中文：折射率凌那；英文：refractive index

鏡之間介質(zhì)的折射率(空氣為n0= 1;浸沒油N0≈1.5)兼雄。α和n值越高，物鏡收集的衍射光階數(shù)越多帽蝶，分辨率越高赦肋。可用的zui高數(shù)值孔徑為1.4励稳，用100倍放大率的油浸物鏡獲得佃乘。使用這種物鏡和藍(lán)光進(jìn)行照明，可以分辨窄至150 nm的區(qū)域驹尼。更小的磁性物體趣避，比如十納米大小的疇壁，也可以通過數(shù)字對(duì)比度增強(qiáng)變得可見新翎，但它們的圖像會(huì)被衍射放大程帕。zui近有研究表明住练，克爾信號(hào)也可以從寬度僅為30納米的納米線中獲得。如果您對(duì)磁學(xué)測(cè)量有興趣愁拭，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.wjjzl.com/three-level-150.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊 ...

讲逛、封裝材料的折射率分布等參數(shù)。利用波前分析儀可以檢測(cè)封裝過程中產(chǎn)生的各種缺陷岭埠，如焊點(diǎn)空洞盏混、引線偏移、芯片傾斜等枫攀。通過分析波前的相位和振幅變化括饶，可以定位缺陷的位置和大小。波前分析儀可以評(píng)估封裝后的芯片質(zhì)量来涨，如焊點(diǎn)的可靠性图焰、引線的連接強(qiáng)度等。通過測(cè)量波前的散射和反射情況蹦掐，可以判斷封裝質(zhì)量的優(yōu)劣技羔。過程監(jiān)控：在封裝過程中，波前分析儀可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)波前的變化卧抗，從而及時(shí)發(fā)現(xiàn)封裝過程中的異常情況藤滥。這有助于提高封裝的成功率和生產(chǎn)效率。波前分析儀在芯片封裝檢測(cè)中具有重要的應(yīng)用價(jià)值社裆，可以幫助工程師提高封裝質(zhì)量拙绊、降低生產(chǎn)成本和提高生產(chǎn)效率。隨著封裝技術(shù)的不斷發(fā)展泳秀，波前分析儀的應(yīng)用領(lǐng)域還將不斷拓展标沪。4）光學(xué)元件檢測(cè)：可 ...

會(huì)同時(shí)影響到折射率n和消光系數(shù)k，在圖4-6(b嗜傅，d)吸收系數(shù)中觀察到在長(zhǎng)波范圍內(nèi)(500-800nm)的波包變化但是在圖4-6(a金句，c)中的折射率系數(shù)n卻沒有監(jiān)測(cè)到，這意味著這個(gè)吸收系數(shù)的波包變化可能是沉積材料的厚度導(dǎo)致的吕嘀。對(duì)于沉積時(shí)間為360s時(shí)违寞，相對(duì)于其它沉積時(shí)間n值和k值都有很大的變化，這可能是360s時(shí)的物相較為特殊偶房。由于物相包括新物質(zhì)或者是結(jié)構(gòu)趁曼，如顆粒尺寸，所以這可能是由于在360s時(shí)沉積的CU2O成分或者是此時(shí)得到的顆粒尺寸或者結(jié)構(gòu)有所不同棕洋，需要進(jìn)一步驗(yàn)證彰阴。圖4-6不同沉積時(shí)間得到的橢偏數(shù)據(jù)圖(a，c)n拍冠，(b尿这，d)k了解更多橢偏儀詳情簇抵，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：https: ...

長(zhǎng)變化圖，與折射率n的趨勢(shì)相似射众。隨著時(shí)間的變化碟摆，值發(fā)生變化。當(dāng)沉積時(shí)間為180s的時(shí)候叨橱，在500-800nm長(zhǎng)波范圍典蜕，其值從襯底的-20增加到-0.5，這也意味著新的物質(zhì)沉積罗洗，導(dǎo)致襯底的信息減少愉舔。在沉積時(shí)間增加到360s和540s時(shí)，整體上值比180s減小了3左右伙菜，在350nm附近出現(xiàn)一個(gè)較明顯的波包轩缤，同時(shí)在550nm附近出現(xiàn)一個(gè)波包。當(dāng)沉積時(shí)間增加到720s之后贩绕，的值恢復(fù)到沉積180s附近火的，但是在500-800nm波段稍小，且在500nm附近出現(xiàn)波包淑倾。沉積時(shí)間為900s時(shí)馏鹤，值的變化和720s一致，但是出現(xiàn)的波包位置大概在530nm附近娇哆。當(dāng)時(shí)間為1080s時(shí)湃累，在300-500nm波段其值和72 ...

在磁性材料中折射率不同，從而使得兩種偏振光在磁性樣品中傳播的過程中產(chǎn) 生了光程差碍讨，進(jìn)而產(chǎn)生相位差治力，從樣品中出射后兩種偏振光合成的透射光就表現(xiàn) 為偏振面較入射光來講發(fā)生了一定角度的偏轉(zhuǎn)。塞曼效應(yīng)是指在外磁場(chǎng)中垄开，光源發(fā)出的光的各能級(jí)譜線在磁場(chǎng)下進(jìn)一步分裂 成更多條琴许，并且分裂出的各譜線的間隔和外磁場(chǎng)的大小成正比的磁光效應(yīng)税肪，該效 應(yīng)的原理是原子的自旋磁矩和軌道磁矩在外磁場(chǎng)的作用下能級(jí)會(huì)發(fā)生進(jìn)一步的 分裂溉躲。塞曼效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)直接推動(dòng)了量子力學(xué)的完善并導(dǎo)致自旋這一自由度被發(fā)現(xiàn)。圖1.三種克爾效應(yīng)示意圖益兄，從左至右依次為極向锻梳、縱向和橫向克爾效應(yīng)則是說當(dāng)偏振光在磁性樣品表面被反射后，反射光的偏振面相對(duì)入射光發(fā)生一定 ...

