;所在空間的折射率俐东。相關(guān)文獻(xiàn)：《幾何光學(xué) 像差 光學(xué)設(shè)計(jì)》（第三版）——李曉彤 岑兆豐更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器订晌、光電調(diào)制器虏辫、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等锈拨，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工砌庄、光通訊、生物醫(yī)療奕枢、科學(xué)研究娄昆、國防、量子光學(xué)缝彬、生物顯微萌焰、物聯(lián)傳感、激光制造等谷浅；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝扒俯，培訓(xùn)奶卓，硬件開發(fā)，軟件開發(fā)撼玄，系統(tǒng)集成等服務(wù)夺姑。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.wjjzl.com了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來電咨詢4006-888-532掌猛。 ...
義與最后一個(gè)折射面切向的平面作為我們的圖像空間參考平面盏浙，它將起到與RSOS中出瞳平面相同的作用。在這個(gè)平面上荔茬，我們將建立我們的x-y坐標(biāo)废膘，它位于點(diǎn)o處的系統(tǒng)光軸中心。在物體空間中兔院，我們選擇參考平面作為物體平面本身殖卑。使用上述定義的坐標(biāo)原點(diǎn)，考慮以下畸變成像系統(tǒng):假設(shè)我們有一個(gè)物點(diǎn)坊萝，在近軸物面上孵稽。設(shè)點(diǎn)是最終圖像空間中的理想圖像點(diǎn)。設(shè)Σ'為來自P經(jīng)過坐標(biāo)原點(diǎn)O的光線的波前十偶，設(shè)S為中心為菩鲜，半徑為O的參考球。令來自P的光線中的另一條射線r分別在點(diǎn)處與S和Σ'相遇惦积，并在點(diǎn)P’處與最終像面相遇接校。坐標(biāo)P’分別為(x ,y, z)， (ξ狮崩，η)蛛勉，且光線r的方向余弦值為(L,M,N）。 為最后一個(gè) ...
地測量厚度睦柴、折射率及消光系數(shù)诽凌。只要將Semiconsoft 系統(tǒng)插入您電腦的USB接口，就能開始測量坦敌。整個(gè)系統(tǒng)只需要幾分鐘來設(shè)定侣诵，只需要基本的電腦知識(shí)就能測量。這種簡單的硬件系統(tǒng)和直觀的軟件為所有新用戶提供了薄膜知識(shí)狱窘。從近紅外到紫外 系統(tǒng)能在波長200納米到1700納米 范圍內(nèi)測量厚度從1納米到1.8毫米的薄膜杜顺。Semiconsoft 系統(tǒng)可測量幾乎所有常用材料做成的透光薄膜。容易操作的軟件用戶能很快地掌握Semiconsoft軟件熟悉而又友好的界面蘸炸。測量一次大約一秒躬络。測量數(shù)據(jù)，及測量細(xì)節(jié)能夠非常容易地通過標(biāo)準(zhǔn)Windows文件存盤和輸出搭儒。另外洗鸵，公開的 NET 程序非常 容易地讓其他軟件來控制 ...
膜厚測量原理（六）-臺(tái)式薄膜測量系統(tǒng)的優(yōu)勢MPROBE20數(shù)秒內(nèi)的薄膜測量臺(tái)式MPROBE20可以快速越锈、簡便地測量厚度，光學(xué)常數(shù)（n和k）和透射率膘滨。這臺(tái)功能 齊全的儀器能測量1納米到1毫米厚的透光或半透光的薄膜甘凭。精度一般在幾個(gè)埃。光斑大小可調(diào)節(jié)并且范圍很寬火邓。超高的性價(jià)比Semiconsoft很高興能提供突破性的低價(jià)格丹弱，使原本又困難又昂資的薄膜測量變得很便宜很簡單。附件 多種不同的平臺(tái)铲咨，晶圓平臺(tái)和特殊測量探頭可適合大部分樣品的尺寸躲胳。在線測量針對制程應(yīng)用，Semiconsoft的測量系統(tǒng)僅需要在光路上直視待測樣品纤勒，并提供與多種控割系統(tǒng)的接口坯苹。把顯微鏡變成薄膜厚度測量工具用于圖形化表面和光斑小至10 ...
上，上半部分折射率為n1摇天，下半部分折射率為n2粹湃，光會(huì)在界面處發(fā)生反射和折射，如下圖所示泉坐。示意圖 單色光在各向同性且材質(zhì)均勻的界面上的反射和折射其中Eip为鳄、Erp和Etp分別為p光的入射、反射和折射電矢量腕让，Eis孤钦、Ers和Ets分別為s光的入射、反射和折射電矢量纯丸，θ1和θ2為入射角和折射角偏形。光波電矢量可以分解為振動(dòng)方向平行于入射面的p光和振動(dòng)方向垂直于入射面的s光。分別定義p光和s光的反射系數(shù)rp和rs觉鼻，由麥克斯韋方程組和邊界條件俊扭，能夠推導(dǎo)出p光、s光的反射系數(shù)與介質(zhì)折射率滑凉、入射角和折射角的關(guān)系统扳，即菲涅耳反射系數(shù)喘帚。如果您對橢偏儀有興趣畅姊，請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：https://www.aun ...
