些薄膜生長的襯底的粒度和應(yīng)變。例如茂蚓，襯底可以產(chǎn)生拉伸應(yīng)變壕鹉，從而導(dǎo)致在襯底附近形成的疇的平面內(nèi)磁化。另一方面聋涨，頂端晶粒(遠(yuǎn)離襯底)的磁化方向是垂直的晾浴。晶界附近的面內(nèi)磁化疇的形成會(huì)導(dǎo)致磁通量的循環(huán)，從而抑制靜磁能牛郑。磁晶能量需要保持zui小值;因此怠肋，它傾向于使原子磁矩沿著晶體軸的一個(gè)容易的方向排列敬鬓。因此淹朋，凈磁化遵循一定的結(jié)晶軸，據(jù)說沿著它產(chǎn)生一個(gè)容易的磁化軸钉答。鐵磁體可以沿著晶體學(xué)方向不太困難地磁化础芍。至少在晶體結(jié)構(gòu)的鐵磁體中是這樣的。如果鐵磁性材料由隨機(jī)晶體取向的顆粒組成数尿，一個(gè)簡(jiǎn)單的磁化軸仍然是可能的仑性，然而，它將主要由材料加工決定右蹦，眾所周知诊杆，它會(huì)改變磁疇結(jié)構(gòu)，從而改變它們的磁化方向何陆。被稱為疇壁的過渡層 ...
所測(cè)的薄膜在襯底上晨汹，zui上層為空氣，薄膜兩側(cè)介質(zhì)都是半無限大贷盲，且薄膜上下表面皆是理想光滑表面淘这，三種介質(zhì)皆為均勻、各向同性介質(zhì)。在實(shí)際測(cè)量過程中铝穷，單層模型的三種介質(zhì)通常指的是空氣钠怯、待測(cè)薄膜和基底。圖1-1 光波在多層膜上的反射與透射光波在單層膜上的反射和透射示意圖如圖1-1所示曙聂。定義入射光波矢量E在垂直于入射面上的分量為P光晦炊，在入射面上的分量為S光。由折射定律及菲涅耳定律知筹陵、刽锤、的關(guān)系為：上述式子中，n1是空氣的折射率(1.00)朦佩，n2是薄膜的折射率并思，n3是襯底折射率，是光在界面1的入射角语稠，宋彼、如圖1-1所示，分別是在所測(cè)薄膜仙畦、基底中的折射角输涕。在圖1-1的模型中，經(jīng)過多次反射折射后慨畸，由多光干涉的公 ...
薄膜在ZnO襯底的生長莱坎。生長模型為島狀生長，因此在生長過程中寸士，表面較為粗糙檐什，通過模型構(gòu)建可以獲取薄膜表面粗糙度隨時(shí)間演變和生長速率和生長模式。圖1-3薄膜生長過程中表面的粗糙度隨著時(shí)間的演變1.3.2監(jiān)測(cè)顆粒吸附對(duì)于顆寥蹩ǎ或者大分子層的吸附乃正，橢偏儀可以檢測(cè)到其光學(xué)常數(shù)的變化，并且利用有效介質(zhì)模型提取顆粒的覆蓋率信息等婶博。橢偏儀被廣泛應(yīng)用于生物大分子特別是蛋白質(zhì)等的吸附研究瓮具。Woo-KulLee等在2003年采用在位橢偏儀監(jiān)測(cè)蛋清溶菌酶吸附動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)，從而建立了蛋清溶菌酶對(duì)親水二氧化硅吸附動(dòng)力學(xué)的模擬模型凡人。如圖1-4所示名党，Katerina Stamataki使用橢偏儀(EW-CRDE)采用740nm ...
磁體和非磁性襯底之間界面的研究表明，與鐵磁性襯底的相互作用可能在襯底中誘導(dǎo)長程鐵磁有序挠轴，而其本身并不顯示鐵磁有序传睹。感應(yīng)磁化強(qiáng)度可以與鐵磁體的磁化強(qiáng)度平行或反平行，這取決于交換相互作用的符號(hào)忠荞。這可能會(huì)導(dǎo)致鐵磁層的產(chǎn)生蒋歌，即使是在其整體形式是反鐵磁的材料帅掘，如觀察到的，如超薄的Cr膜在Fe上堂油。在這種情況下修档，襯底中的長程順序——無論是反鐵磁體還是非磁性金屬——是由與鐵磁性襯底的相互作用決定的，并且可以預(yù)期它會(huì)顯示出同樣的溫度依賴性府框。事實(shí)上吱窝，Mn對(duì)Ni的這種感應(yīng)磁序的溫度依賴性被研究了，發(fā)現(xiàn)與襯底的相同迫靖。當(dāng)然院峡，隨著反鐵磁層厚度的增加，整體反鐵磁態(tài)將占上風(fēng)系宜，每一層將顯示自己的有序溫度照激，接近厚層的整體有序溫度 ...
線，帶有氣隙襯底盹牧，具有高增益和低歐姆損耗俩垃。獨(dú)特的天線溫度校正方案允許校正相對(duì)較寬的天線功率37°全波束寬度?3db靈敏度。該校正將天線方向圖與模擬的角度相關(guān)的面亮度溫度進(jìn)行卷積汰寓，同時(shí)還考慮了幾何性質(zhì)在偏離軸視角處引入的偏振混合(參見附錄[20])口柳。PoLRa是一個(gè)研究型的輻射計(jì)系統(tǒng)，本文演示了它的特性有滑。下面幾節(jié)介紹輻射計(jì)硬件跃闹、特性、初步結(jié)果和結(jié)論毛好。硬件包括輻射計(jì)望艺、電子設(shè)備和天線。表征包括輻射計(jì)的分辨率和穩(wěn)定性睛榄、校準(zhǔn)和不確定度荣茫。初步結(jié)果包括基于無人機(jī)的天線溫度測(cè)量和土壤水分檢索想帅。2.硬件以下各小節(jié)將介紹PoLRa的硬件組成场靴，包括射頻前端、后端和天線港准。2.1射頻前端PoLRa是一種直接探測(cè)輻射計(jì)旨剥， ...
