2(b)為用鉑填充溝槽后的相同器件。首先喜喂，我們使用100 ns寬度和5 kHz重復頻率的脈沖瓤摧，通過測試蝕刻前后激光器的不穩(wěn)定性，研究了未填充溝槽的影響玉吁。實驗裝置如圖4的頂部插入所示照弥，包括一個準直透鏡。进副，焦距?1.5英寸这揣。另一個相同的透鏡將準直光束聚焦到室溫碲化汞鎘（MCT）探測器上。我們從接收功率中提取斜率效率影斑，并注意到提高了20%给赞，達到1.3 _x0005_ Ith。然而矫户，此后光脈沖變得不穩(wěn)定片迅，導致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足 ...
活性SERS襯底主要被開發(fā)為高活性SERS襯底柑蛇。這主要是因為這些均勻的納米多孔結(jié)構(gòu)可以提供高曲率和狹窄的內(nèi)納米間隙罐旗，這在SERS襯底中被稱為“熱點”，導致更強的電磁場增強唯蝶。例如九秀，由金的脫合金制成的納米多孔Au35A65合金表現(xiàn)出較強的SERS增強性，孔徑小粘我，表面疙瘩型不規(guī)則性細小鼓蜒。此外，納米多孔金的SERS性能可以通過使納米多孔金膜起皺來產(chǎn)生大量的納米間隙用于電磁增強征字。納米多孔Cu可以通過單相Cu的選擇性腐蝕形成Cu30Mn70的HCl水溶液中的合金都弹。在非常佳形貌下，納米多孔Cu的SERS增強因子達到~1.85×105匙姜。有研究稱通過Ag的化學脫合金化形成了納米多孔Ag30Al70合金畅厢。增強系數(shù) ...
機溶劑并降解襯底中的PVP。經(jīng)過TFSI處理和退火處理的SiO2/Si襯底上印刷薄膜的拉曼光譜和光致發(fā)光(PL)光譜如圖3a氮昧、b所示框杜。在385.4和404.8 cm-1處的兩個拉曼峰對應于MoS2面內(nèi)E1 2g和面外A1g的振動模式。 E1 2g和A1g之間的拉曼位移約為19.4 cm-1袖肥，表明MoS2納米片層數(shù)較少咪辱。TFSI修飾后，A1g的波數(shù)增加了約2 cm-2椎组。這種A1g模式的轉(zhuǎn)變可以解釋為TFSI修飾了MoS2表面的缺陷油狂。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感寸癌，并且沒有改變专筷。在1.87和2.01 eV處的發(fā)射峰與PL譜中的A1和B1激子輻射一致≌粑可以觀察到TFSI處理后PL發(fā)射的顯著增強 ...
明導電氧化物襯底（即氧化銦錫）中溶解磷蛹，從而降低有機活性層的光伏性能。因此填渠，從PEDOT： PSS與有機活性層之間的界面中分離出酸性PSS弦聂，可以有效地解決器件的不穩(wěn)定性問題。由于PEDOT 和 PSS 之間存在靜電相互作用氛什，因此通常會在 PEDOT：PSS HTL 中添加摻雜劑或溶劑莺葫，以操縱它們的鍵合并提高器件的功率轉(zhuǎn)換效率 （PCE）。然而枪眉，這種添加可能會影響空穴傳輸材料內(nèi)的均勻性捺檬、親水性和能級排列，從而對其他器件參數(shù)產(chǎn)生副作用贸铜。太陽能電池在器件架構(gòu)中集成了HTL和有源層之間的界面層堡纬，這不僅可以保護活性層免受劣化聂受，還可以促進和平衡電荷-載流子傳輸現(xiàn)象。理想情況下烤镐，空穴界面層應（i）易于制造蛋济，（ ...