從而引起材料折射率和增益系數(shù)的改變废亭，也會(huì)使激光器的發(fā)射波長(zhǎng)以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題具钥，它是一款超低噪聲半導(dǎo)體激光器控制器豆村，一款集電流控制、溫度控制骂删、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器掌动，集八大功能于一體，提供用于驅(qū)動(dòng)ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件宁玫。每一臺(tái)DLC控制器都包括：微分低噪聲探測(cè)器粗恢，700kHz帶寬；超低噪聲二極管電流源欧瘪，< 100pA/√Hz眷射，直流至1MHz；帶有珀?duì)柼鸗EC驅(qū)動(dòng)的溫度控制器恋追；掃描振蕩器凭迹；一對(duì)高壓壓電驅(qū)動(dòng)；解調(diào)器（鎖相放大器）苦囱；微分光電探測(cè)器嗅绸；交流調(diào)制源；伺服反饋回路濾波電路撕彤；人體工程學(xué)控制鱼鸠，包括5位 ...

于確定它們的折射率羹铅、電導(dǎo)率和其他基本參數(shù)蚀狰。挑戰(zhàn)實(shí)現(xiàn)高性能太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一是光學(xué)延遲掃描。傳統(tǒng)的太赫茲系統(tǒng)一直使用機(jī)械光學(xué)延遲線职员，但這樣通常需要在掃描速度和掃描范圍之間進(jìn)行權(quán)衡麻蹋。長(zhǎng)距離的高速移動(dòng)是這些機(jī)械設(shè)備的重大挑戰(zhàn)。太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)經(jīng)常應(yīng)用于檢查厚度的光學(xué)系統(tǒng)之中焊切，其中反射光需要被較大的光學(xué)延遲所分開扮授，同時(shí)，系統(tǒng)也需要足夠的光譜分辨率來解析光譜特征专肪∩膊快速的光學(xué)延遲掃描在滿足這兩個(gè)要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過快速光學(xué)延遲線嚎尤，太赫茲系統(tǒng)可以部署在快速點(diǎn)掃描應(yīng)用和需要在短時(shí)間內(nèi)檢查大表面區(qū)域的工廠中荔仁。在這些場(chǎng)景中，機(jī)械的光學(xué)延遲通常難以實(shí)現(xiàn)高吞吐量的性能要求。采用單腔雙梳的 ...

-10(a)折射率n值來看乏梁，沒有沉積之前即0s時(shí)次洼，n值從300nm-800nm不斷減小，在300nm-500nm波段平緩遇骑，500nm處驟減滓玖，600nm-800nm達(dá)到zui小值且有波動(dòng)。與0s相比质蕉，不同沉積時(shí)間在300nm-500nm波段每個(gè)沉積時(shí)間的變化趨勢(shì)一致势篡，數(shù)值上180szui大，360szui小模暗，其余介于二者之間禁悠；都在330nm和410nm附近存在波包。在500nm-800nm波段兑宇，變化趨勢(shì)比較相似碍侦，數(shù)值上比0s的大，但是存在波動(dòng)隶糕，特別是180s在600nm附近存在驟減瓷产。從圖4-10(b)消光系數(shù)k值來看，0s時(shí)k值從300nm-800nm不斷增加枚驻，在300nm-500nm波段平緩濒旦， ...

移、厚度以及折射率等物理量再登。工作原理：當(dāng)兩束光的頻率相同尔邓、振動(dòng)方向相同且相位差恒定時(shí)，它們可以發(fā)生干涉锉矢。通過調(diào)節(jié)干涉臂的長(zhǎng)度或改變介質(zhì)的折射率梯嗽，可以形成不同的干涉圖樣1113。干涉條紋實(shí)際上是等光程差的軌跡沽损，因此灯节，分析干涉產(chǎn)生的圖樣需要求出相干光的光程差位置分布的函數(shù)。邁克爾遜干涉儀的zhu名應(yīng)用之一是邁克爾遜-莫雷實(shí)驗(yàn)绵估，該實(shí)驗(yàn)證實(shí)了以太的不存在炎疆，為狹義相對(duì)論的基本假設(shè)提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。此外壹士，邁克爾遜干涉儀還在引力波探測(cè)中得到廣泛應(yīng)用磷雇，如激光干涉引力波天文臺(tái)（LIGO）等偿警，通過測(cè)量由引力波引起的激光的光程變化來探測(cè)引力波躏救。邁克爾遜干涉儀還被應(yīng)用于尋找太陽系外行星的探測(cè)中，以及在延遲干涉儀，即光學(xué) ...

OLED厚度測(cè)量OLED結(jié)構(gòu)用于從電視屏幕到手機(jī)的許多應(yīng)用中盒使。典型的OLED結(jié)構(gòu)包括夾在電極之間的三個(gè)薄有機(jī)層:HTL(空穴傳輸層)崩掘、EML(電子遷移率)或空穴阻塞層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結(jié)構(gòu)示意圖構(gòu)成OLED結(jié)構(gòu)的薄膜的計(jì)量是至關(guān)重要的少办。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價(jià)苞慢、可靠、非接觸的計(jì)量方法英妓⊥旆牛可以測(cè)量材料的厚度和光學(xué)常數(shù)。MProbe UVVis可以測(cè)量毯狀(無圖案)樣品蔓纠，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級(jí)進(jìn)行測(cè)量辑畦。一、測(cè)量實(shí)例圖2玻璃上ITO(透明導(dǎo)電氧化物)的測(cè)量-使用參數(shù)化ITO模型確定厚度和光 ...