由各層薄膜的折射率、消光系數(shù)和膜層厚度等參量決定吹由，故可表達(dá)為式中：n1若未、n2和n3分別為空氣、薄膜和襯底的折射率倾鲫；k2和k3分別為薄膜和襯底的消光系數(shù)粗合。通過對Ψ和Δ的擬合萍嬉，可以得出被測物體的參量。橢偏技術(shù)按采樣原理可以分為消光式和光度式 隙疚，也稱為零橢偏法與非零橢偏法壤追。消光式橢偏測量方法在每一個(gè)波長通過旋轉(zhuǎn)起偏器和補(bǔ)償器后尋找到合適的角度，使經(jīng)樣品反射后的偏振光為線性偏振光供屉，然后調(diào)整檢偏器角度產(chǎn)生消光效果后行冰，記錄此時(shí)檢偏器和起偏器相對于入射平面的角度，計(jì)算出樣品對應(yīng)的參數(shù)伶丐。光度式橢偏測量方法則是對探測器接收到的光強(qiáng)進(jìn)行傅里葉分析悼做，推導(dǎo)出所測樣品的特性，并不需要測量角度哗魂，盡可能排除了人為誤差肛走，測量 ...
也被稱為圓雙折射效應(yīng)。V oight和Cotton和Mouton在順磁液體中發(fā)現(xiàn)的磁雙折射現(xiàn)象录别。這些效應(yīng)被稱為線性磁雙折射朽色。Williams以及Fowler和Fryer首先應(yīng)用磁光成像技術(shù)來實(shí)現(xiàn)磁疇的可視化，這些都是基于Kerr效應(yīng)庶灿。由于克爾顯微鏡的這些較早的應(yīng)用纵搁，連續(xù)的系統(tǒng)發(fā)展大大增強(qiáng)了傳統(tǒng)克爾技術(shù)的能力。通過干涉層的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了顯著的對比度增強(qiáng)往踢，但克爾顯微鏡的突破是隨著20世紀(jì)80年代視頻顯微鏡和數(shù)字圖像處理的引入而來的腾誉。自20世紀(jì)50年代以來，法拉第顯微鏡也主要用于磁性柘榴石薄膜和正鐵氧體的透射實(shí)驗(yàn)峻呕，由于法拉第效應(yīng)比克爾效應(yīng)強(qiáng)得多利职，因此不需要電子對比度增強(qiáng)∈莅基于Voigt效應(yīng)的透射顯微鏡也 ...
但對于透明或折射率差異小的樣品猪贪，其對比度和分辨率較低。對藍(lán)藻和綠藻而言讯私，綠藻主要含有葉綠素热押，可以用藍(lán)光有效地激發(fā)。藍(lán)藻含有藻膽體斤寇，最好用綠光激發(fā)桶癣。根據(jù)不同色素的吸收特性，可以生成偽彩色圖像娘锁，以區(qū)分藍(lán)藻和綠藻牙寞。Lumencor的光引擎是通過一些列的固態(tài)光源（LED、自研發(fā)光管和激光器）構(gòu)成的，每個(gè)光源的數(shù)量间雀、波長悔详、帶通、光功率和工作模式都可以針對應(yīng)用的需求為客戶量身定制惹挟，擁有一流的亮度茄螃、穩(wěn)定性和獨(dú)特的定量電子控制系統(tǒng)，滿足客戶對于不同波長激發(fā)光的多種需求连锯。下圖就是運(yùn)用該技術(shù)檢測在北卡羅來納州Betz湖所提取的水樣并生成的偽色彩圖像责蝠。由美國國家環(huán)境保護(hù)局公共衛(wèi)生與環(huán)境評估中心的Robert Zuc ...
內(nèi)芯與外包層折射指數(shù)分布與最終拉制出光纖芯、包層折射指數(shù)分布相同的圓柱棒萎庭，通常稱為“預(yù)制棒”或“光棒”霜医。預(yù)制棒的制造是光纖制造的核心技術(shù)，因而其制造技術(shù)的水平也就代表了光纖制造技術(shù)的水平驳规。純的熔石英具有單一的折射率肴敛，其光譜折射率的分布是從0.55um處的1.460到1.81um處的1.444。為了制備具有高折射率棒芯（n1）和低折射率包層（n2）預(yù)制棒吗购，必須通過“摻雜”医男，即在石英中摻以適當(dāng)?shù)膿诫s劑，如二氧化鍺（GeO2）或五氧化二磷（P2O5）捻勉，制成高折射率的棒芯镀梭，而以純石英材料為低折射率的包層；也可以在石英中摻入折射率低于石英的摻雜劑如氟（F）踱启、三氧化二硼（B2O3）报账，構(gòu)成低折射率的包層，同 ...
誘導(dǎo)了圓形雙折射埠偿，因此透罢，兩種圓形光模式在通過半導(dǎo)體傳播時(shí)經(jīng)歷了不同的相移，這導(dǎo)致入射線偏振光的偏振面旋轉(zhuǎn)冠蒋。圖2.4.2 K時(shí)n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的Kerr旋轉(zhuǎn)譜圖2為根據(jù)圖1的吸收系數(shù)計(jì)算得到的克爾旋轉(zhuǎn)光譜期望值羽圃。克爾旋轉(zhuǎn)僅在砷化鎵帶隙附近是非零的抖剿。此外朽寞，在頻譜的中間存在一個(gè)符號(hào)反轉(zhuǎn)。這表明正確的光子能量的選擇對GaAs中pMOKE測量起著至關(guān)重要的作用斩郎。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)脑融，不同樣品的克爾旋轉(zhuǎn)光譜略有不同。因此孽拷，在n-GaAs樣品上進(jìn)行pMOKE測量的第1步是優(yōu)化探針激光束的光子能量吨掌。zui重要的是半抱，對于一個(gè)固定的光子能量脓恕，克爾旋轉(zhuǎn)角θK與GaAs導(dǎo)帶的 ...
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