其中機(jī)器人與襯底之間可能存在間歇性和非點(diǎn)接觸。我們使用這個(gè)模擬器來研究不同形狀的微型機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)浅缸，并選擇很有希望執(zhí)行給定任務(wù)的形狀轨帜。17.S. Schuerle, A. P. Soleimany, T. Yeh, G. M. Anand, M. H?berli, H. E. Fleming, N. Mirkhani, F. Qiu, S. Hauert, X. Wang, B. J. Nelson. N. Bhatia. Synthetic and living micropropellers for convection-enhanced nanoparticle transport.Sci ...
作為工作電極襯底，從而用于監(jiān)控薄膜生長過程中的薄膜厚度衩椒。石英晶振儀能給出沉積的量的多少蚌父，但是無法給出生長的模式哮兰，因此通常用于配合其他的測(cè)試方法，如橢偏儀苟弛。質(zhì)譜儀法是通過用電場(chǎng)喝滞、磁場(chǎng)把運(yùn)動(dòng)的帶電荷原子、分子和離子等粒子膏秫，按其比荷進(jìn)行分離檢測(cè)的方法右遭。不同帶電粒子其質(zhì)荷比不同，偏轉(zhuǎn)的時(shí)間也不同缤削，質(zhì)譜儀就可以將這些不同的時(shí)間窘哈、位置等信息轉(zhuǎn)變成光學(xué)數(shù)據(jù)，通過質(zhì)譜圖呈現(xiàn)出來亭敢，這樣混合物中的各種成分就可以被解析觀察滚婉。可以用于解構(gòu)在電化學(xué)過程中溶液的變化等帅刀。了解更多橢偏儀詳情满哪，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.wjjzl.com/three-level-56.html更多詳情請(qǐng)聯(lián) ...
可能也會(huì)存在襯底與沉積物質(zhì)的電荷轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。這些界面效應(yīng)將會(huì)給橢偏測(cè)試數(shù)據(jù)的分析與提取增加難度劝篷。了解更多橢偏儀詳情哨鸭，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.wjjzl.com/three-level-56.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器娇妓、光電調(diào)制器像鸡、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、光學(xué)元件等哈恰，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工只估、光通訊、生物醫(yī)療着绷、科學(xué)研究蛔钙、國防、量子光學(xué)荠医、生物顯微吁脱、物聯(lián)傳感、激光制造等彬向；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝兼贡，培訓(xùn)，硬件開發(fā)娃胆，軟件開發(fā)遍希，系統(tǒng)集成等服務(wù)。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站 ...
GEM）虛擬襯底近似（VSA）解析條件介電函數(shù)是已知介電函數(shù)與厚度無關(guān)薄膜和襯底吸光難易程度容易困難中等介電函數(shù)必要非必要必要透明材料分析可以可以不可以梯度層分析困難困難可行實(shí)時(shí)控制可以不可以可以表1-1在位橢偏儀數(shù)據(jù)分析方法表1-1所示的線性回歸分析(LRA)必須知道樣品所有的介電函數(shù)里烦，通過擬合得到誤差的zui小值來確定光學(xué)常數(shù)和薄膜結(jié)構(gòu)凿蒜。當(dāng)樣品中有未知的介電函數(shù)時(shí)禁谦，需要進(jìn)行介電函數(shù)建模，使用數(shù)值反演法可以提取樣品的介電函數(shù)废封。圖1-17是用LRA橢偏儀數(shù)據(jù)分析的流程圖枷畏，可以看出橢偏儀數(shù)據(jù)提取與分析的步驟為：(1)建立適合的光學(xué)模型；(2)確定每一層的介電常數(shù)虱饿；(3)對(duì)橢偏譜譜(ψ拥诡，Δ)進(jìn)行擬 ...
和(b)虛擬襯底近似(VSA)圖1-20為VSA的光學(xué)模型。在這個(gè)圖中,和表示計(jì)算出的偽介電函數(shù)氮发，n表示在一定間隔內(nèi)測(cè)量到的實(shí)時(shí)光譜數(shù)渴肉。VSA的關(guān)鍵特征是利用偽介電函數(shù)隨厚度的變化進(jìn)行分析，即在分析時(shí)爽冕，如圖1-20所示被用作虛擬基板仇祭，從的變化中，對(duì)和之間形成的薄覆蓋層進(jìn)行了表征颈畸。圖1-20VSA的光學(xué)模型表1-1中的方法各有各的優(yōu)缺點(diǎn)乌奇，需要根據(jù)情況選擇恰當(dāng)?shù)姆治龇椒ā＠绠?dāng)一層的介電函數(shù)未知時(shí)眯娱，我們使用GEM來得到該層的介電函數(shù)礁苗。由GEM確定的幾個(gè)介電函數(shù)可以構(gòu)造一個(gè)光學(xué)數(shù)據(jù)庫♂憬桑基于這樣的光學(xué)數(shù)據(jù)庫试伙，我們可以利用LRA或VSA對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制。本文根據(jù)實(shí)驗(yàn)前期研究于样，以現(xiàn)有橢偏儀為基礎(chǔ)疏叨，進(jìn) ...
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