固體源分子束外延（MBE）或氣源MBE生長的波長為9.1和4-6 um的QC激光器已經(jīng)證明了室溫連續(xù)波（CW）操作讲弄，這是緊湊型非低溫激光源的重要里程碑措左。金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）zui近引起了人們的研究興趣，因為它是工業(yè)界第1選擇的技術避除，并且在QC激光器的商業(yè)化方面有前景怎披。據(jù)報道，MOCVD是一種高性能的QC激光生長技術瓶摆，首先采用低閾值脈沖操作凉逛，zui近，MOCVD生長的7.2 m QC激光器和MOCVD生長的5.1 m應變QC激光器使用埋藏異質結構設計進行室溫連續(xù)操作群井。在這封信中状飞，我們報告了一個mocvd生長的室溫連續(xù)波QC激光器異質結構。該激光器被加工成雙通道脊狀波導书斜，頂部鍍有厚厚 ...
局诬辈，僅改變了外延特性，我們可以推斷出更高的應變和模態(tài)增益偏移明顯提高了差分增益荐吉，從而將K因子從0.4ns降低到0.3ns焙糟，從而提高了阻尼極限。盡管在室溫下增加了阻尼偏移样屠，但調制性能穿撮，特別是在較高溫度下，明顯優(yōu)于參考激光器痪欲。圖4 導出了新設計與參考設計的k因子比較低阻尼和高帶寬是通過降低k系數(shù)和適度的阻尼偏移來實現(xiàn)的悦穿，適用于所有相關的工作溫度。高溫操作所研究的VCSEL不是針對某一固定溫度下的峰值性能設計的勤揩，而是針對非冷卻運行進行了優(yōu)化咧党，具有優(yōu)越的恒定性能。在參考設計中陨亡，8GHz調制帶寬似乎是85℃時的極限傍衡。如圖3(b)所示深员，3dB帶寬現(xiàn)在在85℃時高達10GHz。此外蛙埂，對于經(jīng)典的分布式反饋激光 ...
所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器倦畅。高速1.55umVCSEL結構是其他高速器件的改進版本，具有優(yōu)化的有源區(qū)域绣的、失諧叠赐、鏡像反射率和摻雜水平。激光芯片的示意圖如圖1所示屡江。BCB用作低介電常數(shù)鈍化芭概，以實現(xiàn)高速運行。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成惩嘉。為了在高溫下實現(xiàn)高速運行和足夠的增益罢洲，有源區(qū)由7個厚度為6納米的重應變InAlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處文黎，將應變調整為壓縮應變的2.5%（擬晶）惹苗。這將提高增益和差分增益，從而實現(xiàn)低閾值電流和高弛豫振蕩頻率耸峭。模式增益偏置針對高溫行為進行了優(yōu)化桩蓉。因此，可以得到負T0值劳闹，即該器件在60℃散熱器 ...
設計院究，加上對外延結構、臺面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優(yōu)化玷或，有助于Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能儡首。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調制偏友。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示蔬胯。接下來，28gb /s NRZ-OOK信號通過標準單模光纖（SMF）的幾個線軸發(fā)射位他，即超過1公里氛濒，2公里，5公里和10公里的SMF鹅髓。注意舞竿，鏈接中沒有使用DCF。分別傳輸1公里窿冯、2公里骗奖、5公里和10公里后，每個光纖線軸輸出處的光學眼圖如圖2 (c)-(f)所示。我們可以觀察到执桌，由于CD誘導的啁啾激光信號的相位到幅度轉換鄙皇，在傳輸?shù)?公里后，眼睛的開口明顯減小仰挣，并且在更遠的傳輸距離（5 ...
現(xiàn)高速運行伴逸。外延輸出鏡由無基吸收的InGaAlAs-InAlAs層對組成。為了在高溫下實現(xiàn)高速運行和足夠的增益膘壶，有源區(qū)域由七個重應變量子阱（每個6納米寬）組成错蝴，并具有針對高溫行為優(yōu)化的模式增益偏移。因此颓芭，可以得到負T0值顷锰，即在較高溫度下閾值電流較低。這種效應是由于增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的亡问。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此馍惹，利用這一效應可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導體玛界，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區(qū)域悼吱，也有助于實現(xiàn)高溫操作慎框。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成『筇恚孔徑為6um的器件在 ...
