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繪制樣品的雜散磁場的技術對比

發(fā)布時間:2023-06-30 13:50:56 瀏覽量:2697 作者:Leon

摘要

根據探針與樣品相互作用的物理機制辰如,目前使用的成像技術大致可分為兩類(略有重疊),即雜散場成像和磁化成像贵试。較早的磁成像是永久磁鐵周圍的邊緣場,這為統(tǒng)一理解電和磁奠定了基礎凯正。

正文


繪制樣品的雜散磁場的技術對比


繪制雜散磁場


載流導線周圍的鐵屑圓形圖案毙玻,以及從條形磁鐵的兩極發(fā)出的熟悉的彎曲形狀(圖1)是法拉第描述為磁場線的基本觀察結果,后來被麥克斯韋納入數學廊散。在很長一段時間里桑滩,由Bitter提煉的鐵銼法提供了較大的空間分辨率。在Bitter方法中允睹,磁性材料的表面覆蓋磁性納米顆粒运准,如果樣品處于真空或低溫環(huán)境中幌氮,則磁性納米顆粒來自膠體懸浮液或蒸發(fā)劑。在磁煙沉降過程中胁澳,粒子在疇壁的雜散微磁場中聚集该互。zui后的裝飾在光學或電子顯微鏡下成像,允許在多疇鐵磁體或被磁場穿透的超導體中分辨非常小(100 nm)的磁性特征韭畸。



繼Bitter之后宇智,各種磁場成像技術得到了發(fā)展。目前應用廣泛的儀器是磁力顯微鏡胰丁。在MFM中随橘,磁性對比是通過鐵磁尖端與樣品雜散微磁場之間的靜磁相互作用來實現的,特別是在疇邊界處锦庸。在測量過程中机蔗,探頭尖端垂直于樣品表面振動,并且由于雜散磁場的存在甘萧,振動的頻率和振幅會發(fā)生梯度變化萝嘁。MFM成像可以達到小于10 nm的空間分辨率,并且可以通過先jin的尖端技術來提高分辨率幔嗦,例如通過聚焦離子束銑削來修飾探針尖端酿愧。MFM的優(yōu)點包括相對較高的空間分辨率,操作簡單邀泉,樣品制備簡單嬉挡。缺點是很難直接從MFM圖像中提取定量信息。也許MFM zui近重要的擴展是磁耗散顯微鏡汇恤。通過監(jiān)測維持恒定懸臂振蕩幅值所需的驅動功率庞钢,可以通過每個周期的能量損失提取額外的細節(jié),例如疇壁的運動或固定因谎。


在目前可用的繪制薄標本周圍和內部場分布的方法中基括,分辨率較高的是使用電子顯微鏡的技術。例如财岔,在洛倫茲顯微鏡中风皿,高能(100至1000 keV)電子束入射到薄的(150 nm)磁性樣品上,磁性對比來自于電子在通過樣品中的磁感應時由于洛倫茲力而產生的偏轉匠璧。這可以實現優(yōu)于10納米的橫向分辨率桐款,記住測量代表樣品厚度的平均值。代表性的應用包括納米級磁性元件和圖像化自旋隧道結材料的詳細磁性研究夷恍。


另一種基于電子傳輸的變化是電子全息術魔眨,這是一種電子干涉測量方法,記錄干涉圖樣,從中可以重建物體的振幅和相位遏暴。該技術可以以較高的分辨率(2 nm)測量薄鐵磁樣品內部和周圍的磁通量絕對值侄刽。微型場感應電子設備的掃描,如霍爾探測器或超導量子干涉設備朋凉,是在小眾應用領域的進一步選擇州丹。


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