中文：襯底；英文：substrate

應(yīng)用脏款。不同的襯底會(huì)對生長的二維材料產(chǎn)生影響围苫，使它們的形態(tài)，晶體質(zhì)量撤师，光學(xué)性能等被改變剂府。云南大學(xué)楊鵬教授課題組研究了襯底對CVD生長MoS2和WS2的影響。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯底生長二維材料剃盾。形態(tài)&晶體質(zhì)量如上圖a所示腺占，SiO2 / Si襯底上的CVD生長的MoS2具有規(guī)則的三角形形狀，具有清晰的分層結(jié)構(gòu)痒谴，說明了合成了不同層數(shù)的MoS2衰伯。d是在Si襯底上生長的MoS2,圖中只能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si积蔚，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長的成核中心意鲸，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性 ...

過程向材料的襯底走尽爆，進(jìn)而再次達(dá)到平衡狀態(tài)怎顾；熱點(diǎn)形成到消失產(chǎn)生的電壓脈沖表示檢測到光子NbN超導(dǎo)檢測器具有極低的時(shí)序抖動(dòng)，其光譜靈敏度范圍從可見光到中紅外范圍漱贱。SSPD的暗計(jì)數(shù)率極低槐雾，通常低于每秒1個(gè)計(jì)數(shù)，并且沒有后脈沖幅狮。檢測器的有效面積約為10 um2探測效率與暗計(jì)數(shù)系統(tǒng)組成 ...

)紅色硬紙板襯底上的血跡(b)深藍(lán)色牛仔褲上有兩個(gè)沾有血跡的指紋(c)深藍(lán)色卡片上有兩處血跡(d)四個(gè)污點(diǎn)募强，(A)紅色圓珠筆株灸，(B)咖啡污漬，(C)紅糖污漬和(D)深灰色棉花上的血跡二钻注、淤青老化及檢測應(yīng)用領(lǐng)域:?家庭和兒童虐待案件?對事件的敘述進(jìn)行核實(shí)/反駁(如“他星期五在學(xué)校摔倒了”→在周末進(jìn)行真相剖析)?擦傷的形狀-咬痕等?監(jiān)測受傷情況蚂且，估計(jì)事故發(fā)生的時(shí)間相比其他技術(shù)的好處:到目前為止，醫(yī)生是根據(jù)顏色來估計(jì)瘀傷的年齡的幅恋，然而這種估計(jì)是非常主觀的杏死，因?yàn)槿藗儗︻伾目捶ㄊ遣煌摹Q提供了對瘀傷部位和年齡的準(zhǔn)確和客觀的判斷捆交。文章題目: Can colour inhomogeneity of b ...

擴(kuò)散淑翼。薄膜-襯底界面的聲子輸運(yùn)(長時(shí)間尺度)圖3.（a）、(b)傳感器-襯底界面聲子弛豫品追，(c)玄括、(d)不同傳感器下傳感器-襯底界面電子、聲子溫差時(shí)域圖傳感器在將熱能傳輸?shù)綐悠穼悠鹬饕饔萌馔摺＿@種轉(zhuǎn)移遭京，特別是聲子能量的轉(zhuǎn)移，取決于傳感器的熱性質(zhì)泞莉，這導(dǎo)致?lián)Q能器和樣品間界面處的熱平衡和不同的熱傳遞哪雕。當(dāng)達(dá)到熱平衡后聲子溫度開始下降時(shí)，就可以得到這種聲子熱輸運(yùn)鲫趁。圖3示出通過雙溫度模型在更長的時(shí)間尺度上計(jì)算的在150 nm和50 nm厚度下斯嚎，在金/二氧化硅和鋁/二氧化硅界面處的聲子溫度。圖3(a)和3(b)顯示電子-聲子耦合常數(shù)對界面聲子溫度的影響挨厚。鋁膜中較高的電子-聲子耦合使其熱平衡快于金膜堡僻。界面處電子 ...

度。同時(shí)疫剃，當(dāng)襯底的熱導(dǎo)率較小時(shí)钉疫，換能器層的小熱質(zhì)量也能夠增強(qiáng)對界面熱導(dǎo)率的靈敏度。圖1顯示了TR-MOKE信號(hào)檢測方案巢价。為了進(jìn)行TR-MOKE測量牲阁，樣品需要涂上一層薄的垂直磁化傳感器，在測量前用外部磁鐵磁化蹄溉。非偏振分束器被插入在轉(zhuǎn)向PBS和顯微鏡物鏡之間，以將反射的泵浦和探測光束轉(zhuǎn)向檢測路徑您炉。在檢測路徑中柒爵，泵浦光束被濾波器去除，而探測光束通過半波片赚爵，然后被渥拉斯頓棱鏡分成兩個(gè)正交偏振分量棉胀。調(diào)整半波片法瑟，使得兩個(gè)分量具有大致相同的強(qiáng)度。通過檢測平衡檢測器上相對強(qiáng)度的變化來監(jiān)測探測光束偏振的瞬時(shí)變化唁奢。圖1. TR-MOKE探測方案示意圖霎挟。反射探測光束的偏振態(tài)被渥拉斯頓棱鏡分離，并被平衡探測器探測到麻掸。 ...

