n摻雜InP襯底中具有高的自由職業(yè)吸收而具有很高的損耗黍聂。由于在太赫茲范圍內(nèi)相對(duì)于中紅外指數(shù)(nmidir)有更快的頻率依賴有效指數(shù)躺苦，模態(tài)相位匹配只能在相對(duì)較窄的頻率范圍內(nèi)滿足。為了克服這一限制产还，可以用半絕緣的InP襯底代替有損耗的襯底匹厘，并使用?erenkov相位匹配方案從腔中提取THz光，如圖9(b)[41,42]所示脐区。在?erenkov構(gòu)型中愈诚，QCL有源區(qū)的THz指數(shù)(nTHz)高于中紅外指數(shù)，因此基波中紅外波的傳播速度快于DFG太赫茲波。這種相位匹配方案扰路，加上復(fù)合DFB陣列設(shè)計(jì)，允許產(chǎn)生寬范圍的單模太赫茲倔叼，即達(dá)到1.0至4.6太赫茲(圖10(c))汗唱。圖10.室溫下高峰值功率(a)、連續(xù)波工 ...
法在SiO2襯底上合成了單層單疇四方三形狀的MoS2薄膜一個(gè)區(qū)域的拉曼光譜成像丈攒。此三方MoS2薄膜的尺寸為~30um哩罪。MoS2薄膜的拉曼光譜通過兩個(gè)主峰進(jìn)行表征。一個(gè)被指認(rèn)為E_2g^1模式（對(duì)應(yīng)于在x-y層面Mo和S原子的振動(dòng)模式）巡验，一個(gè)被指認(rèn)為A_1g模式（對(duì)應(yīng)于單胞中z軸方向兩個(gè)S原子的振動(dòng)模式）际插。峰的精確位置對(duì)應(yīng)于E_2g^1和A_1g的振動(dòng)模式，并且強(qiáng)度的比值依賴于MoS2樣品層的厚度显设。從圖1（a）和（b）拉曼光譜頻率圖像中可知框弛，E_2g^1和A_1g峰的位置分別位于384cm-1和405cm-1。這些峰確定了合成的三方薄膜確是MoS2原子薄膜捕捂。值得注意的是兩個(gè)峰的頻率差為21cm- ...
mm MgO襯底上制備楔形Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Ru/[Co/Pd]3/Co/Ru SAF薄膜瑟枫，在基底真空優(yōu)于8.0 × 10?5 mTorr的條件下，工作氬氣壓力為3 mTorr指攒。楔形Pt層是在沉積過程中通過移動(dòng)擋板生長的慷妙。采用電子束蒸發(fā)法制備了Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Pd鐵磁堆，基壓為5 × 10?6 mTorr允悦。設(shè)備是通過標(biāo)準(zhǔn)光刻和隨后的氬離子銑削的方式膝擂。磁化和輸運(yùn)測量在5 μm通道寬度的霍爾十字槽中，通過四點(diǎn)測量隙弛，在室溫下對(duì)異臣懿觯霍爾效應(yīng)和電流誘導(dǎo)磁化開關(guān)進(jìn)行了研究。磁疇圖像和磁滯回線是使用VERTISIS MagVision Kerr成像系統(tǒng)捕獲的驶鹉，該系統(tǒng)利用 ...
積到熔融石英襯底上绩蜻。隨后，使用EBL將超表面圖案定義到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA）光刻膠里室埋。在接下來的步驟中办绝，圖案首先通過剝離轉(zhuǎn)移到鉻(Cr)硬掩模，然后通過電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻(ICP-RIE)進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到Si層姚淆。然后可以通過濕蝕刻劑去除Cr掩模孕蝉。光刻膠旋涂在樣品上。在第二部分中腌逢，通過光刻降淮、電子束蒸發(fā)和剝離的一系列過程，鋁掩模使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在超透鏡孔徑外部精確地形成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果：(1)a到c為傳統(tǒng)的焦距為30mm的平凸透鏡成像佳鳖，孔徑半徑分別限制在1霍殴、2.38、2.7mm系吩。d到i為合成孔徑超透鏡成像及圖像重建来庭。(2)800nm近紅外拍攝。b穿挨、c分別為孔徑半徑為1mm和2.38mm的傳統(tǒng)透鏡 ...
拉曼多組分分析的技術(shù)方法拉曼光譜是基于單色光的非彈性散射月弛，是一種可以用來識(shí)別特定化學(xué)鍵的強(qiáng)大技術(shù)。當(dāng)入射光子和化學(xué)分子相互作用時(shí)科盛，就會(huì)發(fā)生光子散射帽衙。大多數(shù)散射光子是由瑞利散射(一種彈性散射形式)產(chǎn)生的，并且與激發(fā)激光具有相同的波長贞绵。一小部分被散射的光子是由稱為拉曼散射的非彈性散射過程產(chǎn)生的厉萝。雖然與瑞利散射光子相比，光子的數(shù)量相對(duì)較少但壮，但這些光子的波長和強(qiáng)度攜帶有關(guān)特定化學(xué)鍵存在的定性和定量信息冀泻。在給定的拉曼光譜中，出現(xiàn)在特定波數(shù)位置的一組峰可以被描述為識(shí)別特定化學(xué)物質(zhì)的“指紋”蜡饵，同時(shí)弹渔，峰的高度可以與這種化學(xué)物質(zhì)的濃度有關(guān)。多組分分析是拉曼光譜的應(yīng)用之一溯祸。在過去的二十年里肢专，許多研究小組提出了光學(xué) ...
