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橢偏儀(七)-橢偏儀數(shù)據(jù)處理模型-第三部分

發(fā)布時間:2023-05-31 15:49:32 瀏覽量:3727 作者:Alex

摘要

偏振光波通過介質(zhì)時與介質(zhì)發(fā)生相互作用,這種相互作用將改變光波的偏振態(tài),測出這種偏振態(tài)的變化,進而進行分析擬合,得出我們想要的信息睁冬。

正文


橢偏儀(七)-橢偏儀數(shù)據(jù)處理模型-第三部分


繼續(xù)我們上次講的建模來介紹其他的模型:


6.Graded模型 Graded模型和之前講過的EMA模型相似,適用于兩種材料的混合材料,但是層內(nèi)不同深度的混合比卻是確定的;


7.Drude模型 這個模型主要用于金屬自由電子氣多律、硅化物和半導體等材料中的載流子吸收等情況:



其中εp是等離子共振頻率,γ為碰撞頻率痴突;


8.洛侖茲振子模型 洛侖茲認為:物質(zhì)分子是由一定數(shù)量的重原子核和外圍電子構(gòu)成的復雜帶電系統(tǒng),固體的介電函數(shù)可以用一定數(shù)量的Lroentz振子的和近似表示,稱為簡諧振子近似。其形式如下



上式中A為振幅,與載流子密度狼荞、電荷辽装、質(zhì)量有關(guān),E0為振子的共振能量,G為振子的展寬系數(shù),與振子的阻力有關(guān)。簡諧振子模型適合用于晶態(tài)半導體材料,當材料的特征不是很清楚的情況下,選用簡諧振子模型(即洛倫茲振子模型)是比較好的選擇相味;


9.Forouhi-Bloomer模型 Forouhi和Bloomer針對的是非晶態(tài)半導體,通過量子力學處理結(jié)合K-K關(guān)系拾积,可以推導出包含5個參數(shù)的模型,它比較適合于分析鐵電薄膜與半導體薄膜材料:



n(∞)為無窮大能量時的折射率,Eg,A,B,C則為正的常數(shù);


10.形模型 為了在較寬的頻譜上表達物質(zhì)的光學常數(shù),一般需要考慮上述多種模型丰涉,則可以得到:



L(E)為某些特定的線形,例如高斯線形拓巧、洛倫茲形、臨界點線形等, B(E)為能量緩變的背一死。


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