器通過分子束外延MBE和MOCVD兩種方法生長的量子微電子管的室溫連續(xù)工作結果令人鼓舞笨枯，但進一步的性能有望使量子微電子管更適合實際應用系統(tǒng)。在所有需要改進的器件參數(shù)中遇西，特別需要更低的閾值電流密度馅精，因為它可以使器件消耗更少的總功率，并有可能提高壁插效率粱檀。我們報告了5.07 um的mocvd生長QC激光器洲敢，具有BH再生結構和下行安裝，其室溫連續(xù)波閾值電流密度低于所有這些先前報道的結果茄蚯。本文提出的QCL結構是通過低壓MOCVD生長的压彭。有源區(qū)域結構與文獻中報道的設計非常相似，但對波導結構進行了一些修改渗常，如下所述壮不。一個周期的層序為：從注入層阻擋層厚度開始，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ 4. ...
oS2的面內外延生長皱碘；因此询一，獲得具有致密結構的高質量單層是非常有益的。二維過渡金屬二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄層結構的貴金屬半導體。由于其非凡的電學健蕊、化學菱阵、熱學和機械性能，2D TMDs具有發(fā)展成為電路中下一代電子元件的巨大潛力绊诲，如晶體管送粱、存儲器、二極管等掂之，以合理的成本生產(chǎn)高質量單層TMD的可擴展和可控技術對其工業(yè)應用至關重要抗俄。然而，晶圓規(guī)模和高質量的2DTMD生長在實踐中仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)世舰《ⅲ化學氣相沉積（CVD）被認為是一種很有前途的制備可控層數(shù)的晶片級TMD膜的方法，很多研究針對生長溫度跟压、前驅體胰蝠、晶種、反應增強等等生長因素進行了探討震蒋。然而茸塞，在不同的實驗室中，MoS2的尺 ...
要幾個獨立的外延生長和復雜的鍵合過程查剖。HCG-VCSELs在極化控制钾虐、高速數(shù)據(jù)傳輸和高波長調諧速度方面具有廣闊的應用前景；但廣泛的可調性仍然是一個研究課題笋庄。另一方面效扫，與電泵浦VCSEL相比，光泵浦可調諧VCSEL自然具有更短的腔直砂，表現(xiàn)出非常寬的調諧范圍菌仁。然而，直接調制是不可能的静暂。通過采用表面微加工技術济丘，我們已經(jīng)為上一代VCSEL（未針對高速應用進行優(yōu)化）展示了創(chuàng)紀錄的102nm單模連續(xù)調諧。表面微加工消除了晶圓鍵合的需要籍嘹，而是使用沉積的介電DBR反射鏡闪盔，這一方面帶來了更好的對準精度和更好的均勻性控制，另一方面促進了二維陣列的經(jīng)濟高效的批量生產(chǎn)辱士。利用外部加熱電流電熱驅動MEMS DBR實現(xiàn)寬調諧 ...
在銅散熱片的外延側安裝泪掀。此外，還制作了具有埋置異質結構波導和固定腔長1.9 mm的激光器颂碘，在其背面涂覆高反射率涂層异赫，并將外延面向上安裝椅挣。圖3圖2a顯示了臺面樣品在80k和300k下的電致發(fā)光光譜。與預期相反塔拳，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響鼠证，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規(guī)設計相似靠抑。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明量九，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統(tǒng)設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補充圖S1）颂碧。代表性激光光譜如圖2b所示荠列；激光波長在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm载城。圖4激 ...
首創(chuàng)的分子束外延（MBE）進行的初始材料開發(fā)工作近年來已擴展到更標準的工業(yè)平臺肌似，用于材料生長，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經(jīng)迅速達到了與mbegrow設備相當?shù)腞T性能诉瓦，并且在RT后不久就顯示出連續(xù)運行MOCVD生長的qcl在中波紅外（MWIR）13和長波紅外（LWIR）波長下的高功率連續(xù)工作已經(jīng)被證明川队。盡管qcl具有巨大的前景，但直到z近睬澡，復雜的結構和制造qcl的困難使這些設備僅僅是實驗室工具固额。z近的進展主要是為了提高MWIR的電光轉換效率，這極大地促進了技術從實驗室到工業(yè)的轉移煞聪。我們團隊的研究成果在功率輸出和插拔效率方面取得了飛躍对雪，z終可以實現(xiàn)這些設備的現(xiàn) ...
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