oS2沉積在襯底上的SiO2/ Si實時觀察。本文發(fā)現(xiàn)炮叶，單層MoS2應通過氣態(tài)前驅(qū)體反應生長并從襯底上的預成核位點結(jié)晶碗旅，中間相MoO2對于成核種子至關(guān)重要，但種子分布密度應該得到控制镜悉，高濃度的S蒸汽促進了MoS2的面內(nèi)外延生長祟辟；因此，獲得具有致密結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量單層是非常有益的侣肄。二維過渡金屬二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄層結(jié)構(gòu)的貴金屬半導體旧困。由于其非凡的電學、化學稼锅、熱學和機械性能吼具，2D TMDs具有發(fā)展成為電路中下一代電子元件的巨大潛力，如晶體管缰贝、存儲器馍悟、二極管等畔濒，以合理的成本生產(chǎn)高質(zhì)量單層TMD的可擴展和可控技術(shù)對其工業(yè)應用至關(guān)重要剩晴。然而，晶圓規(guī)模和高質(zhì)量的2DTMD生長在實踐中 ...
米片用任意的襯底將其浸出水-空氣界面侵状，合成島和納米片赞弥。本文中采用原位拉曼光譜分析方法，研究了氫氧化鈷和退火納米片樣品中活性相的性質(zhì)趣兄。從樣品中采集了原位光譜（圖5a）绽左，顯示了多個相關(guān)物種。值得注意的是艇潭，在大約500和15000px-1處觀察到兩個主峰拼窥，明確Co（OH）2的存在。在470和17000px?1處出現(xiàn)了與CoO相對應的特征峰蹋凝。該光譜中其他的較弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.這些結(jié)果與TEM和XPS結(jié)果非常吻合鲁纠。在退火樣品的拉曼光譜中，Co3O4的特征峰尤其明顯鳍寂。具體來說改含，盡管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm?1）迄汛、Eg模式（~12000px?1 ...
圖1a通過在襯底/X/Pt/Co/Ti異質(zhì)結(jié)構(gòu)中襯底和Pt之間插入種子層X捍壤，展示了襯底/X和X/Pt的界面骤视。當電荷電流沿Pt層x方向流動時，自旋向上和自旋向下的電子通過體SHE向相反方向散射鹃觉，產(chǎn)生沿y方向排列的極化py的自旋電流专酗。在進入Co層后，自旋電流對Co的磁矩施加抗阻尼轉(zhuǎn)矩τDL≈mx （M × py）和類場轉(zhuǎn)矩τFL≈M× py盗扇。由于Pt的自旋擴散長度（1.6 ~ 3 nm）小于種子層的厚度X和Pt笼裳，因此基片/X界面的自旋散射可以忽略，從而導致從基片/X界面反射到Co層的自旋可以忽略粱玲。因此躬柬，在這種特殊的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，X/Pt界面的自旋散射而不是襯底/X的自旋散射是主要的抽减。圖1b顯示了Mg ...
D）在InP襯底上生長了QCL結(jié)構(gòu)允青，該結(jié)構(gòu)由低損耗的InP基波導包層組成，包層位于43個重復的注入/活性區(qū)序列之上卵沉。每個注入?yún)^(qū)摻雜片密度為1*1011cm-1颠锉。采用傳統(tǒng)的III-V型半導體加工技術(shù)制備了脊寬為13.5 ~ 21.5 mm的脊波導激光器。采用等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）沉積0.3 mm的SiOx絕緣層史汗，通過電子束蒸發(fā)沉積30 nm/300 nm的薄鈦金頂部金屬觸點琼掠，然后將襯底減薄至200 mm，并沉積20 nm/200 nm的鍺金底部金屬觸點停撞。直徑為190 mm的圓形平臺樣品（用于電致發(fā)光和電子傳輸測量）由相同的晶圓使用類似的技術(shù)制造瓷蛙，除了不需要SiOx絕緣層。激光器 ...
子阱界面戈毒，對襯底溫度艰猬、界面切換機制、生長速率埋市、V/III比等生長參數(shù)進行了迭代生長條件優(yōu)化冠桃。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用道宅。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示食听。測量是在用于MWIR QCL設(shè)計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡污茵∮１ǎ總的來說，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)少量的殘余應變省咨，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認為材料質(zhì)量好肃弟。仿真曲線與實驗曲線吻合較好控制生長參數(shù)。用極化子C-V測試來監(jiān)測結(jié)構(gòu)中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscope）技術(shù)對生長的 ...
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