中文：熒光讯沈；英文：fluorescent

雾袱、量子信息、熒光和拉曼光譜學(xué)等領(lǐng)域官还，特別是量子信息計(jì)數(shù)和微光探測(cè)技術(shù)很關(guān)鍵的器件之一芹橡。目前，可用的單光子探測(cè)器件有：光電倍增管（PMT）望伦，工作在蓋革模式下的雪崩光電二級(jí)管（APD）等林说。在400至900nm光波段，以硅APD為敏感元件的單光子探測(cè)器性能良好屯伞，暗計(jì)數(shù)小于25cps腿箩，量子效率在650nm附近可高達(dá)到70%。但由于帶隙寬度的限制劣摇，硅APD對(duì)波長(zhǎng)1微米以上的光沒有響應(yīng)珠移。在近紅外光波段（1100~1650nm），目前性能很好的是基于銦鎵砷（）APD的單光子探測(cè)器，其量子效率在1.55μm波長(zhǎng)處能達(dá)約25%钧惧，暗計(jì)數(shù)約10^3cps左右暇韧。總體而言浓瞪，不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測(cè)器懈玻，其 ...

的結(jié)構(gòu)。使用熒光或者反射光照明乾颁，能夠在透明基底或電極上觀察和定位特定的材料涂乌。全息光鑷可以將許多具有新的物理或光學(xué)特性的材料組織在三維空間。潛在的應(yīng)用是構(gòu)建光子晶體帶隙材料钮孵、制作生物或納米尺度的電子元件以及在電極上沉積不同的材料以便測(cè)量他們的電學(xué)特性骂倘。2007 年，美國(guó)的科學(xué)家利用紅外光形成的光鑷在硅片上控制微粒的運(yùn)動(dòng)巴席，他們通過選擇合適厚度和摻雜濃度的硅片，使之透過紅外光進(jìn)而能夠被CCD探測(cè)诅需。這項(xiàng)技術(shù)突破了傳統(tǒng)的在液相中捕獲粒子的瓶頸漾唉。若將全息光鑷技術(shù)與之結(jié)合，則可以在特定的固體表面組裝一些有意義的結(jié)構(gòu)堰塌。特別要指出的是赵刑，在全息光鑷發(fā)明之前，光鑷技術(shù)主要側(cè)重在單粒子的基礎(chǔ)研究方面场刑，全息光鑷在對(duì)多粒 ...

般此，利用特殊的熒光染料或者蛋白質(zhì)熒光探針（鈣離子指示劑，calcium indicator）牵现，將神經(jīng)元當(dāng)中的鈣離子濃度通過熒光強(qiáng)度表現(xiàn)出來铐懊，從而達(dá)到檢測(cè)神經(jīng)元活動(dòng)的目的。大腦神經(jīng)元3D鈣離子成像系統(tǒng)正是利用鈣成像的原理瞎疼，473nm的激光器作為熒光激發(fā)光源科乎，通過SLM(液晶空間光調(diào)制器)產(chǎn)生客戶需要的3D激發(fā)模式，多焦點(diǎn)的光束照射到加入了熒光探針的生物組織（在體或離體）贼急，激發(fā)出熒光茅茂。通過傳統(tǒng)的顯微鏡技術(shù)，將鈣離子的分布清晰的顯示在相機(jī)上太抓。我們可以通過鈣離子濃度的分布狀況空闲，研究大腦神經(jīng)元的活動(dòng)及互聯(lián)性。圖4. 老鼠腦組織鈣離子分布隨時(shí)間變化如果您需要免費(fèi)試用及產(chǎn)品報(bào)價(jià)走敌，請(qǐng)聯(lián)系此產(chǎn)品的負(fù)責(zé)工程師：陳工 ...

像碴倾，還可用于熒光成像，光電流成像。 拉曼 熒光 光電流4影斑，高性價(jià)比目前市面上拉曼成像光譜設(shè)備價(jià)格均高于100萬人民幣给赞，韓國(guó)Nanobase公司的激光掃描拉曼成像設(shè)備價(jià)格折合人民幣約為50萬人民幣，價(jià)格遠(yuǎn)低于同類產(chǎn)品矫户。Nanobase在國(guó)內(nèi)的獨(dú)家代理是上海昊量光電設(shè)備有限公司片迅，上海昊量光電設(shè)備有限公司是光學(xué)器件，激光皆辽，光譜等光電領(lǐng)域的專業(yè)公司柑蛇，歡迎對(duì)Nanobase拉曼光譜系統(tǒng)感興趣的客戶聯(lián)系我們，2016客戶可享受產(chǎn)品推廣折扣驱闷。韓國(guó)Nanobase公司致力于研發(fā)和生產(chǎn)各種外腔式可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器及高性能光譜儀耻台。 ...

