中文：外延；英文：epitaxy

A充當(dāng)CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2妨蛹。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性不好屏富，因為沒有觀察到明顯的層狀結(jié)構(gòu)和規(guī)則形狀。如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si蛙卤，O2等離子體激活了基底表面上的原子狠半，正如圖2c所示噩死，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現(xiàn)出更加無序的結(jié)構(gòu)。如圖f所示神年，Si基底尺寸小已维，在O2等離子體清洗后，二維MoS2結(jié)晶良好已日。光學(xué)性能如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜垛耳。可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號都很弱捂敌，可能是因為Si本身是半導(dǎo)體艾扮，MoS2 / WS2中的電子一旦被激發(fā)就更容易逃逸，并且不 ...

器的線寬受到外延層數(shù)量的限制占婉，這些外延層可以在不降低質(zhì)量的情況下沉積泡嘴，因此，目前只能窄到幾納米逆济。圖3反射型的VBG酌予，即BragGrate?帶通濾波器(BPF)，可將頻譜噪聲降低至-60-70分貝奖慌，如圖4所示抛虫。BPF并不是一個真正的帶通濾波器，因為它反射信號而不是傳輸信號简僧；然而它把有用的信號從噪聲中分離出來建椰，清理激光線。BPF的典型衍射效率約為95%岛马，相應(yīng)地棉姐，有用信號的損失約為5%。圖4的左面板顯示了在拉曼系統(tǒng)中如何使用BPF的示例啦逆。標(biāo)準BPF的偏轉(zhuǎn)角在20°左右伞矩。可以制作偏轉(zhuǎn)角高達90°的濾光片夏志，但這種濾光片的角度接受度將會變窄乃坤，這通常是不可取的，因為有更嚴格的對準要求沟蔑。圖4基于VBG的凈化濾 ...

氣體源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生長我們的結(jié)構(gòu)湿诊。GSMBE反應(yīng)器專門用于QCL的生長。反應(yīng)器定期維護溉贿，以確保始終如一的高材料質(zhì)量枫吧。對每個生長進行生長后表征，以確定設(shè)計參數(shù)和監(jiān)測生長條件宇色。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對薄膜的厚度和組成進行了表征。實驗和模擬(X ' Pert外延)激光芯X射線衍射曲線如圖2所示。這兩條曲線具有很好的一致性宣蠕，確定了材料的組成例隆。在X射線中，低背景和高階超晶格的尖峰表明抢蚀，超晶格中應(yīng)變的增加伴隨著尖銳的界面镀层，衛(wèi)星峰的半大全寬(FWHM)小為21.2弧秒。圖2. 30級激光芯的實驗和模擬x射線衍射曲線在過去的幾年里皿曲，人們進行了一系列的實驗來 ...

機唱逢。5、氣相外延爐 5屋休、氧化爐 6坞古、低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng) 8、等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 9劫樟、磁控濺射臺 10痪枫、化學(xué)機械研磨機 11、引線鍵合機 12叠艳、探針測試臺 等等奶陈。第二步：規(guī)格設(shè)定。造多大附较？有什么規(guī)范嗎吃粒？比如無線網(wǎng)卡的芯片就需要符合 IEEE802.11 等規(guī)范，不然拒课，這芯片將無法和市面上的產(chǎn)品相容徐勃。好比你造的樂高零件，凸口太大太小捕发，沒辦法和別的廠商的樂高零件拼在一起一樣疏旨。然后就是決定有幾間臥室、衛(wèi)生間這樣的事扎酷。我們的IC芯片計劃性能怎么樣檐涝？需要“入廁應(yīng)急”功能強大，就要分配點廁所單元法挨，相應(yīng)的也要多配置點“馬桶”谁榜。每個衛(wèi)生間的馬桶放在哪也要布局，廁所門位置凡纳、對應(yīng)房間內(nèi)的走廊窃植，就是芯片里 ...

導(dǎo)拉曼散射的外延線照明，使用一個線形焦點荐糜，以能夠比較貝塞爾和傳統(tǒng)外延線照明模式之間的成像特性巷怜。使用圖1(a)中的倒立鏡可以切換兩種成像模式葛超。貝塞爾照明的偏振方向設(shè)置為x方向，使探測物鏡能夠有效地收集誘導(dǎo)拉曼散射延塑。分光光度計的狹縫寬度設(shè)為1 Airy單位绣张，使狹縫共聚焦效應(yīng)也可實現(xiàn)z向的空間分辨率。光學(xué)裝置的細節(jié)如圖1所示关带。圖一該顯微鏡的有效點擴散函數(shù)(PSF)是光學(xué)照明點擴散函數(shù)和檢測點擴散函數(shù)的乘積侥涵。如圖1(b)-(e)所示，與外線照明相比宋雏，貝塞爾光束照明有效地降低了z方向PSF的延伸芜飘，表明貝塞爾照明可以提高軸向分辨率和背景消除。在貝塞爾束成像中磨总，旁瓣可能是一個問題嗦明，但在該照明模式中，入口狹縫 ...