能器的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行連續(xù)波和脈沖FDTR測量的計(jì)算信號(hào)酥夭。對于脈沖解決方案，延遲時(shí)間固定為100 ps圖3.來自CW和脈沖FDTR在藍(lán)寶石襯底的不同參數(shù)上比率信號(hào)的靈敏度系數(shù)R =–Vin/Vout脊奋，藍(lán)寶石襯底由100 nm鋁傳感器覆蓋熬北，使用w0=5 μm的光斑尺寸。脈沖FDTR的延遲時(shí)間固定在100 psTDTR實(shí)驗(yàn)的靈敏度分析可以類似地應(yīng)用于FDTR诚隙。雖然有使用相位信號(hào)φ來導(dǎo)出熱特性的情況讶隐，但是為了一致性，比率信號(hào)R這里使用-Vin/Vout久又，相當(dāng)于相位信號(hào)φ = -arctan(Vout/Vin)巫延。圖3使用w0=5微米的光斑尺寸，比較了在0.05–20兆赫調(diào)制頻率范圍內(nèi)地消，連續(xù)波和脈沖FDT ...

在Al2O3襯底上沉積的MoS2薄膜的層數(shù)可以直接由ALD循環(huán)次數(shù)控制炉峰。通過使用拉曼光譜（XperRam C，NANOBASE犯建，532nm激光光源下讲冠，激光光斑尺寸為1mm，功率為0.6mW）證明了薄膜層數(shù)和ALD圈數(shù)之間成線性關(guān)系适瓦，且隨著薄膜層數(shù)的增加摩擦減少竿开，即隨著MoS2厚度的增加，受基地影響的的2D MoS2的層相關(guān)摩擦性能減弱玻熙，如圖1（a）和圖1（b）所示否彩。除此之外，通過高斯公式計(jì)算摩擦力的分布可以得到每次等離子處理的平均摩擦力嗦随，且發(fā)現(xiàn)等離子處理10s的Al2O3基地上沉積的MoS2的平均摩擦為1個(gè)ALD循環(huán)列荔，并且其值最低，如圖1（c）所示枚尼√悖基地表面上的官能團(tuán)可以通過O2等離子處理獲得 ...

纖光柵鑲嵌在襯底材料的表面。由于襯底材料的熱膨脹系數(shù)較大署恍，當(dāng)溫度變化時(shí)崎溃，這樣可以增大光纖光柵的縱向應(yīng)變，從而提高溫度靈敏度盯质。鋁合金通常在實(shí)際應(yīng)用中被選擇作為襯底材料袁串。常采用槽結(jié)構(gòu)封裝的光纖光柵溫度傳感器設(shè)計(jì)理念概而。封裝結(jié)構(gòu)如下圖所示，將光纖光柵用環(huán)氧樹脂封裝固定在一個(gè)刻有細(xì)槽的鋁板內(nèi)（鋁板為鋁合金）囱修，細(xì)槽中心要與鋁板中軸線保持平行赎瑰。當(dāng)封裝的時(shí)候，要保證光纖光柵平直破镰，并處于細(xì)槽的底面軸線上餐曼。當(dāng)注入環(huán)氧樹脂時(shí)，要對其進(jìn)行適當(dāng)加熱啤咽，目的是增加環(huán)氧樹脂的流動(dòng)性晋辆，以達(dá)到減小氣泡形成的效果，當(dāng)細(xì)槽內(nèi)充滿環(huán)氧樹脂宇整，又不溢出槽外時(shí)瓶佳，便于加蓋封裝固定。在鋁板四個(gè)頂角上制作四個(gè)螺孔鳞青，圖中左邊的兩個(gè)的起到把鋁條與被測 ...

可以用作芯片襯底霸饲。該芯片的鉑層或ITO層可以在3分鐘(鉑)到30?s (ITO)之間進(jìn)行加工。同時(shí)臂拓，在厚度為100?nm?到1?μm的氮化硅中厚脉，打開鈍化窗口是成功的。在傳感器芯片上胶惰，以前用于isfet的氮化硅層首次被用作電位ph傳感器的敏感材料傻工。比較了不同層厚度的靈敏度和再現(xiàn)性。在室溫下孵滞，自制的60?nm薄膜的靈敏度可達(dá)-53.8?±1.8 mV/pH中捆，Z大漂移率為0.151 mV/h。由于安培式氧傳感器沒有氧選擇性膜坊饶，因此必須考慮細(xì)胞培養(yǎng)基中各組分的影響來對其進(jìn)行表征泄伪。循環(huán)伏安法測量證實(shí)細(xì)胞培養(yǎng)液中不含影響測量的電活性物質(zhì)。由于材料和結(jié)構(gòu)的原因匿级，有必要將工作電位降低到- 650?mV相對于A ...

匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導(dǎo)帶偏移量(量子阱深度)為520 meV蟋滴。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達(dá)到了非常高的性能水平，實(shí)現(xiàn)了高于室溫的高功率痘绎，連續(xù)的波發(fā)射津函。1998年，Sirtori等人實(shí)現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs孤页，證明了QC概念并不局限于一個(gè)材料系統(tǒng)尔苦。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功蕉堰。QCLs的短波長限制是由量子阱的深度決定的，近年來悲龟，為了實(shí)現(xiàn)短波長發(fā)射屋讶，在具有非常深量子阱的材料系統(tǒng)中開發(fā)了QCLs。InGaAs/AlAsSb材料體系 ...