元的光損傷和熒光團(tuán)的光漂白。此外空另，傳統(tǒng)顯微鏡僅限于對(duì)二維表面進(jìn)行成像盆耽，而神經(jīng)回路具有三維結(jié)構(gòu)。深度掃描可用于構(gòu)建3D圖像扼菠，但速度非常慢摄杂，因?yàn)樗ǔＭㄟ^以大約20 Hz的速率掃描物鏡來實(shí)現(xiàn)。這不足以監(jiān)測(cè)在一毫秒的時(shí)間尺度上發(fā)生的神經(jīng)活動(dòng)循榆。對(duì)于光遺傳學(xué)研究析恢，需要能夠在3D空間中動(dòng)態(tài)和任意形成多個(gè)焦點(diǎn)的顯微鏡以監(jiān)視和操縱發(fā)射模式，并且顯微鏡必須能夠進(jìn)行3D成像以捕獲神經(jīng)元電路的響應(yīng)秧饮。在掃描雙光子/三光子顯微鏡的激發(fā)路徑中添加液晶空間光調(diào)制器（SLM）映挂，可以將激發(fā)源分成幾百個(gè)獨(dú)立的焦點(diǎn)，并以高達(dá)300 Hz的頻率重新配置焦點(diǎn)的3D位置盗尸。因此柑船，使用SLM可以傳遞光線，同時(shí)可激發(fā)多個(gè)3D位點(diǎn)的神經(jīng)元振劳，然后 ...

的干擾椎组，常規(guī)熒光顯微鏡無法獲得層析圖像。三維結(jié)構(gòu)光照明顯微鏡提高分辨率历恐、獲得層析圖像的原理寸癌，就是利用特定結(jié)構(gòu)的照明光來獲得樣品的高頻信息，采用特定算法在橫向和縱向上擴(kuò)展樣品頻域信息的同時(shí)彌補(bǔ)凹陷帶來的影響弱贼。飽和結(jié)構(gòu)照明顯微鏡(SSIM)的原理法國(guó)OXXIUS多波長(zhǎng)合束激光器應(yīng)用在Nikon顯微鏡受激發(fā)射損耗顯微（STED）在STED顯微術(shù)中蒸苇，有效熒光發(fā)光面積的減小是通過受激發(fā)射效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。一個(gè)典型的STED顯微系統(tǒng)中需要兩束照明光吮旅，其中一束為激發(fā)光溪烤，另外一束為損耗光味咳。當(dāng)激發(fā)光的照射使得其衍射斑范圍內(nèi)的熒光分子被激發(fā)，其中的 電子躍遷到激發(fā)態(tài)后檬嘀，損耗光使得部分處于激發(fā)光斑外圍的電子以受激發(fā)射的 ...

發(fā)光源5）集熒光成像槽驶、電致發(fā)光、光致發(fā)光鸳兽、透射率掂铐、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻(xiàn)：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indiu ...

發(fā)光源5）集熒光成像揍异、電致發(fā)光全陨、光致發(fā)光、透射率衷掷、反射率成像等諸多功能于一體辱姨。參考文獻(xiàn)：[1]Delamarre A. , Paire M., Guillemoles J.-F. and Lombez L., Quantitative luminescence mapping of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, Progress in Photovoltaics, 10, 1002, (2014).如果您需要了解更多的產(chǎn)品信息， 請(qǐng)聯(lián)系我們戚嗅！產(chǎn)品鏈接：http://www.wjjzl.com/details-1013.html電話：021-3 ...

上獲得材料的熒光和透射圖譜成像圖雨涛，不需要空間上的掃描即可獲得亞微米的空間分辨率。 下圖展示了利用IMA采集的鈣鈦礦晶體的高光譜數(shù)據(jù)渡处。圖1展示了鈣鈦礦的PL數(shù)據(jù)镜悉。僅在幾分鐘內(nèi)，在670×900μm2的面積上獲得了550-900nm的一百萬個(gè)PL光譜医瘫。圖（a）和（b）顯示了分別在625nm和750nm處拍攝的兩張不同的單色PL圖像。圖（c）為圖1中不同位置的光譜圖旧困，（d）顯示為指定區(qū)域PL圖譜頻移成像圖醇份。圖2展示在180×134μm2區(qū)域內(nèi)不同鈣鈦礦樣品的高光譜透射率數(shù)據(jù)。圖3展示的是相同區(qū)域內(nèi)樣品的PL成像圖吼具。高光譜成像設(shè)備可以獲得以下參數(shù)的空間分布：△ 表面缺陷△ 晶界△ 相分離△ 無序化這 ...

曼/光電流/熒光/熒光壽命測(cè)量僚纷，為研究團(tuán)隊(duì)提供強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。韓國(guó)成均館大學(xué)的 Si Young Lee教授在他的研究Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中使用這套系統(tǒng)拗盒，研究了MoS2器件在不同環(huán)境氣體下的工作效率怖竭，并最終制出部分鈍化的新型半導(dǎo)體，其理想因子幾乎為1陡蝇，具有完美的電可逆性痊臭，并且通過光電流成像系統(tǒng)測(cè)得耗盡層寬度為~200nm，比體半導(dǎo)體窄了極多登夫。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS NANO雜志上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)西班牙IMDEA-nanocientia的A ...