射舍败，通過指示外延生長招狸，提供了對薄膜光學(xué)質(zhì)量的進一步了解。x射線衍射研究表明材料是否具有晶體織構(gòu)邻薯，因為通常需要具有高度織構(gòu)且易于磁化軸垂直于薄膜的材料(圖2)裙戏。圖1圖2在這一點上，應(yīng)該強調(diào)的是厕诡，傳統(tǒng)磁光薄膜的磁性是連續(xù)的累榜，而其他磁性薄膜，如傳統(tǒng)磁性記錄磁帶中使用的磁性薄膜灵嫌，由于交換耦合壹罚，形成位的磁性顆粒彼此分離。因此寿羞，傳統(tǒng)的磁光薄膜允許更高的存儲密度猖凛，在薄膜上封裝更多的比特。例如绪穆，在磁光記錄的黃金年代辨泳，磁光盤薄膜上的數(shù)據(jù)存儲標(biāo)記由由約8 nm的磁壁隔開的磁疇組成，其中標(biāo)記寬度約為170 nm玖院，典型面密度為100 Gbits/in2菠红。磁光薄膜的另一個優(yōu)點是，它們具有更好的熱穩(wěn)定性难菌，傳統(tǒng)的磁記錄磁帶 ...

磁各向異性的外延多層體系中的疇试溯，通過考慮效應(yīng)的對比規(guī)律和深度靈敏度。梯度效應(yīng)也可以很好地應(yīng)用于圖像精細過渡和域調(diào)制郊酒。圖1圖1比較了Kerr效應(yīng)遇绞、Voigt效應(yīng)和梯度效應(yīng)之間的現(xiàn)象差異键袱。在不同條件下，在光學(xué)偏光顯微鏡下對具有兩個正交磁化軸的鐵硅晶體的典型疇圖進行了成像试读，如圖所示杠纵。在每種情況下荠耽，通過選擇適當(dāng)?shù)娜肷涔夂屯ㄟ^正確設(shè)置顯微鏡中的偏光器钩骇，分析器和補償器來產(chǎn)生對比度÷亮浚克爾效應(yīng)在磁化矢量上是線性的倘屹，因此圖1中的四個疇相以不同的顏色顯示。在V光效應(yīng)中成像的相同圖案只顯示兩種顏色慢叨，每個磁化軸一種纽匙。這種對比是獨立于磁化方向，因為V光效應(yīng)取決于二次磁化矢量拍谐。梯度效應(yīng)對磁化強度的變化很敏感烛缔。因此，在這種 ...

4年由分子束外延(MBE)生長的QCL中首次低溫激光演示后不到10年就可用于實際應(yīng)用轩拨。這一發(fā)展的關(guān)鍵步驟包括2001年QC激光器的RT連續(xù)操作演示践瓷，隨后，2005年使用MOCVD技術(shù)生長和制造的QC激光器的室溫連續(xù)操作亡蓉，這是工業(yè)III-V半導(dǎo)體制造的選擇平臺晕翠。今天，使用MBE和MOCVD技術(shù)生長和制造QC激光器砍濒。盡管多年來MBE的增長淋肾，特別是氣源MBE，在已發(fā)表的z佳性能方面保持了ling先優(yōu)勢爸邢，特別是在MWIR中樊卓，但對于許多實際應(yīng)用目的而言，MOCVD增長可獲得的性能足夠好杠河，并且允許更靈活的制造設(shè)置碌尔，特別是在工業(yè)環(huán)境中。如上所述感猛，第1個RT連續(xù)波QC激光器也是LWIR激光器七扰，在300K時顯示 ...

D)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復(fù)活性注入?yún)^(qū)的應(yīng)變平衡InGaAs/InAlAs激光結(jié)構(gòu)陪白。電致發(fā)光器件采用深蝕刻颈走、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點為Ti/Pt/Au咱士，底部觸點為退火的Ge/Au/Ni/Au立由，并覆蓋Ti/Au轧钓。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣锐膜，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上毕箍。為了進行測試，所有的臺面和激光設(shè)備都安裝在AlN上的直接結(jié)合銅襯底上道盏。電致發(fā)光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復(fù)頻率;脈沖寬度100-500ns)而柑，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光 ...

將器件安裝在外延側(cè)的銅散熱器上。圖3由于前面傾斜荷逞，采用遠場測量來確定發(fā)射角媒咳。如圖1(c)所示，8毫米和12毫米器件的遠場測量是在低于閾值的條件下進行的种远，溫度為~2.6 A涩澡，溫度為80 K，使用液氮冷卻的HgCdTe探測器坠敷。與先前報道的器件一致妙同，兩種器件的光發(fā)射在正角方向上呈現(xiàn)兩個峰，8mm和12mm器件的半z大全寬(FWHM)分別為~15°和~ 35°膝迎。在將器件旋轉(zhuǎn)到與其各自的峰值發(fā)射相對應(yīng)的角度后粥帚，這些器件的光、電流和電壓(LIV)特性在脈沖模式下以電流脈沖寬度進行100納秒弄抬，重復(fù)頻率5千赫茎辐。通過一對ZnSe透鏡，將器件的光發(fā)射準直并聚焦到室溫的HgCdTe探測器上掂恕。兩種器件在不同溫度下的L ...