對光譜型橢偏儀校準(zhǔn)結(jié)果受測量模型影響大的問題進(jìn)行研究澡刹，提出一種不受測量模型影響的校準(zhǔn)方法歉秫，即通過校準(zhǔn)橢偏角實(shí)現(xiàn)光譜型橢偏儀的校準(zhǔn)葛躏。
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光譜型橢偏儀的校準(zhǔn)（一）-橢偏儀校準(zhǔn)思路
在分立器件和集成電路的制造過程中常用到各種不同的薄膜局齿，如熱氧化膜 (二氧化硅Si〇2薄膜）堯電介質(zhì)膜 (Si3N4薄膜)等剧劝。薄膜厚度是一個(gè)重要的參數(shù)，對各種薄膜厚度參數(shù)的精確抓歼、快速測定和控制讥此，是保證器件質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段谣妻。光譜型橢偏儀是半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域使用廣泛的薄膜厚度測量儀器萄喳。為了保證光譜型橢偏儀測量結(jié)果的準(zhǔn)確可靠，通常會(huì)使用薄膜厚度已知的膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣片對橢偏儀的薄膜厚度測量能力進(jìn)行校準(zhǔn)蹋半。一般情況下膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣片的襯底材料為硅他巨，薄膜材料為熱氧化生長的二氧化硅。
由光譜型橢偏儀測量原理可知：橢偏儀在測量薄膜厚度時(shí)，得到的直接測量量為橢偏角（
和
）染突，薄膜厚度量值是通過建立相應(yīng)測量模型進(jìn)行橢偏角擬合得到的匪傍。因此，橢偏角的測量準(zhǔn)確度體現(xiàn)了光譜型橢偏儀的硬件性能觉痛，薄膜厚度的測量準(zhǔn)確度體現(xiàn)了光譜型橢偏儀硬件和測量模型的綜合性能役衡。測量模型是橢偏儀的核心技術(shù)，出于技術(shù)保護(hù)薪棒，各橢偏儀生產(chǎn)廠家都有自己的測量模型手蝎，這就導(dǎo)致使用不同廠家生產(chǎn)的儀器測量同一薄膜厚度時(shí)，結(jié)果會(huì)出現(xiàn)較大的偏差俐芯，薄膜厚度的測量結(jié)果受測量模型的影響很大棵介。為了消除測量模型對光譜型橢偏儀校準(zhǔn)結(jié)果的影響，本文提出了一種基于橢偏角的光譜型橢偏儀校準(zhǔn)方法吧史。
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