20)和兩種襯底立即在倒置顯微鏡下對(duì)準(zhǔn)和密封。組裝的裝置包括寬150米焦辅、高65米的主流通道博杖、上游位移（平行點(diǎn)）和下游阻抗（45?交錯(cuò)）電極陣列（圖2）。為了進(jìn)行實(shí)驗(yàn)筷登，使用平行點(diǎn)電極陣列對(duì)流體界面進(jìn)行電場作用剃根，并在不同的電場頻率下強(qiáng)迫fDEP移位(圖2b-d)。當(dāng)流體離開第一個(gè)位移陣列時(shí)前方，界面應(yīng)力停止了狈醉。由于慣性對(duì)流動(dòng)的影響很小(Re < 1)，流體界面在退出fDEP數(shù)組后惠险，立即保持固定在移位位置苗傅。然后，我們通過使用第二個(gè)交錯(cuò)電極陣列測量阻抗的大小來確定偏轉(zhuǎn)位置[1]班巩。3.2實(shí)驗(yàn)物品介紹液體界面由兩種流體組成渣慕，每種流體具有不同的電導(dǎo)率(σ)和介電常數(shù)（ε）。當(dāng)被迫以低雷諾數(shù)并排流動(dòng)時(shí)，這兩 ...
逊桦。集成到智能襯底中的溫度探頭不僅確保了可靠的測量條件眨猎，甚至能夠感知薄層中的相變。神經(jīng)科學(xué)細(xì)胞功能以及細(xì)胞間的通訊都依賴于溫度强经。特別是神經(jīng)科學(xué)實(shí)驗(yàn)非常依賴于對(duì)環(huán)境條件的精確和準(zhǔn)確的控制宵呛，例如對(duì)突觸功能、其可塑性或動(dòng)作電位傳播的研究夕凝。在這里，VAHEAT提供了一個(gè)不錯(cuò)的解決方案户秤，在用戶定義的溫度下進(jìn)行基于熒光甚至膜片鉗的實(shí)驗(yàn)码秉，而不需要龐大的孵育室。原子力顯微鏡原子力顯微鏡(AFM)不僅對(duì)小的熱漂移或振動(dòng)高度敏感鸡号，而且對(duì)靠近懸臂的電勢的輕微變化也非常敏感转砖。VAHEAT滿足了這些溫度控制的高要求。局部加熱機(jī)制避免任何熱漂移或波動(dòng)鲸伴，而全模擬電子電路設(shè)計(jì)降低電子噪聲到較低限度府蔗。采用DIRECT模式進(jìn)一步降 ...
，并呈現(xiàn)出從襯底向上延伸的柱狀結(jié)構(gòu)汞窗。不過姓赤，隨著薄膜變厚，晶體尺寸增加仲吏，而缺陷和晶界的數(shù)量減少不铆。這意味著較厚薄膜的外層通常比初始形核層的質(zhì)量要好得多。下文中會(huì)提到的在金剛石薄膜用作熱管理散熱器件時(shí)裹唆，通常將薄膜與其基材分離誓斥，底部的 50-100 um 是通過機(jī)械拋光去除。盡管如此许帐，在 CVD 過程中獲得的金剛石薄膜的表面形態(tài)主要取決于各種工藝條件劳坑，導(dǎo)致其性能表現(xiàn)個(gè)不一致，相差很大成畦。這也為作為散熱應(yīng)用中的一些參數(shù)測量距芬，例如熱導(dǎo)率等帶來了很大挑戰(zhàn)。金剛石薄膜的熱管理應(yīng)用金剛石薄膜在作為散熱熱管理材料應(yīng)用時(shí)羡鸥，有著不錯(cuò)的前景蔑穴，與此同時(shí)也伴隨著巨大挑戰(zhàn)。一方面惧浴，而在熱學(xué)方面存和，金剛石具有目前所知的天然物質(zhì)中Z ...
雜InP:S襯底上生長出具有100次重復(fù)活性注入?yún)^(qū)的應(yīng)變平衡InGaAs/InAlAs激光結(jié)構(gòu)。電致發(fā)光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺(tái)捐腿，頂部觸點(diǎn)為Ti/Pt/Au纵朋，底部觸點(diǎn)為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au茄袖。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器操软，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上宪祥。為了進(jìn)行測試聂薪，所有的臺(tái)面和激光設(shè)備都安裝在AlN上的直接結(jié)合銅襯底上。電致發(fā)光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復(fù)頻率;脈沖寬度100-500ns)蝗羊，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀進(jìn)行步進(jìn)掃描模式和ln2冷卻MCT探測 ...
藏澳。取下后，將襯底薄至~200 μm耀找，通過電子束蒸發(fā)沉積20/200 nm的Ge/Au底金屬接觸層翔悠。然后將器件安裝在外延側(cè)的銅散熱器上。圖3由于前面傾斜野芒，采用遠(yuǎn)場測量來確定發(fā)射角庄涡。如圖1(c)所示艰匙，8毫米和12毫米器件的遠(yuǎn)場測量是在低于閾值的條件下進(jìn)行的袖肥，溫度為~2.6 A衷畦，溫度為80 K，使用液氮冷卻的HgCdTe探測器摇锋。與先前報(bào)道的器件一致胀滚，兩種器件的光發(fā)射在正角方向上呈現(xiàn)兩個(gè)峰，8mm和12mm器件的半z大全寬(FWHM)分別為~15°和~ 35°乱投。在將器件旋轉(zhuǎn)到與其各自的峰值發(fā)射相對(duì)應(yīng)的角度后咽笼，這些器件的光、電流和電壓(LIV)特性在脈沖模式下以電流脈沖寬度進(jìn)行100納秒戚炫，重復(fù)頻率5千赫 ...
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